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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第407页 > NTMFS4701NT3G
NTMFS4701N
功率MOSFET
30 V , 20 A单N沟道,
SOIC - 8扁平引脚封装
特点
热和电增强型封装兼容
标准的SOIC - 8
新的软件包提供检验探头的能力后,
电路板安装
超低低R
DS ( ON)
(在4.5 V
GS
) ,低栅极电阻和低Q
G
优化的高端控制应用
高速交换能力
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
典型值
6.0毫瓦@ 10 V
8.0毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
20 A
应用
笔记本电脑的Vcore应用
网络应用
DC- DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
(注1 )
稳定
状态
t
v10
s
功耗
(注1 )
稳定
状态
t
v10
s
连续漏电流
(注2 )
功耗
(注2 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
I
D
P
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
$20
12.3
9.8
20
2.3
6.0
7.7
6.2
0.9
60
-55
150
6.0
280
W
A
°C
A
mJ
A
W
1
N沟道
D
G
单位
V
V
A
S
标记图&
引脚分配
D
S
S
S
G
D
4701N
AYWW
G
G
D
SOIC - 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
4701N
A
Y
WW
G
D
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
工作和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲漏极至源雪崩能源
(V
DD
= 25 V, V
GS
= 10 V,I
PK
= 7.5 A,
L = 10 mH的,R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
(从1/8的情况下为10秒)
订购信息
设备
航运
NTMFS4701NT1G SOIC - 8 FL 1500 / APE &卷轴
T
(无铅)
NTMFS4701NT3G SOIC - 8 FL 5000 / APE &卷轴
T
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
(铜面积1.127平方英寸。 [ 1盎司}包括的痕迹) 。
2.表面安装在FR4电路板用最小的推荐焊盘尺寸
(铜面积0.412平方英寸)。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年7月 - 第3版
出版订单号:
NTMFS4701N/D
NTMFS4701N
热电阻额定值
等级
结到外壳 - 稳态
结 - 环境 - 稳态(注2 )
结 - 环境 - 吨
v10
S(注1 )
结 - 环境 - 稳态(注1 )
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
4.0
140
21
55
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
30
7.2
1.0
50
$100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
$20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
1.0
5.0
3.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A
8.0
6.0
70
11
8.0
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= 15 V,I
D
= 20 A
S
收费,电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫,V
DS
= 24 V
1280
500
120
11
1.1
2.0
6.0
1.4
W
15
nC
pF
开关特性,V
GS
= 4.5 V
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,I
S
= 6.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.75
0.55
34
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
= 6.0 A
16
18
27
nC
ns
1.0
V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1.0 A,R
G
= 6.0
W
9.0
4.0
29
19
ns
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4701N
典型性能曲线
42
I
D,
漏电流(安培)
36
30
24
18
2.6 V
12
6
2.2 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
0
0
V
GS
= 10 V
6V
4V
3.4 V
42
T
J
= 25°C
3V
I
D,
漏电流(安培)
36
30
24
18
12
6
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= -55°C
1
2
3
4
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
5
V
DS
10 V
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.01
T
J
= 125°C
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.01
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
0.008
V
GS
= 10 V
0.006
0.008
0.006
T
J
= 25°C
0.004
T
J
= -55°C
V
GS
= 10 V
0
6
30
I
D,
漏电流(安培)
12
20
24
36
42
0.004
0.002
0.002
0
6
12
20
24
30
36
42
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与漏电流和
温度
2
R
DS (ON ) ,
漏 - 源
电阻(标准化)
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
,漏电( NA)
1.5
10000
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1
1000
T
J
= 125°C
0.5
0
-50
100
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTMFS4701N
典型性能曲线
VGS栅极至源极电压(V )
,
2500
V
DS
= 0 V
C,电容(pF )
2000 C
国际空间站
V
GS
= 0 V
10
T
J
= 25°C
8
V
GS
1500
C
国际空间站
6
QT
4 Q
GS
2
0
0
2
4
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
6
8 10 12 14 16 18
Q
G
,总栅极电荷( NC)
20
22
Q
GD
1000
C
RSS
500
0
10
C
OSS
C
RSS
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
100
I
S
,源电流(安培)
V
DD
= 15 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4.5 V
T, TIME ( NS )
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
t
r
10
图8.栅极至源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
8
6
10
4
2
0
1
1
10
R
G
,栅极电阻(欧姆)
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
1
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
EAS ,单脉冲漏极 - 源
雪崩能量(兆焦耳)
100
ID ,漏极电流( AMPS )
10
ms
10
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS ( ON)
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
280
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 7.5 A
240
200
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
T
J
,起动结温( ° C)
150
dc
0.1
0.01
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTMFS4701N
包装尺寸
DFN6 5×6 , 1.27P ( SO8 FL )
CASE 488AA -01
版本C
2X
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸D1和E1不包括
毛边突出或
毛刺。
2X
0.20 C
D
2
D1
6
5
A
B
0.20 C
4X
E1
2
E
c
1
2
3
4
q
A1
顶视图
3X
C
座位
飞机
0.10 C
A
0.10 C
SIDE VIEW
8X
e
细节A
暗淡
A
A1
b
c
D
D1
D2
E
E1
E2
e
G
K
L
L1
M
q
MILLIMETERS
最大
0.90
1.00
1.10
0.00
---
0.05
0.33
0.41
0.51
0.23
0.28
0.33
5.15 BSC
4.50
4.90
5.10
3.50
---
4.22
6.15 BSC
5.50
5.80
6.10
3.45
---
4.30
1.27 BSC
0.51
0.61
0.71
0.51
---
---
0.51
0.61
0.71
0.05
0.17
0.20
3.00
3.40
3.80
0
_
---
12
_
焊接足迹*
细节A
3X
4X
b
e/2
1
4
风格1 :
PIN 1.源
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
1.270
0.750
4X
0.10
0.05
C A B
c
L
1.000
0.965
1.330
2X
K
E2
L1
6
5
0.905
4.530
0.475
2X
0.495
M
3.200
G
D2
底部视图
4.560
2X
1.530
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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ON/安森美
2443+
23000
DFN-8
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电话:13910052844(微信同步)
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地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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ON
2025+
26820
5-DFN
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联系人:夏先生 朱小姐
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NTMFS4701NT3G
ON
25+
3250
SO8FL/DFN6
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ON
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20500
DFN-8
只做原装公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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NTMFS4701NT3G
ON
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18000
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