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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第319页 > NTMFS4983NF
NTMFS4983NF
功率MOSFET
特点
30 V ， 106 A单N沟道， SO- 8 FL
集成肖特基二极管
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅和符合RoHS标准
CPU电源交付
同步整流DC- DC转换器
低端开关
电信二次侧整流
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
30
22
3.13
48
34
7.7
22
16
1.7
106
76
38
320
100
55
to
+150
54
6
101
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
2.1毫瓦@ 10 V
3.1毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
106 A
应用
N沟道MOSFET
D
单位
V
V
A
G
(4)
S
W
A
S
S
S
G
(1, 2, 3)
(5, 6)
记号
图
D
4983NF
AYWZZ
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
A
Y
W
ZZ
D
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
订购信息
设备
NTMFS4983NFT1G
NTMFS4983NFT3G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V，I
L
= 45 A
pk
,
L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
， 2012年7月
第2版
1
出版订单号：
NTMFS4983NF/D
NTMFS4983NF
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境
t
v
10秒
1.表面安装上使用1平方项垫， 2盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4板采用100毫米的最小推荐焊盘尺寸
2
.
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
3.3
40
74
16.3
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
13.5
24.9
28.7
10.7
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 15 V
3250
1340
90
22.6
2.9
7.0
6.9
47.9
nC
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 15 A
1.2
1.7
5.0
1.6
1.6
2.5
2.5
60
S
3.1
2.1
mW
2.3
V
毫伏/°C的
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
30
15
500
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4983NF
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 2 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.4
0.32
45
23
22
50
nC
ns
0.7
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
9.4
16.7
35.2
7.4
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.65
0.20
1.5
1.0
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4983NF
典型性能曲线
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
200
3.6 V
V
GS
= 3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2.4 V
0
1
2
3
4
5
I
D
，漏电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
T
J
= 125°C
V
DS
= 5 V
4.0 V
4.2 V
I
D
，漏电流（ A）
4.4 V至4.5 V
7.5 V至10 V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
2.0E02
1.8E02
1.4E02
1.6E02
1.2E02
1.0E02
8.0E02
6.0E02
4.0E02
2.0E02
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
3.0E03
图2.传输特性
2.8E - 03牛逼
J
= 25°C
2.6E03
2.4E03
2.2E03
2.0E03
1.8E03
1.6E03
1.4E03
1.2E03
5
20
35
50
65
80
95
110 125 140 155
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
0.0E+00
2.0
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
1.7
I
D
= 20 A
1.6
V
GS
= 10 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
50 25
0
1.00E01
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ A）
1.00E02
T
J
= 125°C
1.00E03
1.00E04
T
J
= 25°C
25
50
75
100
125
150
1.00E05
0
5
10
15
20
25
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTMFS4983NF
典型性能曲线
4000
V
GS
，栅极至源极电压
(V)
3600
C，电容（pF ）
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
Q
gs
Q
gd
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
V
DD
= 15 V
V
GS
= 10 V
Q
T
30
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 15 V
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
10
t
D（上）
t
D（关闭）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.0
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.01
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
0.1
1
10
0 V＆ LT ; V
GS
< 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 45 A
I
D
，漏电流（ A）
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
5
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NTE7432
NGZ50-2M
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NPH15S2412EIC
N43100W1EN1S
NTD5807NG
NCP1444FR4
NTS353
NOMCT16031003DT1
NTE1813
NM27C010VE90
NAND512R4A2AZA1
NRU105K25
NM93C06VN
NJU7200U33
NHS068T3-000-BS1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    NTMFS4983NF
    -
    -
    -
    -
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