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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第456页 > NTMFS4744N
NTMFS4744N
功率MOSFET
30 V ， 53 A单N沟道， SO- 8 FL
特点
低RDS（ON ），以最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这些无铅器件
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
10毫瓦@ 10 V
14毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
53 A
应用
CPU电源交付
DC- DC转换器
低端开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
20
11
8.0
2.2
7.0
5.0
0.88
53
38
47.2
106
-55
+150
46
6.0
286
W
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
W
A
单位
V
V
A
30 V
N沟道
D
G
S
记号
图
D
1
A
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
D
4744N
AYWWG
G
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 24 A
pk
中，L = 1.0毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4744N =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMFS4744NT1G
NTMFS4744NT3G
包
航运
SO- 8 FL 1500磁带&卷轴
（无铅）
SO- 8 FL 5000磁带&卷轴
（无铅）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年7月 - 第4版
出版订单号：
NTMFS4744N/D
NTMFS4744N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
价值
2.65
56.9
142.4
° C / W
单位
1.表面安装上使用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
10
1.0
10
100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
5.0
2.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10 V至
11.5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 10 A
7.6
7.3
7.3
10.4
10.1
9.9
25
14
S
10
mW
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
I
D
= 10 A
正向跨导
g
FS
V
DS
= 15 V，I
D
= 15 A
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A,
R
G
= 3.0
W
12
203
14
83
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V ;我
D
= 30 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 12 V
1300
550
132
10
0.9
1.8
5.9
25
37
nC
nC
17
pF
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4744N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.78
0.7
37
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
21
17
37
nC
60
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A，R
G
= 3.0
W
7.0
94
23
4.7
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
0.65
0.005
1.84
2.0
5.0
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTMFS4744N
典型性能曲线
32
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
10 V
4.5 V
3.5 V
T
J
= 25°C
24
32
24
3V
16
2.8 V
8
2.6 V
0
0
1
2
3
4
2.4 V
5
16
T
J
= 125°C
8
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.1
I
D
= 30 A
0.08
0.020
V
GS
= 10 V
0.016
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.06
0.012
0.04
0.008
0.02
0
2.6
0.004
0
T
J
= -55°C
3
3.4
3.8
4.2
4.6
5
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0.1
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流和
温度
T
J
= 125°C
10
T
J
= 85°C
1
T
J
= 25°C
6
12
18
24
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与漏极电压
http://onsemi.com
4
NTMFS4744N
典型性能曲线
2000
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C，电容（pF ）
1600
C
国际空间站
5
VGS ，栅极至源极电压（伏）
Q
T
Q
GS
Q
GD
4
1200
C
OSS
800
3
2
400
C
RSS
0
0
4
8
12
16
20
1
0
0
4
8
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 30 A
T
J
= 25°C
12
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
IS ，源电流（安培）
10
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
V
GS
= 0 V
t
r
T， TIME （ NS ）
100
t
f
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
10
t
D（关闭）
t
D（上）
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
1
0.1
0.2
0.4
0.6
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
0.8
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
V
GS
= 2.0 V
单脉冲
100 T
C
= 25°C
10
ms
10
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
300
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 24 A
I
D
，漏电流（ A）
200
100
0.1
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
0.1
dc
100
0.01
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
5
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推荐型号
NTHCXXX
NME0315S
NCP304LSQ43T1
NRN9S104GTG
NC4D-PL2-DC110V
NJU6014
N74F620N-B
NE57510
NV73DL1JTTE27
NAND512W3A2AZB1T
NCP18XH103F03RB
NE83C92A-T
N01L1618N1AB2
NRN13S104JTB
NM1600N30
NJM2270E
NCV8668ABD150R2G
NC7SPU04_04
NRWA101M63V10X12.5TBF
NJM2806DL2
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTMFS4744N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
NTMFS4744N
ONS
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深圳市向鸿伟业电子有限公司
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NTMFS4744N
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QFN8
原装现货！接受验货！支技实单！
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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NTMFS4744N
ONS
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ON
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QFN-8
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联系人：销售部
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20918
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QFN8
原装现货上海库存，欢迎咨询
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NTMFS4744N
ON/安森美
22+
32570
QFN8
全新原装正品/质量有保证
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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联系人：朱成平
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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