NTMS4176P
功率MOSFET
-30 V， -9.6 A， P沟道， SOIC- 8
特点
低R
DS （上
），以最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
SOIC - 8表面贴装封装节省电路板空间
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
-30 V
R
DS （ ON）
最大
18毫瓦@ -10 V
30毫瓦@ -4.5 V
I
D
最大
-9.6 A
应用
负载开关
笔记本电脑
台式电脑的
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
qJA
吨< 10秒
（注1 ）
功耗
R
qJA
吨< 10秒（注1 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C,
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
-30
±25
-7.3
-5.8
1.44
-5.5
-4.4
0.81
-9.6
-7.7
2.5
-39
-55
+150
-2.1
112.5
W
A
°C
A
mJ
W
A
8
1
W
A
单位
V
V
A
G
P沟道
D
S
标记图
＆放大器;引脚分配
D D D D
8
SOIC-8
CASE 751
12风格
1
S S S摹
4176P
AYWW
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能T
J
= 25 ° C，V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 15 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4176P
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
包
SOIC-8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
T
L
260
°C
NTMS4176PR2G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1英寸平方垫大小， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTMS4176P/D
NTMS4176P
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - t≤10秒（注3 ）
结到脚（漏极）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
最大
87
50
22
154
° C / W
单位
3.表面安装上使用1英寸平方垫大小， 1盎司铜FR4板。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） JK
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压温
漂移系数
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度Coeffi-
cient
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= -10 V
V
GS
= -4.5 V
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏极至源极特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
V
SD
t
RR
T
a
T
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= -2.1 A
V
GS
= 0 V
I
D
= -2.1 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-0.75
0.59
32.4
14
18.4
23
nC
ns
-1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= -10 V, V
DD
= -15 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
15
9.0
19.5
42.5
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
R
G
V
GS
= -10 V, V
DS
= -15 V,
I
D
= -9.6 A,
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -15 V,
I
D
= -9.6 A
1720
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= -24 V
370
256
17
2.0
6.0
8.4
32.6
3.0
4.5
nC
W
nC
pF
I
D
= -9.6 A
I
D
= -7.5 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250
mA
-1.5
6.0
14
23
21.5
18
30
-2.5
V
毫伏/°C的
mW
S
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= -250
mA
-30
29
-1.0
-5.0
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±25
V
V
DS
= -1.5 V，I
D
= -9.6 A
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMS4176P
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
ISSUE AJ
-X-
A
8
5
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
-Y-
G
C
-Z-
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
旋转Z Y
S
J
X
S
焊接足迹*
1.52
0.060
风格12 ：
PIN 1.源
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
7.排水
8.排水
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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