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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第356页 > NTMFS4849NT3G
NTMFS4849N
功率MOSFET
特点
30 V ， 71 A单N沟道， SO- 8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
耐热增强型SO8封装
这些无铅器件*
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
高侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±16
16.1
11.6
2.17
26.0
18.8
5.7
10.2
7.3
0.87
71
51
42.4
142
100
55
to
+150
42
6
109
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
NTMFS4849NT3G
W
A
W
A
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
5.1毫瓦@ 10 V
7.9毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
71 A
应用
D (5,6)
单位
V
V
A
S (1,2,3)
W
A
N沟道MOSFET
G (4)
记号
图
D
S
S
S
G
4849N
AYWWG
G
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
订购信息
设备
NTMFS4849NT1G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 27 A
pk
， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
第2版
1
出版订单号：
NTMFS4849N/D
NTMFS4849N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境
t
v
10秒
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
2.95
57.6
143.3
21.95
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V至
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
W
15.6
45.1
18.2
5.7
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
2040
361
181
15
2.2
5.7
5.1
34.6
nC
22
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
25.2
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±16
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.45
1.9
5.0
3.9
3.9
6.2
6.1
62
2.5
V
毫伏/°C的
5.1
mW
7.9
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4849N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.84
0.7
12.5
8.3
4.2
3.0
nC
ns
1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
9.4
19.4
25.3
4.4
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
0.9
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
典型特征
130
10 V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= 4.2 V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25°C
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
≥
10 V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.传输特性
http://onsemi.com
3
NTMFS4849N
典型特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
ID = 30 A
T
J
= 25°C
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
V
GS
= 11.5 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15 20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.75
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
50
10
ID = 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2500
2250
C，电容（pF ）
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
C
OSS
C
RSS
5
10
15
20
25
T
J
= 25°C
C
国际空间站
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q
gs
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
QT
V
DS
V
GS
16
14
12
10
8
Q
gd
ID = 30 A
T
J
= 25°C
6
4
2
35
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
http://onsemi.com
4
NTMFS4849N
典型特征
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DS
= 15 V
ID = 15 A
V
GS
= 11.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
r
10
t
D（上）
t
f
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
1000
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
120
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 27一
100
80
60
40
20
0
I
D
，漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
10
1
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
120
100
80
g
FS
(S)
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60 70
80
V
DS
= 1.5 V
90 100 110 120
0.1
0.1
I
d
(A)
10
100
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
125°C
100°C
25°C
1
1
10
100
1000
10,000
漏电流（ A）
脉冲宽度（ ms）的
图13.克
FS
与漏电流
图14.雪崩特性
http://onsemi.com
5
NTMFS4849N
功率MOSFET
特点
30 V ， 71 A单N沟道， SO- 8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
耐热增强型SO8封装
这些无铅器件*
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
高侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±16
16.1
11.6
2.17
26.0
18.8
5.7
10.2
7.3
0.87
71
51
42.4
142
100
55
to
+150
42
6
109
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
NTMFS4849NT3G
W
A
W
A
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
5.1毫瓦@ 10 V
7.9毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
71 A
应用
D (5,6)
单位
V
V
A
S (1,2,3)
W
A
N沟道MOSFET
G (4)
记号
图
D
S
S
S
G
4849N
AYWWG
G
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
订购信息
设备
NTMFS4849NT1G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 27 A
pk
， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
第2版
1
出版订单号：
NTMFS4849N/D
NTMFS4849N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境
t
v
10秒
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
2.95
57.6
143.3
21.95
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V至
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
W
15.6
45.1
18.2
5.7
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
2040
361
181
15
2.2
5.7
5.1
34.6
nC
22
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
25.2
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±16
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.45
1.9
5.0
3.9
3.9
6.2
6.1
62
2.5
V
毫伏/°C的
5.1
mW
7.9
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTMFS4849N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.84
0.7
12.5
8.3
4.2
3.0
nC
ns
1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
9.4
19.4
25.3
4.4
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
0.9
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
典型特征
130
10 V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
GS
= 4.2 V
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25°C
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
≥
10 V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.传输特性
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3
NTMFS4849N
典型特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
ID = 30 A
T
J
= 25°C
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
V
GS
= 11.5 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15 20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.75
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
50
10
ID = 30 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
2500
2250
C，电容（pF ）
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
C
OSS
C
RSS
5
10
15
20
25
T
J
= 25°C
C
国际空间站
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q
gs
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
QT
V
DS
V
GS
16
14
12
10
8
Q
gd
ID = 30 A
T
J
= 25°C
6
4
2
35
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
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4
NTMFS4849N
典型特征
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DS
= 15 V
ID = 15 A
V
GS
= 11.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
D（关闭）
t
r
10
t
D（上）
t
f
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
1000
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
120
图10.二极管的正向电压与电流
ID = 27一
100
80
60
40
20
0
I
D
，漏电流（ A）
100
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
dc
10
1
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
120
100
80
g
FS
(S)
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60 70
80
V
DS
= 1.5 V
90 100 110 120
0.1
0.1
I
d
(A)
10
100
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
125°C
100°C
25°C
1
1
10
100
1000
10,000
漏电流（ A）
脉冲宽度（ ms）的
图13.克
FS
与漏电流
图14.雪崩特性
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