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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第498页 > NTMFS4837NHT3G
NTMFS4837NH
功率MOSFET
特点
30 V , 75 A单N沟道, SO- 8FL
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
低R
G
这些无铅器件*
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
5.0毫瓦@ 10 V
8.0毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
75 A
I
D
最大
应用
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器和低侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
v10
s
功耗
R
qJA
v10
s
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
脉冲漏
当前
t
p
=10
ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
A
= 25°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
价值
30
±20
16
11.5
2.2
1.15
26
18.8
5.8
3
10.2
7.3
0.88
0.46
75
54
48
25
225
55
to
+150
40
6
144
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
W
A
1
记号
D
S
S
S
G
4837NH
AYWWG
G
D
D
W
A
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
A
Y
WW
G
D
W
A
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
W
A
°C
A
V / ns的
mJ
NTMFS4837NHT3G
订购信息
设备
NTMFS4837NHT1G
SO8FL
(无铅)
SO8FL
(无铅)
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,I
L
= 31 A,
L = 0.3 mH的,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略和其他信息
焊接细节,请下载ON Semicon-
导体焊接与安装技术参考
手动, SOLDERRM / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1,表面安装用1平方式衬垫, 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年5月
第4版
1
出版订单号:
NTMFS4837NH/D
NTMFS4837NH
热阻最大额定值
参数
结至外壳(漏)
结 - 环境 - 稳态(注3 )
结 - 环境 - 稳态(注4 )
结到环境( TV10 S)
3.表面装上用1平方项垫, 1盎司铜FR4板。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
2.6
56.6
142
21.6
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V至
11.5 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 15 A,
R
G
= 3.0
W
15.2
27.5
18.3
7.1
22.8
41.3
27.5
10.6
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
Q
G( TOT )
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫,V
DS
= 12 V
2234
450
243
15.9
2.8
6.4
6.6
34.4
3016
608
375
23.8
4.3
9.5
9.8
53
nC
nC
pF
g
FS
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
V
DS
= 1.5 V,I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
27.5
1
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注5 )
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
2.1
5.7
3.7
3.7
6.5
6.4
67
2.5
V
毫伏/°C的
5.0
mW
8.0
S
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4837NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
(注6 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.83
0.71
23.5
11.3
12.2
8
nC
ns
1.2
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A,R
G
= 3.0
W
9.0
19.6
28
4.7
14
29.3
38.7
7
ns
符号
测试条件
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.93
0.005
1.84
0.9
nH
W
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4837NH
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
7 V至10 V
4.4 V至5.0 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
V
GS
= 3.2 V
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
5
T
J
= 25°C
4.2 V
I
D
,漏电流( A)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
3
4
5
6
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
7
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
10
11
0.01
0.0095 T = 25℃
J
0.009
0.0085
0.008
0.0075
V
GS
= 4.5 V
0.007
0.0065
0.006
0.0055
0.005
0.0045
V
GS
= 11.5 V
0.004
0.0035
0.003
0.0025
0.002
0.0015
0.001
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85
I
D
,漏电流( A)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极电阻
(归一化)
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50 30 10
0
20
40
60
80
100 120 140 160
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
10000
1000
I
DSS
,漏电( NA)
100
10
1
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.1
5
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTMFS4837NH
3000
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
15
V
GS ,
栅 - 源电压(V)的
T
J
= 25°C
C
国际空间站
12
Q
T
10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
0
5
10
15
Q
GS
Q
GD
C,电容(pF )
C
OSS
C
RSS
10
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
V
DD
= 15 V
V
GS
= 11.5 V
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
20
25
30
35
Q
g
,总栅极电荷( NC)
栅极 - 源极或漏极至源极电压( V)
图7.电容变化
30
25
20
15
10
5
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压和总栅极电荷
100
t
D(关闭)
T, TIME ( NS )
t
r
10
t
D(上)
t
f
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
I
S
,源电流( A)
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
1000
100
100
ms
10
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
1毫秒
10毫秒
dc
100
1
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
I
D
= 31 A
50
75
100
125
150
175
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T
J
,起动结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量对比
开始结温
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTMFS4837NHT3G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NTMFS4837NHT3G
ON Semiconductor
21+
12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTMFS4837NHT3G
onsemi
24+
19000
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
全新原装现货,原厂代理。
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTMFS4837NHT3G
ON
21+
6550
SO-8
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NTMFS4837NHT3G
onsemi
24+
10000
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
NTMFS4837NHT3G
ON
25+
3250
SO8FL/DFN6
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联系人:刘先生
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NTMFS4837NHT3G
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▲10/11+
9247
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ON Semiconductor
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8931
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
NTMFS4837NHT3G
ON
2025+
26820
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