【NTMFS4835N功率MOSFET特点30 V ， 104 A单N沟道， SO- 8FL低RDS 】,IC型号NTMFS4835NT1G,NTMFS4835NT1G PDF资料,NTMFS4835NT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4835N

功率MOSFET

特点

30 V ， 104 A单N沟道， SO- 8FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些无铅器件*

V

（ BR ） DSS

30 V

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

最大

3.5毫瓦@ 10 V

5.0毫瓦@ 4.5 V

D (5,6)

104 A

I

D

最大

应用

请参考应用笔记AND8195 / D

CPU电源交付

DC-DC转换器

低端开关

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

R

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

R

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

R

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

稳定

状态

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

C

= 25°C

T

C

= 85°C

T

C

= 25°C

T

A

= 25°C,

t

p

= 10

ms

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

S

d

V

/d

t

E

AS

P

D

I

D

P

D

I

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

30

±20

20

14

2.27

12

9.0

0.89

104

75

62.5

208

55

to

+150

52

6

392

W

A

°C

A

V / ns的

mJ

W

A

W

A

单位

V

A

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

记号

图

D

1

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

S

G

4835N

AYWWG

G

D

A

=大会地点

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能T

J

= 25 ° C，V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V,

I

L

= 28 A

pk

中，L = 1.0毫亨，R

G

= 25

W

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

订购信息

设备

NTMFS4835NT1G

NTMFS4835NT3G

包

SO8FL

（无铅）

SO8FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年5月

启示录6

1

出版订单号：

NTMFS4835N/D

NTMFS4835N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注）

3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

R

QJC

R

qJA

R

qJA

价值

2.0

55.1

140.1

° C / W

单位

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= 10 V至

11.5 V

V

GS

= 4.5 V

正向跨导

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

Q

G（ TOT ）

V

GS

= 11.5 V, V

DS

= 15 V;

I

D

= 30 A

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V ;我

D

= 30 A

V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫，V

DS

= 12 V

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

I

D

= 30 A

I

D

= 15 A

V

DS

= 15 V，I

D

= 15 A

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 11.5 V, V

DS

= 15 V,

I

D

= 15 A，R

G

= 3.0

W

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 15 A,

R

G

= 3.0

W

16

31

22

13

10

23

30

10

ns

3100

670

360

22

4.7

8.3

8.8

52

nC

39

nC

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 24 V

T

J

= 25

°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

22.4

1.0

10

±100

V

毫伏/°C的

mA

nA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.5

1.9

5.3

2.9

2.5

4.3

3.9

21

2.5

V

毫伏/°C的

3.5

mW

5.0

S

5.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTMFS4835N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

L

S

L

D

L

G

R

G

T

A

= 25°C

V

GS

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

I

S

= 30 A

V

GS

= 0 V,

I

S

= 30 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.77

0.70

27

15

12

18

nC

50

ns

1.0

V

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感

排水电感

门电感

栅极电阻

0.65

0.005

1.84

1.3

5.0

nH

W

5.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

3

NTMFS4835N

典型性能曲线

170

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

150

130

110

90

70

50

30

10

0

V

GS

= 5.0 10 V

T

J

= 25°C

4.0 V

170

150

130

110

90

70

50

30

10

0

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0

1

2

T

J

=

55°C

3

4

5

6

V

DS

≥

10 V

3.5 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

2.6 V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

0

2

4

6

8

10

12

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

0

10

15

图2.传输特性

T

J

= 25°C

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 11.5 V

20

25

30

35

40

45

50

55

60

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.0

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1.5

10,000

100,000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

1.0

1,000

T

J

= 125°C

100

0.5

0

50

10

25

0

25

50

75

100

125

150

4

8

12

16

20

24

28

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

4

NTMFS4835N

典型性能曲线

5000

4500

C，电容（pF ）

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

0

15

10

5

0

5

V

GS

V

DS

10

15

20

C

OSS

25

C

RSS

C

国际空间站

T

J

= 25°C

12

Q

T

V

GS

V

DS

10

8

6

4

2

0

Q

gs

Q

gd

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

0

5

10

15 20 25 30 35 40 45

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

50

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

55

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

C

国际空间站

30

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图7.电容变化

1000

V

DS

= 15 V

I

D

= 15 A

V

GS

= 11.5 V

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

30

IS ，源电流（安培）

V

GS

= 0 V

25

T

J

= 25°C

20

15

10

5

0

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1.1

t

D（关闭）

t

f

t

r

T， TIME （ NS ）

100

10

t

D（上）

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

E

AS

，单脉冲漏极 - 源

雪崩能量（兆焦耳）

1000

I D ，漏极电流（ AMPS ）

400

360

320

280

240

200

160

120

80

40

0

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

= 28 A

100

10

ms

100

ms

10

V

GS

= 20 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1毫秒

10毫秒

dc

1

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

100

25

50

75

100

125

150

T

J

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

http://onsemi.com

5