【NTMFS4839NH功率MOSFET特点30 V ， 64 A单N沟道， SO- 8FL低RDS 】,IC型号NTMFS4839NHT3G,NTMFS4839NHT3G PDF资料,NTMFS4839NHT3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4839NH

功率MOSFET

特点

30 V ， 64 A单N沟道， SO- 8FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

低R

这些无铅器件*

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

30 V

DS （ ON）

最大

5.5毫瓦@ 10 V

10.3毫瓦@ 4.5 V

64 A

最大

应用

请参考应用笔记AND8195 / D

CPU电源交付

DC-DC转换器

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

TV10秒

功耗

qJA

TV10秒

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

稳定

状态

符号

DSS

英镑

dv / dt的

EAS

价值

±20

2.17

1.13

5.7

2.9

9.5

7.0

0.87

0.45

42.4

192

+150

109

单位

D (5,6)

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 25°C,

= 10

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

记号

图

4839NH

AYWWG

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

°C

V / ns的

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（T

= 25 ° C，V

= 24 V, V

= 10 V,

= 27 A，L = 0.3 mH的，R

= 25

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

NTMFS4839NHT1G

NTMFS4839NHT3G

包

SO8FL

（无铅）

SO8FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年5月

第4版

出版订单号：

NTMFS4839NH/D

NTMFS4839NH

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

结到环境（ TV10秒）

3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

QJC

qJA

价值

2.95

57.6

143.3

° C / W

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

= 10 V至

11.5 V

= 4.5 V

正向跨导

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

= 11.5 V, V

= 15 V;

= 30 A

= 4.5 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 0 V ， F = 1兆赫，V

= 12 V

= 30 A

= 15 A

= 30 A

= 15 A

= 1.5 V，I

= 50 A

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V，I

= 15 A,

= 3.0

13.4

22.5

5.3

33.7

7.9

1744

355

191

12.9

2.2

5.2

5.4

2354

479

296

19.5

3.3

7.8

8.0

43.5

= 0 V,

= 24 V

= 25

°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

27.5

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.5

2.1

5.5

4.3

8.2

7.8

2.5

毫伏/°C的

5.5

10.3

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTMFS4839NH

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 25°C

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 0 V,

= 30 A

= 25°C

= 125°C

0.83

0.73

19.3

10.1

9.2

6.3

1.2

D（上）

D（关闭）

= 11.5 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

8.1

19.6

23.2

3.4

12.2

29.4

34.9

5.1

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感

排水电感

门电感

栅极电阻

0.93

0.005

1.84

0.9

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTMFS4839NH

4.6 V

4.8 V

5.0 V

7.0 V

10 V

4.4 V

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

3.4 V

= 3.2 V

，漏极至源极电压（ V）

= 25°C

，漏电流（ A）

= 125°C

= 25°C

，漏电流（ A）

55°C

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.02

0.019

0.018

0.017

0.016

0.015

0.014

0.013

0.012

0.011

0.01

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

3.0

= 30 A

= 25°C

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

0.012

0.0115

0.011

0.0105

0.01

0.0095

0.009

0.0085

0.008

0.0075

0.007

0.0065

0.006

0.0055

0.005

0.0045

0.004

0.0035

0.003

0.0025

0.002

0.0015

0.001

= 4.5 V

= 11.5 V

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

55 35 15

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10000

1000

100

0.1

= 0 V

= 150°C

= 125°C

= 25°C

105 125 145

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMFS4839NH

2400

2200

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

GS ，

栅 - 源电压（V）的

= 25°C

国际空间站

10.5

7.5

4.5

1.5

= 15 V

= 0 V

11.5 V

= 30 A

= 25°C

10 12 14 16 18 20 22 24 26 28

，总栅极电荷（ NC）

C，电容（pF ）

OSS

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

图7.电容变化

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压和总栅极电荷

100

= 15 V

= 15 A

= 11.5 V

T， TIME （ NS ）

D（上）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，源极到漏极电压（V ）

1.0

= 0 V

= 25°C

D（关闭）

，栅极电阻（ W）

100

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

，源电流（ A）

图10.二极管的正向电压与

当前

，漏电流（ A）

= 20 V

单脉冲

= 25°C

EAS ，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

1000

110

100

125

= 27 A

100

1毫秒

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

10毫秒

100

150

175

，漏极至源极电压（ V）

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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