【NTMS4107N功率MOSFET30 V ， 18 A单N沟道， SO- 8特点超低低RDS （】,IC型号NTMS4107NR2,NTMS4107NR2 PDF资料,NTMS4107NR2经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMS4107N

功率MOSFET

30 V ， 18 A单N沟道， SO- 8

特点

超低低R

DS （ ON）

（在4.5 V

GS

），低栅极电阻和低Q

G

优化的低侧同步应用

高速交换能力

应用

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

30 V

R

DS （ ON）

典型值

3.4毫瓦@ 10 V

4.7毫瓦@ 4.5 V

I

D

最大

18 A

笔记本电脑的Vcore应用

网络应用

DC-DC转换器

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（N吨1 ）

C

T（注

稳定

状态

t

v10

s

电源Dissi通报BULLETIN

耗散

（注1 ）

稳定

状态

t

v10

s

连续漏极

当前

rrent （注2 ）

电源Dissi通报BULLETIN

耗散

（注2 ）

漏电流脉冲

稳定

y

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

P

D

T

A

= 25°C

25 C

2.5

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

t

p

= 10

ms

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

I

D

11

8.0

0.93

56

-55

150

3.0

880

W

A

°C

A

mJ

A

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

$20

15

11

18

1.67

W

单位

V

A

D

G

S

标记图/

引脚分配

1

8

1

SO8

CASE 751

12风格

来源

门

4107N

ALYW

（ TOP VIEW ）

8

漏

工作结温和存储温度

连续源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 30 V, V

GS

= 10 V，I

PK

= 42 A,

L = 1 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

T

L

260

°C

4107N

A

L

Y

W

=具体设备守则

=大会地点

=晶圆地段

=年

=工作周

热电阻额定值

等级

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

v

10秒（注1 ）

结 - 环境 - 稳态（注2 ）

符号

R

qJA

R

qJA

R

qJA

最大

75

50

135

单位

° C / W

订购信息

设备

NTMS4107NR2

包

SO8

航运

2500 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装上使用1“平方垫尺寸FR4板

（铜面积= 1.127 “平方[ 1盎司]包括痕迹）。

2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板

（铜面积= 0.412 “平方）。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年3月 - 第1版

出版订单号：

NTMS4107N/D

NTMS4107N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

21

1.0

10

$100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

GS

= 0 V V

DS

= 24 V

V,

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

I

GSS

V

DS

= 0 V, V

GS

=

$20

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

( )

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.0

7.4

2.5

V

毫伏/°C的

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 14 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

4.7

3.4

25

5.5

4.5

mW

正向跨导

g

FS

V

DS

= 15 V，I

D

= 18 A

S

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电阻

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V I

S

= 3 0 A

V,

3.0

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.8

0.6

41

V

GS

= 0 V ，D

IS

/d

t

= 100 A / MS ，

I

S

= 3.0 A

20

21

48

nC

ns

1.1

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 10 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 1.0 A，R

G

= 6.0

W

9.0

10

94

38

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

R

G

V

GS

= 4 5 V V

DS

= 15 V I

D

= 18 A

4.5 V,

V,

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 15 V

,

6000

1030

550

45

6.5

16.3

19.3

0.60

W

nC

pF

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTMS4107N

典型性能曲线

28

I

D,

漏电流（安培）

24

20

16

12

8

4

2.6 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

0

2.8 V

3.2 V

V

GS

= 4 V至10 V

3.0 V

28

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

24

20

16

12

8

4

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

4

3

1

2

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

5

V

DS

≥

10 V

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.008

V

GS

= 10 V

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

T

J

= 125°C

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.008

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

0

2

6

10

14

18

22

26

I

D,

漏电流（安培）

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

0.002

0.001

0

2

6

10

14

18

22

26

I

D,

漏电流（安培）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

2

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

I

D

= 16 A

V

GS

= 12 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1.5

100000

1000000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

1

10000

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

1000

0.5

0

50

100

25

0

25

50

75

100

125

150

0

5

10

15

20

25

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTMS4107N

典型性能曲线

VGS ，栅极至源极电压（伏）

8000

7000

C，电容（pF ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

0

C

RSS

C

OSS

T

J

= 25°C

C

国际空间站

10

8

V

GS

QT

4

Q

GS

2

0

10

I

D

= 16 A

T

J

= 25°C

20

60 70 80

30 40 50

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

90

100

Q

GD

6

0

5

10

15

20

25

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

= 15 V

I

D

= 1 A

V

GS

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

100

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

10

t

r

12

10

8

6

4

2

0

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

0

0.4

0.2

0.6

0.8

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

1

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

1000

ID ，漏极电流（ AMPS ）

100

图10.二极管的正向电压与电流

10

ms

100

ms

1毫秒

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

10毫秒

10

1

0.1

0.01

dc

100

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

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4

NTMS4107N

包装尺寸

SO8

CASE 751-07

ISSUE AE

X

A

8

5

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3，维A和B不包括

模具的突起。

4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）

每边。

5.尺寸D不包括密封条

前伸。允许的dambar

突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL

超过D尺寸的

最大的物质条件。

6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW

标准为751-07 。

MILLIMETERS

民

最大

4.80

5.00

3.80

4.00

1.35

1.75

0.33

0.51

1.27 BSC

0.10

0.25

0.19

0.25

0.40

1.27

0

_

8

_

0.25

0.50

5.80

6.20

英寸

民

最大

0.189

0.197

0.150

0.157

0.053

0.069

0.013

0.020

0.050 BSC

0.004

0.010

0.007

0.010

0.016

0.050

0

_

8

_

0.010

0.020

0.228

0.244

B

1

4

S

0.25 (0.010)

M

Y

M

Y

G

C

Z

H

D

0.25 (0.010)

M

座位

飞机

K

N

X 45

_

0.10 (0.004)

M

J

旋转Z Y

S

X

S

暗淡

A

B

C

D

G

H

J

K

M

N

S

风格12 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

来源

门

漏

焊接足迹

1.52

0.060

7.0

0.275

4.0

0.155

0.6

0.024

1.270

0.050

SCALE 6 ： 1

mm

英寸

http://onsemi.com

5