NTMFS4108N
功率MOSFET
30 V ， 35 A单N沟道，
SO- 8扁平引脚封装
特点
http://onsemi.com
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
1.8毫瓦@ 10 V
2.7毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
35 A
热和电增强型封装兼容
标准的SO - 8封装尺寸
新的软件包提供检验探头的能力后，
电路板安装
超低低R
DS （ ON）
（在4.5 V
GS
） ，低栅极电阻和低Q
G
优化的低侧同步应用
高速交换能力
应用
笔记本电脑的Vcore应用
网络应用
DC- DC转换器
G
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v10
s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
6.25
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
I
D
13.5
10
0.91
100
203
-55
150
6.0
450
W
W
A
°C
A
4108N =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
$20
22
16
35
2.4
W
1
单位
V
V
A
S
记号
图
D
S
S
S
G
D
4108N
AYWWG
G
D
SO- 8扁平引脚
CASE 488AA
风格1
D
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
PK
= 30 A,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
A
mJ
NTMFS4108NT1G
SO- 8 FL
（无铅）
SO- 8 FL
（无铅）
1500磁带/卷
设备
包
航运
T
L
260
°C
NTMFS4108NT3G
5000磁带/卷
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1“平方垫尺寸FR4板
（铜面积= 1.127 “平方[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积= 0.412 “平方） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年7月 - 修订版5
出版订单号：
NTMFS4108N/D
NTMFS4108N
热电阻额定值
等级
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
v10
秒（注3）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
1.25
53
20
138
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
emperature系数
T
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
21
1.0
25
100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
1.0
7.5
2.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A
2.7
1.8
25
3.4
2.2
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 24 V，I
D
= 21 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 15 V
6000
1200
700
54
11
16
23
0.7
W
nC
pF
开关特性，V
GS
= 10 V
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V，I
S
= 6.0 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.72
0.65
41
V
GS
= 0 V ，D
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 6.0 A
20
21
45
nC
ns
1.1
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 1.0 A，R
G
= 6.0
W
45
60
70
140
ns
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
3.
4.
5.
6.
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
表面安装在使用1 FR4板“平方垫尺寸（铜面积= 1.127 ”平方[ 1盎司]包括迹线） 。
表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（铜面积= 0.412 “平方） 。
脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTMFS4108N
包装尺寸
DFN6 5×6 ， 1.27P （ SO8 FL ）
CASE 488AA -01
版本C
2X
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸D1和E1不包括
毛边突出或
毛刺。
2X
0.20 C
D
2
D1
6
5
A
B
0.20 C
4X
E1
2
E
c
1
2
3
4
q
A1
顶视图
3X
C
座位
飞机
0.10 C
A
0.10 C
SIDE VIEW
8X
e
细节A
暗淡
A
A1
b
c
D
D1
D2
E
E1
E2
e
G
K
L
L1
M
q
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.90
1.00
1.10
0.00
---
0.05
0.33
0.41
0.51
0.23
0.28
0.33
5.15 BSC
4.50
4.90
5.10
3.50
---
4.22
6.15 BSC
5.50
5.80
6.10
3.45
---
4.30
1.27 BSC
0.51
0.61
0.71
0.51
---
---
0.51
0.61
0.71
0.05
0.17
0.20
3.00
3.40
3.80
0
_
---
12
_
焊接足迹*
细节A
3X
4X
b
e/2
1
4
风格1 ：
PIN 1.源
2.源
3.源
4.门
5.排水
6.排水
1.270
0.750
4X
0.10
0.05
C A B
c
L
1.000
0.965
1.330
2X
K
E2
L1
6
5
0.905
4.530
0.475
2X
0.495
M
3.200
G
D2
底部视图
4.560
2X
1.530
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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