NTMFS4899NF
功率MOSFET
特点
30 V ， 75 A单N沟道， SO- 8 FL
集成肖特基二极管
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
5.0毫瓦@ 10 V
7.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
75 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
N沟道MOSFET
D
单位
V
V
A
G
S
30
±20
17.8
12.9
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
2.70
29.1
21
7.18
10.4
7.5
0.92
75
54
48
188
90
55
to
+150
46
6
84
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
NTMFS4899NFT3G
W
A
W
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
W
A
记号
图
D
S
S
S
G
4899NF
AYWWG
G
D
D
A
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTMFS4899NFT1G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 41 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
出版订单号：
NTMFS4899NF/D
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年3月
第0版
1
NTMFS4899NF
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境
t
v
10秒
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
2.6
46.3
136.2
17.4
° C / W
单位
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装上使用最小推荐焊盘尺寸FR4电路板（50毫米
2
， 1盎司铜） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
12.6
20.3
20
4.2
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
1600
360
165
12.2
1.6
4.6
4.6
25
nC
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 15 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
1.5
10
3.9
3.8
6.0
5.8
57
S
7.5
5.0
mW
2.5
V
毫伏/°C的
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 1.0毫安
30
27
500
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
