添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第353页 > NTMFS4841NHT3G
NTMFS4841NH
功率MOSFET
特点
30 V ， 59 A单N沟道， SO- 8FL
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
低R
G
这些无铅器件*
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
7.0毫瓦@ 10 V
11.6毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
I
D
最大
59 A
应用
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
v10
s
功耗
R
qJA
v10
s
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=
10
ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
A
= 25°C
对称
BOL
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
13.5
9.7
2.16
1.1
21.8
15.7
5.7
2.9
8.6
6.2
0.87
0.45
59
42.5
41.7
21.7
177
55
to
+150
35
6
98
P
D
I
D
W
A
1
记号
图
D
S
S
S
G
4841NH
AYWWG
G
D
D
P
D
I
D
W
A
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
P
D
I
D
W
A
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
W
A
°C
订购信息
设备
NTMFS4841NHT1G
NTMFS4841NHT3G
包
SO8FL
（无铅）
SO8FL
（无铅）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V，I
L
= 25.6 A,
L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
V / ns的
mJ
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
T
L
260
°C
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接和安装技
niques参考手册， SOLDERRM / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月
第4版
1
出版订单号：
NTMFS4841NH/D
NTMFS4841NH
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到环境（ TV10 S）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
3
57.8
143.5
22.1
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V至
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
W
12.1
23.3
14.1
4.9
7.2
20.6
21.9
2.9
18.1
34.9
21.1
7.3
10.7
30.9
32.9
4.4
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
1565
325
173
11.3
1.4
5.3
4.5
24.4
2113
439
268
16.7
2.1
7.9
6.8
33
nC
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
28
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
2.1
5.6
4.8
4.8
8.8
8.5
57
2.5
V
毫伏/°C的
7.0
mW
11.6
S
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4841NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.86
0.71
18.8
11.4
7.4
6.7
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
0.90
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4841NH
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4.8 V
5.0 V
7.0 V
10 V
4.6 V
4.4 V
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
V
GS
= 3.2 V
0
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
1
6
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
I
D
，漏电流（ A）
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
T
C
=
55°C
3
4
5
6
7
2
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
10
11
0.012
0.0115 T = 25℃
J
0.011
0.0105
0.01
0.0095
V
GS
= 4.5 V
0.009
0.0085
0.008
0.0075
0.007
0.0065
0.006
0.0055
V
GS
= 11.5 V
0.005
0.0045
0.004
0.0035
0.003
0.0025
0.002
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.7
1.6 I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
1.5
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
55 35 15
5
25
45
65
85
105
145
0.1
I
DSS
，漏电（ NA）
1.4
10000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
1000
100
10
1
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTMFS4841NH
V
GS ，
栅 - 源电压（V）的
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12
T
J
= 25°C
C
国际空间站
10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
0
2
4
6
8
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 15 V
V
GS
= 0 V
11.5 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
10 12 14 16 18 20 22 24
Q
T
C，电容（pF ）
C
OSS
C
RSS
15
10
5
0
5
V
GS
V
DS
10
15
20
25
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
100
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
T， TIME （ NS ）
t
r
10
t
D（上）
t
f
1
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压和总栅极电荷
30
25
20
15
10
5
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
t
D（关闭）
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
I
S
，源电流（ A）
图10.二极管的正向电压与
当前
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
I
D
= 25.6 A
100
100
ms
10
1毫秒
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
10毫秒
dc
100
1
150
175
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
http://onsemi.com
5
查看更多NTMFS4841NHT3GPDF信息
推荐型号
NLW100-12
NMA0509M
NRU473M10
NE64500
NLSX5012
NLP150H-9614
N74F374DB-T
NTE5231AK
NDXD0512C
NUF4401MNT1G
N010-0510-T211
NX8560LJ486-CC
NJG1553BF-L6
NBSG14BAEVB
NM24C65M8
NCP300HSN27T1G
NRG4026T1R2N
NX8566LE929-BC
NON-250
NCP15XW223
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTMFS4841NHT3G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制 点击这里给我发消息 QQ：867789136 复制 点击这里给我发消息 QQ：974337758 复制 点击这里给我发消息 QQ：714489856 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
NTMFS4841NHT3G
ON
25+
3250
SO8FL/DFN6
全新原装正品特价售销！
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
NTMFS4841NHT3G
ON
2025+
26820
5-DFN
【原装优势★★★绝对有货】
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTMFS4841NHT3G
onsemi
24+
10000
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
原厂一级代理，原装现货
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：864187665 复制 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制
电话：0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人：何
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
NTMFS4841NHT3G
ON/安森美
24+
66000
SO-8
十五年专营 金牌供应商
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTMFS4841NHT3G
ON
21+
6550
SO-8
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
NTMFS4841NHT3G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9256
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTMFS4841NHT3G
onsemi
24+
19000
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
全新原装现货，原厂代理。
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTMFS4841NHT3G
ON Semiconductor
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
NTMFS4841NHT3G
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10276
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
NTMFS4841NHT3G
ON Semiconductor
㊣10/11+
8939
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多NTMFS4841NHT3G供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！