NTMFS5844NL,
NVMFS5844NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 61 A， 12毫瓦，单N通道
小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低Q
G
和电容，以最大限度地减少驱动器损耗
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
12毫瓦@ 10 V
16毫瓦@ 4.5 V
D (5)
I
D
最大
61 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 ， 3 ，
4)
功耗
R
qJA
（注1 & 3 ）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
"20
61
43
107
54
11.2
8.0
3.7
1.8
247
80
55
to
175
60
48
A
A
°C
A
mJ
1
单位
V
V
A
G (4)
W
A
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
W
S
S
S
G
记号
图
D
D
5844NL
AYWZZ
D
D
DFN5
(SO8FL)
CASE 488AA
风格1
A
Y
W
ZZ
通过封装电流限制
（注4 ）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 31 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NTMFS5844NLT1G
NVMFS5844NLT1G
NVMFS5844NLT3G
包
航运
热阻最大额定值
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2,3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
1.4
41
单位
° C / W
DFN5
1500 /磁带&卷轴
（无铅）
DFN5
1500 /磁带&卷轴
（无铅）
DFN5
5000 /磁带&卷轴
（无铅）
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.一种用于脉冲的最大电流，只要1秒较高，但取决于
关于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
2013年3月
第4版
1
出版订单号：
NTMFS5844NL/D
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GP
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 10 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V,
I
D
= 10 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 48 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
高原电压
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10 A
0.79
0.65
19
13
6.0
15
nC
ns
1.2
V
12
25
20
10
ns
1460
150
96
30
15
1.0
4.0
8.0
3.0
0.62
V
W
nC
pF
I
D
= 10 A
I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
60
57
1
100
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
6.2
10.2
13
27
2.3
V
毫伏/°C的
12
16
mW
S
V
DS
= 5 V，I
D
= 10 A
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
80
70
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
10 V
80
4.0 V
3.8 V
3.6 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
1
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
3
T
J
=
55°C
4
5
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.016
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.014
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
0.010
2
4
6
8
10
12
0.008
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
DSS
，漏电（ NA）
2
10,000
100,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1.5
1,000
1
T
J
= 125°C
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
1800
1600
C，电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
OSS
C
RSS
10
20
30
40
50
60
漏极至源极电压（V ）
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
8
6
4
Q
gs
2
0
Q
T
Q
gd
V
DS
= 48 V
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
40
I
S
，源电流（ A）
1000
V
DD
= 48 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V
100
T， TIME （ NS ）
t
f
t
D（上）
t
D（关闭）
30
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
r
10
20
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
， DRAISN电压（ V）
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
，漏电流（ A）
100
10
ms
10
dc
0.1
100
25
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
R
qJA （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
100
占空比= 0.5
10
0.2
0.1
1
0.05
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.000001
脉冲时间（秒）
图13.热响应
http://onsemi.com
5
NTMFS5844NL,
NVMFS5844NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 61 A， 12毫瓦，单N通道
小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低Q
G
和电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NVMFS前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些无铅器件
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 ， 3 ，
4)
功耗
R
qJA
（注1 & 3 ）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
"20
61
43
107
54
11.2
8.0
3.7
1.8
247
80
55
to
175
60
48
A
A
°C
A
mJ
W
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
12毫瓦@ 10 V
16毫瓦@ 4.5 V
D (5)
I
D
最大
61 A
单位
V
V
A
G (4)
W
A
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
记号
图
D
DFN5
(SO8FL)
CASE 488AA
风格1
A
Y
W
ZZ
S
S
S
G
5844NL
AYWZZ
D
D
通过封装电流限制
（注4 ）
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 31 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NTMFS5844NLT1G
NVMFS5844NLT1G
NVMFS5844NLT3G
包
航运
热阻最大额定值
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2,3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
1.4
41
单位
° C / W
DFN5
1500 /磁带&卷轴
（无铅）
DFN5
1500 /磁带&卷轴
（无铅）
DFN5
5000 /磁带&卷轴
（无铅）
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.一种用于脉冲的最大电流，只要1秒较高，但取决于
关于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年6月，
第3版
1
出版订单号：
NTMFS5844NL/D
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GP
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 10 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V,
I
D
= 10 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 48 V ;我
D
= 10 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 25 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
高原电压
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10 A
0.79
0.65
19
13
6.0
15
nC
ns
1.2
V
12
25
20
10
ns
1460
150
96
30
15
1.0
4.0
8.0
3.0
0.62
V
W
nC
pF
I
D
= 10 A
I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
60
57
1
100
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
6.2
10.2
13
27
2.3
V
毫伏/°C的
12
16
mW
S
V
DS
= 5 V，I
D
= 10 A
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
80
70
I
D
，漏电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
10 V
80
4.0 V
3.8 V
3.6 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
70
60
50
40
30
20
10
0
1
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
3
T
J
=
55°C
4
5
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 5 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.016
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.014
V
GS
= 4.5 V
0.012
V
GS
= 10 V
0.010
2
4
6
8
10
12
0.008
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
I
DSS
，漏电（ NA）
2
10,000
100,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1.5
1,000
1
T
J
= 125°C
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
1800
1600
C，电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
OSS
C
RSS
10
20
30
40
50
60
漏极至源极电压（V ）
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
8
6
4
Q
gs
2
0
Q
T
Q
gd
V
DS
= 48 V
I
D
= 10 A
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
40
I
S
，源电流（ A）
1000
V
DD
= 48 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V
100
T， TIME （ NS ）
t
f
t
D（上）
t
D（关闭）
30
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
r
10
20
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1毫秒
10毫秒
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
， DRAISN电压（ V）
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
，漏电流（ A）
100
10
ms
10
dc
0.1
100
25
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTMFS5844NL ， NVMFS5844NL
典型特征
R
qJA （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
100
占空比= 0.5
10
0.2
0.1
1
0.05
0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.000001
脉冲时间（秒）
图13.热响应
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
