NTMD6N04R2
功率MOSFET
40 V ， 5.8 A，双N沟道SOIC- 8
特点
设计用于在低电压，高速开关应用中使用
超低导通电阻提供
更高的效率并延长电池寿命
- R
DS （ ON）
= 0.027
W,
V
GS
= 10 V （典型值）
- R
DS （ ON）
= 0.034
W,
V
GS
= 4.5 V （典型值）
小型SOIC - 8表面贴装封装节省电路板空间
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
无铅封装可用
DC- DC转换器
电脑
打印机
手机和无绳电话
磁盘驱动器和磁带驱动器
V
DSS
40 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
27毫瓦@ V
GS
= 10 V
I
D
最大
5.8 A
N沟道
D
D
应用
G
S
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流（注1 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
- 单脉冲（ TP
≤
10
女士）
漏电流（注2 ）
- 连续@ T
A
= 25°C
总功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 40 VDC ，V
GS
= 5.0伏，
VDC ，峰值I
L
= 7.0 APK ，
L = 10 mH的，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
铅的最大温度
焊接用10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
D
P
D
2.0
1.29
T
J
, T
英镑
E
AS
-55到+150
245
°C
mJ
价值
40
"20
5.8
29
4.6
单位
V
V
ADC
APK
ADC
W
8
1
SOIC-8
CASE 751
风格11
标记图&
引脚分配
D1 D1 D2 D2
8
E6N04
AYWW
G
G
1
S1 G1 S2 G2
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
E6N04
A
Y
WW
G
（注：微球可在任一位置）
订购信息
R
qJA
° C / W
62.5
97
260
°C
设备
NTMD6N04R2G
包
SOIC-8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
T
L
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面贴装的FR4板采用1 “焊盘尺寸，T
≤
10 s
2.表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，T =稳定状态
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年12月 - 修订版0
出版订单号：
NTMD6N04R2/D
NTMD6N04R2
14
6 V - 10 V
12
I
D
，漏电流（ A）
10
8
6
4
2
0
0
0.5 1
1.5 2
2.5 3
3.5 4
2.4 V
3.0 V
2.8 V
V
GS
= 2.6 V
4.5 5
5.5 6
3.6 V
3.2 V
4.0 V
3.8 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
3.4 V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
DS
w
10 V
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.2
图2.传输特性
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
0.15
0.1
0.05
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
1
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
I
D
= 5.8 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 100°C
10
图4.导通电阻与变异
温度
图5.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTMD6N04R2
包装尺寸
SOIC - 8 NB
CASE 751-07
ISSUE AJ
-X-
A
8
5
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
-Y-
G
C
-Z-
H
D
0.25 (0.010)
M
座位
飞机
K
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3，维A和B不包括
模具的突起。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）
每边。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL
超过D尺寸的
最大的物质条件。
6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW
标准为751-07 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MILLIMETERS
民
最大
4.80
5.00
3.80
4.00
1.35
1.75
0.33
0.51
1.27 BSC
0.10
0.25
0.19
0.25
0.40
1.27
0
_
8
_
0.25
0.50
5.80
6.20
英寸
民
最大
0.189
0.197
0.150
0.157
0.053
0.069
0.013
0.020
0.050 BSC
0.004
0.010
0.007
0.010
0.016
0.050
0
_
8
_
0.010
0.020
0.228
0.244
N
X 45
_
0.10 (0.004)
M
旋转Z Y
S
J
X
S
焊接足迹*
1.52
0.060
风格11 ：
PIN 1.信号源1
2.门1
3.源2
4.门2
5.排水2
6.排水2
7.排水1
8.排水1
7.0
0.275
4.0
0.155
0.6
0.024
1.270
0.050
SCALE 6 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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