【NTMFS4C09N功率MOSFET特点30 V ， 52 A单N沟道， SO- 8 FL低RDS 】,IC型号NTMFS4C09N,NTMFS4C09N PDF资料,NTMFS4C09N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTMFS4C09N

功率MOSFET

特点

30 V ， 52 A单N沟道， SO- 8 FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些器件是无铅和符合RoHS标准

V

（ BR ） DSS

30 V

价值

30

±20

16.4

12.3

P

D

I

D

P

D

I

D

P

D

I

D

P

D

I

DM

I

DMAX

T

J

,

T

英镑

I

S

的dV / D

t

E

AS

2.51

25.3

19.0

6.0

9.0

6.8

0.76

52

39

25.5

146

80

55

to

+150

23

7.0

42

W

A

A

°C

A

V / ns的

mJ

A

Y

W

ZZ

W

A

W

A

1

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

最大

5.8毫瓦@ 10 V

8.5毫瓦@ 4.5 V

D (58)

I

D

最大

52 A

应用

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

R

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

≤

10 s

（注1 ）

功耗

R

qJA

≤

10秒（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

R

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 80°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 80°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 80°C

T

A

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

=80°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25 ° C，T

p

= 10

ms

T

A

= 25°C

符号

V

DSS

V

GS

I

D

单位

V

V

A

W

A

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

记号

图

D

S

S

S

G

D

4C09N

AYWZZ

D

D

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

=大会地点

=年

=工作周

=地段Traceabililty

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

订购信息

设备

NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT3G

包

SO- 8 FL

（无铅）

SO- 8 FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

J

= 25 ° C，V

GS

= 10 V，I

L

= 29 A

pk

,

L = 0.1 mH的，R

GS

= 25

W)

（注3）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

3.零件都100 ％在T测试

J

= 25 ° C，V

GS

= 10 V，I

L

= 20 A

pk

， EAS = 20兆焦耳。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

十一月， 2013

第2版

1

出版订单号：

NTMFS4C09N/D

NTMFS4C09N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

结 - 环境 - 稳态（注5 ）

结至环境 - （叔

≤

10秒）（注4 ）

4.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

5.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

R

QJC

R

qJA

R

qJA

R

qJA

价值

4.9

49.8

164.6

21.0

° C / W

单位

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

（瞬态）

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSST

V

（ BR ） DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

g

FS

R

G

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

RSS

/C

国际空间站

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GP

Q

G（ TOT ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 15 A，R

G

= 3.0

W

V

GS

= 10 V, V

DS

= 15 V ;我

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V ;我

D

= 30 A

V

GS

= 0 V, V

DS

= 15 V ， F = 1兆赫

V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫，V

DS

= 15 V

V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

正向跨导

栅极电阻

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

电容比

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电压平台

总栅极电荷

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

10

32

16

6.0

ns

1252

610

126

0.101

10.9

1.9

3.4

5.4

3.1

22.2

V

nC

nC

pF

T

A

= 25°C

I

D

= 30 A

I

D

= 18 A

0.3

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 24 V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

V

GS

= 0 V，I

D（ AVAL ）

= 8.4 A,

T

例

= 25 ° C，T

短暂

= 100纳秒

30

34

14.4

1.0

10

±100

V

V

毫伏/°C的

mA

nA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注6 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.3

4.8

4.6

6.8

50

1.0

2.1

V

毫伏/°C的

5.8

8.5

mW

S

V

DS

= 1.5 V，I

D

= 15 A

2.0

W

6.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTMFS4C09N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注7 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

I

S

= 30 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 10 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.79

0.65

31

15

16

15

nC

ns

1.1

V

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 10 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 15 A，R

G

= 3.0

W

7.0

28

20

4.0

ns

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

6.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

7.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

3

NTMFS4C09N

典型特征

100

90

I

D

，漏电流（ A）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

1

2

3

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

V

GS

= 2.6 V

4

5

100

90

I

D

，漏电流（ A）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

0.5 1.0 1.5 2.0

T

J

=

55°C

2.5 3.0

3.5 4.0

4.5 5.0 5.5

V

DS

= 5 V

4.5 V至10 V

T

J

= 25°C

4.0 V

3.8 V

3.6 V

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.026

0.024

0.022

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

0.004

0.002

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

图2.传输特性

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 10 V

3

4

5

6

7

8

9

10

10

20

30

40

50

60

70

V

GS

，栅极电压（V ）

I

D

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

1.7

R

DS （ ON）

归一化漏 -

源电阻（ W）

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

50

V

GS

= 10 V

I

D

= 30 A

1600

1400

C，电容（pF ）

1200

1000

800

600

400

200

25

0

25

50

75

100

125

150

0

0

5

C

RSS

10

15

20

C

OSS

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

25

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

http://onsemi.com

4

图6.电容变化

NTMFS4C09N

典型特征

10

Q

T

8

6

4

2

0

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 10 V

V

DD

= 15 V

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

0

2

4

6

8

10 12 14

16

18

20

22 24

T， TIME （ NS ）

100

1000

V

GS

= 10 V

V

DD

= 15 V

I

D

= 15 A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

t

D（关闭）

t

f

t

r

10

t

D（上）

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

20

18

I

S

，源电流（ A）

16

14

12

10

8

6

4

2

0

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

I

D

，漏电流（ A）

100

10

1

0.1

0.01

1000

图8.电阻开关时间变化

与栅极电阻

0 V＆ LT ; V

GS

＆ LT ; 10 V

10

ms

100

ms

1毫秒

10毫秒

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.01

0.1

1

10

dc

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图9.二极管的正向电压与电流

图10.最大额定正向偏置

安全工作区

E

AS

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

20

18

16

14

G

FS

(S)

12

10

8

6

4

2

0

I

D

= 20 A

80

70

60

50

40

30

20

10

25

50

75

100

125

150

0

0

5

10

15

20

25

I

D

(A)

30

35

40

45

50

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

5

图12.摹

FS

与我

D

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NTMFS4C09N

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-

-

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NTMFS4C09N

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市富乐亚科技有限公司

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电话：0755-18503085056

联系人：郑小姐

地址：深圳市龙华新区民治丰泽湖山庄15栋

NTMFS4C09N

ON

20+

8000

QFN8

全新原装正品，详询18503085056/VX同号

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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2443+

23000

QFN8

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联系人：张女士

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SO-8FL / DFN-5

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联系人：业务员

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汽车ON

21+

15000

SO-8FL / DFN-5

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

NTMFS4C09N

ON/安森美

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32570

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

NTMFS4C09N

MOSFET

21+

10000

SO-8FL / DFN-5

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上海如美电子科技有限公司

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电话：021-51097965

联系人：杨全兴

地址：松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19

NTMFS4C09N

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