NTMFS4845N
功率MOSFET
特点
30 V ， 115 A单N沟道， SO- 8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
耐热增强型SO- 8封装
这些无铅器件*
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±16
22
15.8
2.27
35.5
25.6
5.95
13.7
9.9
0.89
115
83
62.5
230
100
55
to
+150
62
6
228
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
NTMFS4845NT3G
W
A
W
A
1
http://onsemi.com
应用
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
2.9毫瓦@ 10 V
4.4毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
115 A
D (5,6)
单位
V
V
A
S (1,2,3)
W
A
N沟道MOSFET
G (4)
记号
图
D
S
S
S
G
4845N
AYWWG
G
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
订购信息
设备
NTMFS4845NT1G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 39 A
pk
， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
第2版
1
出版订单号：
NTMFS4845N/D
NTMFS4845N
典型特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
ID = 30 A
T
J
= 25°C
0.006
T
J
= 25°C
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
10
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 11.5 V
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.7
1.6
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
100
ID = 30 A
V
GS
= 10 V
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
4500
4000
C，电容（pF ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
C
OSS
C
RSS
4
8
12
16
20
24
28
32
C
国际空间站
T
J
= 25°C
12
10
8
6
4
2
0
Q
gs
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
QT
V
DS
V
GS
16
14
12
10
8
Q
gd
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0
5
6
4
2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
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4
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