NTMFS4834N
功率MOSFET
特点
30 V , 130 A单N沟道, SO- 8FL
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件*
V
( BR ) DSS
30 V
http://onsemi.com
应用
R
DS ( ON)
最大
3.0毫瓦@ 10 V
4.0毫瓦@ 4.5 V
D (5,6)
I
D
最大
130 A
请参考应用笔记AND8195 / D
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
脉冲漏
当前
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C,
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
21
15
2.31
13
9.5
0.9
130
93
86.2
260
55
to
+150
71
6
512
W
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
N沟道MOSFET
记号
图
D
1
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
4834N
AYWWG
G
D
D
D
工作结存储
温度
源电流(体二极管)
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(T
J
= 25 ° C,V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 32 A
pk
中,L = 1.0毫亨,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMFS4834NT1G
NTMFS4834NT3G
包
SO8FL
(无铅)
SO8FL
(无铅)
航运
1500磁带/卷
5000磁带/卷
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1,表面安装用1平方式衬垫, 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年5月
启5
1
出版订单号:
NTMFS4834N/D
NTMFS4834N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
= 30 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.77
0.70
34
18
16
25.9
nC
ns
1.2
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.65
0.005
1.84
1.4
nH
nH
nH
W
5.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
NTMFS4834N
典型性能曲线
6500
6000
C
国际空间站
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
C
RSS
2000
1500
1000
500
0
15 10
12
10
8
6
4
2
0
Q
gs
Q
gd
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
V
DS
V
GS
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
T
J
= 25°C
Q
T
C,电容(pF )
C
国际空间站
C
OSS
5
0
5
V
GS
V
DS
10
15
20
25
30
0
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75
Q
G
,总栅极电荷( NC)
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
1000
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 11.5 V
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
30
IS ,源电流(安培)
25
20
15
10
5
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
1.1
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T, TIME ( NS )
100
t
D(关闭)
t
r
t
f
t
D(上)
10
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
E
AS
,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
1000
I D ,漏极电流( AMPS )
10
ms
100
ms
10
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
100
1毫秒
10毫秒
dc
560
520
480
440
400
360
320
280
240
200
160
120
80
40
0
25
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 32 A
100
1
0.1
50
75
100
125
150
T
J
,起动结温( ° C)
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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