NTMS3P03R2
最大额定值
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
30
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，峰值I
L
=
7.5
APK ， L = 5 mH的，R
G
= 25
W)
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
T
L
价值
30
±20
171
0.73
2.34
1.87
8.0
100
1.25
3.05
2.44
12
62.5
2.0
3.86
3.1
15
55
+150
140
260
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，T =稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，T =稳定状态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
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2
NTMS3P03R2
功率MOSFET
-3.05安培，伏特-30
P沟道SO- 8
特点
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET具有低RDS（ON ）
小型SO- 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
二极管展品高速软恢复
IDSS指定高温
较高的雪崩能量
安装信息的SO - 8封装提供
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-3.05安培
-30伏
0.085
W
@ VGS = -10 V
P- CHANNEL
D
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，蜂窝&无绳电话
MOSFET的最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ TA = 25℃
连续漏电流@ 25°C
连续漏电流@ 70℃
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 启动TJ = 25°C
（ VDD = -30伏直流， VGS = -4.5伏，峰值
IL = -7.5 APK， L = 5 mH的， RG = 25
)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
VDSS
VGS
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
R
θJA
PD
ID
ID
IDM
TJ ， TSTG
EAS
价值
–30
±20
171
0.73
–2.34
–1.87
–8.0
100
1.25
–3.05
–2.44
–12
62.5
2.0
–3.86
–3.1
–15
-55
+150
140
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
G
S
记号
图
SO–8
CASE 751
13风格
1
E3P03
L
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
8
E3P03
LYWW
引脚分配
北卡罗来纳州
来源
来源
门
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
顶视图
TL
260
°C
订购信息
设备
NTMS3P03R2
包
SO–8
航运
2500 /磁带&卷轴
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，T =稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ， T =稳定状态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年7月 - 第1版
出版订单号：
NTMS3P03R2/D
NTMS3P03R2
电气特性
（ TJ = 25 ° C除非另有说明） （注5 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = -250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = -30伏直流， VGS = 0伏， TJ = 25 ° C）
（ VDS = -30伏直流， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流
（ VGS = -20伏直流， VDS = 0伏）
门体漏电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = -250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
（ VGS = -10伏直流， ID = -3.05 ADC ）
（ VGS = -4.5伏， ID = -1.5 ADC ）
正向跨导（ VDS = -15伏直流， ID = -3.05 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注6 & 7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注6 ）
二极管正向导通电压
反向恢复时间
（ IS = -3.05 ADC ， VGS = 0伏，
3 05广告
Vd
DIS / DT = 100 A / μs）内
反向恢复电荷存储
5.处理措施以防止静电放电是强制性的。
6.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
s
最大值，占空比= 2 ％ 。
7.开关特性是独立的工作结温。
（ IS = -3.05 ADC ， VGS = 0V）
（ IS = -3.05 ADC ， VGS = 0V ， TJ = 125°C ）
VSD
TRR
ta
tb
QRR
–
–
–
–
–
–
–0.96
–0.78
34
18
16
0.03
–1.25
–
–
–
–
–
C
VDC
ns
（ VDS = -24伏直流，
VGS = -10伏直流，
ID = -3.05 ADC ）
3 05 AD）
（ VDD = -24伏直流， ID = -1.5 ADC ，
VGS = -4.5伏，
-4 5 VDC
RG = 6.0
)
（ VDD = -24伏直流， ID = -3.05 ADC ，
VGS = -10伏直流，
VDC
RG = 6.0
)
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qtot
QGS
QGD
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
12
16
45
45
16
42
32
35
16
2.0
4.5
22
30
80
80
–
–
–
–
25
–
–
nC
ns
ns
（ VDS = -24 Vd的VGS = 0 Vd的
24伏直流电，
VDC ，
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
–
–
–
520
170
70
750
325
135
pF
VGS （ TH）
–1.0
–
RDS （ ON）
–
–
政府飞行服务队
–
0.063
0.090
5.0
0.085
0.115
–
姆欧
–1.7
3.6
–2.5
–
VDC
V（ BR ） DSS
–30
–
IDSS
–
–
IGSS
–
IGSS
–
–
100
–
–100
NADC
–
–
–1.0
–10
NADC
–
–30
–
–
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
