NTMFS4122N
功率MOSFET
30 V ， 23 A单N沟道，
SO- 8扁平引脚
特点
低R
DS （ ON）
低电感SO- 8封装
这是一个Pb - Free设备
应用
http://onsemi.com
I
D
最大
（注1 ）
23 A
笔记本电脑，显卡
DC- DC转换器
同步整流
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
功率耗散（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
连续漏电流
（注2 ）
功率耗散（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
5.8
9.1
6.5
0.9
68
-55
150
7.0
220
W
A
°C
A
mJ
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
$20
14
10
23
2.2
W
单位
V
V
A
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
4.6毫瓦@ 10 V
6.3毫瓦@ 4.5 V
D
G
S
记号
图
D
1
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
S
S
S
G
D
4122N
AYWWG
G
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲漏极至源雪崩能源
(V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
PK
= 21 A，L = 1 mH的，
R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4122N =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
T
L
260
°C
热阻最大额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v10
S（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
56.3
21.5
141.6
单位
° C / W
订购信息
设备
NTMFS4122NT1G
包
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
航运
1500磁带&卷轴
NTMFS4122NT3G
5000磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
（铜面积=在平0.0264 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年7月 - 第4版
出版订单号：
NTMFS4122N/D
NTMFS4122N
包装尺寸
DFN6 5×6 ， 1.27P （ SO8 FL ）
CASE 488AA -01
版本C
2X
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸D1和E1不包括
毛边突出或
毛刺。
2X
0.20 C
D
2
D1
6
5
A
B
0.20 C
4X
E1
2
E
c
1
2
3
4
q
A1
顶视图
3X
C
座位
飞机
0.10 C
A
0.10 C
SIDE VIEW
8X
e
细节A
暗淡
A
A1
b
c
D
D1
D2
E
E1
E2
e
G
K
L
L1
M
q
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.90
1.00
1.10
0.00
---
0.05
0.33
0.41
0.51
0.23
0.28
0.33
5.15 BSC
4.50
4.90
5.10
3.50
---
4.22
6.15 BSC
5.50
5.80
6.10
3.45
---
4.30
1.27 BSC
0.51
0.61
0.71
0.51
---
---
0.51
0.61
0.71
0.05
0.17
0.20
3.00
3.40
3.80
0
_
---
12
_
焊接足迹*
细节A
3X
4X
b
e/2
1
4
风格1 ：
PIN 1.源
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
1.270
0.750
4X
0.10
0.05
C A B
c
L
1.000
0.965
1.330
2X
K
E2
L1
6
5
0.905
4.530
0.475
2X
0.495
M
3.200
G
D2
底部视图
4.560
2X
1.530
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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