NTMFS4825NFE
功率MOSFET
特点
30 V , 171 A单N沟道, SO- 8 FL
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
低电容,以最大限度地减少驱动器损耗
包括肖特基二极管
优化的栅极电荷,以最大限度地降低开关损耗
双面冷却能力
这些都是Pb- Free设备
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
最大
2.0毫瓦@ 10 V
3.0毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
171 A
140 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
R
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
qJA
v
10秒
功耗
R
qJA ,
t
v
10秒
连续漏极
当前
qJA
(注2 )
功耗
R
qJA
(注2 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
29
21
2.74
47
34
7.3
17
12
0.95
171
123
96.2
288
100
40
to
+150
120
6
375
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
1
N沟道MOSFET
D
单位
V
V
A
S
W
A
G
记号
图
D
S
S
S
G
825NFE
AYWZZ
D
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
A
Y
W
ZZ
D
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
订购信息
设备
NTMFS4825NFET1G
NTMFS4825NFET3G
包
SO8FL
(无铅)
SO8FL
(无铅)
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流(体二极管)
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 50 A
pk
, L = 0.3 mH的,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年5月
第1版
1
出版订单号:
NTMFS4825NFE/D