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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第115页 > NTMFS4841NT3G
NTMFS4841N
功率MOSFET
特点
30 V ， 57 A单N沟道， SO- 8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件*
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
7.0毫瓦@ 10 V
11.4毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
57 A
应用
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1）稳定
状态
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
T = 10秒
功耗
R
qJA ，
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
A
= 25°C
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
13.1
9.5
2.17
1.13
19.9
14.4
5
2.6
8.3
6
0.87
0.45
57
41
41.7
21.7
171
55
to
+150
35
6
180
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
W
A
W
单位
V
V
A
D (5,6)
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
记号
图
D
1
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
4841N
AYWWG
G
D
D
D
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTMFS4841NT1G
NTMFS4841NT3G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 19 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载开启
安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
启示录7
1
出版订单号：
NTMFS4841N/D
NTMFS4841N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境
T = 10秒
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
3
57.7
143.4
25
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V至
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
W
13.5
66.5
15.5
7.5
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
1436
348
177
11.5
2.0
5.0
5.1
25.4
nC
17
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
25
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.6
4.7
4.6
9.2
8.5
16
2.5
V
毫伏/°C的
7.0
mW
11.4
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4841N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.9
0.8
20.5
11.6
8.9
10.7
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
8.1
24.2
22.8
5.7
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
3.2
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4841N
典型性能曲线
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
GS
= 5 V
4.5 V
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
0
1
2
3
4
5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
5.5 V至10 V
T
J
= 25°C
V
DS
= 10 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.017
图2.传输特性
0.018
0.017
0.016
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
0.014
V
GS
= 4.5 V
0.011
0.008
V
GS
= 11.5 V
0.005
0.002
3
4
5
6
7
8
9
10
11
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
55 35 15
10000
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
1000
I
DSS
，漏电（ NA）
100
10
1
0.1
5
25
45
65
85
105 125 145
5
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTMFS4841N
典型性能曲线
2200
2000
C，电容（pF ）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
10
C
RSS
5
0
5
V
GS
V
DS
10
15
20
25
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
T
J
= 25°C
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 15 V
V
GS
= 11.5 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
C
国际空间站
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
Q
T
图7.电容变化
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
IS ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
25
20
15
10
5
0
0.5
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
f
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
1.0
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
I D ，漏极电流（ AMPS ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 19 A
100
10
ms
100
ms
1毫秒
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
10毫秒
dc
100
1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
5
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NMA1215DC
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NJM79L00A
NLSF302
NCC5003DGP
NLAS5123MUR2G
NX8501AG-BA
NX8562LF358-BA
N6L25TON224
NCP562SQ15T1
NRLFW102M50V30x20F
NM1621E35
NJG1507R
NTE3046
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NMF4805S
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