NTMD6N03R2,
NVMD6N03R2
功率MOSFET
30 V ， 6 A， N-双
声道SOIC-
-8
特点
http://onsemi.com
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
24毫欧@ V
GS
= 10 V
I
D
最大
6.0 A
设计用于在低电压，高速开关应用中使用
超低导 - 电阻提供
更高的效率并延长电池寿命
- R
DS （ ON）
= 0.024
Ω,
V
GS
= 10 V （典型值）
-
- R
DS （ ON）
= 0.030
Ω,
V
GS
= 4.5 V （典型值）
-
微型SOIC-表面贴装封装节省电路板空间
-8
二极管电桥电路的特点是使用
二极管具有高转速，软恢复
AEC Q101标准 - NVMD6N03R2
-
这些设备是有铅
- 免费且符合RoHS
DC-
-DC转换器
电脑
打印机
手机和无绳电话
磁盘驱动器和磁带驱动器
N-
声道
D
D
G
S
G
S
应用
标记图&
引脚分配
8
1
SOIC-
-8
CASE 751
风格11
D1 D1 D2 D2
8
E6N03
AYWW
G
G
1
S1 G1 S2 G2
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
=铅 - 免费套餐
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极 - 到 - 源极电压
门 - 到 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25C
- 单脉冲（ TP
10
女士）
总功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度
范围
单脉冲漏极 - 到 - 源雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25C
(V
DD
= 30伏直流电，V
GS
= 5.0伏，
V
DS
= 20伏，峰值I
L
= 9.0 APK ，
L = 10 mH的，R
G
= 25
Ω)
热阻
- 结 - 到 - 环境（注1 ）
- 结 - 到 - 环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
宗旨为10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
DM
P
D
I
D
价值
30
20
6.0
30
2.0
1.29
--55到
+150
325
单位
伏
伏
ADC
APK
瓦
E6N03
A
Y
WW
G
T
J
, T
英镑
E
AS
C
mJ
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTMD6N03R2G
包
SOIC--8
（铅 - 免费）
SOIC--8
（铅 - 免费）
航运
2500 /磁带&
REEL
2500 /磁带&
REEL
R
θJA
62.5
97
260
° C / W
NVMD6N03R2G
C
T
L
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面贴装的FR4板采用1 “焊盘尺寸，T
10 s
2.表面安装用1 “垫尺寸为FR4板，T =稳定状态
半导体元件工业有限责任公司， 2011
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
2011年10月 - 第3版
-
1
出版订单号：
NTMD6N03R2/D
NTMD6N03R2 ， NVMD6N03R2
功率MOSFET开关
交换行为是最容易建模和预测
由认识到功率MOSFET是充电
控制。各种开关间隔的长度（ΔT）
由如何快速FET输入电容可确定
从发电机通过电流进行充电。
已发布的电容数据是难以用于
计算的上升和下降，因为漏极
-gate电容
变化很大随施加电压。因此，门
电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计
平均输入电流（I
G（ AV ）
）可以由一个作
驱动电路，使得基本的分析
T = Q / I
G（ AV ）
在上升和下降时间间隔切换时，
阻性负载，V
GS
实际上保持恒定的水平
被誉为高原电压，V
SGP
。因此，上升和下降
时间可近似由下：
t
r
= Q
2
个R
G
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)
-
t
f
= Q
2
个R
G
/V
普遍优惠制
哪里
V
GG
=栅极驱动电压，其中从0变到V
GG
R
G
=栅极驱动电阻
和Q
2
和V
普遍优惠制
从栅极电荷曲线读取。
在开启和开启的延迟时间，栅极电流是
-ON
-off
不是恒定的。最简单的计算使用合适的
在一个标准方程从电容曲线值
在一个RC网络的电压变化。该方程为：
t
D（上）
= R
G
C
国际空间站
在[V
GG
/(V
GG
- V
普遍优惠制
)]
-
t
D（关闭）
= R
G
C
国际空间站
在（V
GG
/V
普遍优惠制
)
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
的电容（C
国际空间站
）从电容曲线上读出在
对应于场外的电压
-state条件时，
计算牛逼
D（上）
和读出时的电压对应于
在开 -
计算T当-state
D（关闭）
.
在高开关速度，寄生电路元件
复杂的分析。 MOSFET的电感
源引，内包装，在电路布线
这是通用的漏极和栅极的电流路径，
产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源
电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的
是漏极电流的函数，在数学溶液
复杂的。 MOSFET的输出电容也
复杂的数学。最后， MOSFET的
有限的内部栅极电阻，有效地增加了
所述驱动源的电阻，但内阻
难以测量，因此，没有被指定。
电阻开关时间变化与门
电阻（图9）显示了如何典型开关
性能由寄生电路元件的影响。如果
寄生效应不存在时，曲线的斜率将
保持统一的值，而不管开关速度。
用于获得所述数据的电路被构造以最小化
在漏极和栅极电路环路共同电感和
被认为是很容易达到的板装
组件。大多数电力电子负载是感性的;该
图中的数据是使用电阻性负载，其
近似的最佳冷落感性负载。动力
的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;
然而，不压井作业减少了开关损耗。
C
国际空间站
T
J
= 25C
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
25
10
5
0
5
10
15
20
V
GS
V
DS
GATE - 要 - 源极或漏极 - 要 - 源
电压（伏）
图7.电容变化
http://onsemi.com
4
NTMD6N03R2 ， NVMD6N03R2
V
DS
，漏 - 要 - 源极电压（伏）
V
GS
， GATE - 要 - 源极电压（伏）
10
8
V
GS
6
4
2
Q
3
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
DS
Q
1
Q
2
10
I
D
= 6 A
T
J
= 25C
16
18 20
0
20
30
1000
Q
T
V
DD
= 15 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
t
D（关闭）
t
f
t
r
T， TIME （ NS ）
100
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
100
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图8.栅极 - 源极和
- 到 -
漏极 - 源电压与总充电
- 到 -
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
漏极
- 到 -
- 源二极管的特性
的MOSFET的体二极管的开关特性
在系统中非常重要的使用它作为一个续流或
整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向
其中在起主要作用的恢复特性
确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。
系统的开关损耗主要是由于性质
体二极管本身。体二极管是少数载流子
设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t
rr
由于
对少数载流子电荷Q的存储
RR
，如图
图14.典型的反向恢复波形正是这种
存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过
通过一个电位，并限定了能量损失。显然，
多次强迫通过反向恢复二极管
进一步增加了开关损耗。因此，一会
像短T二极管
rr
和低Q
RR
规格
尽量减少这些损失。
二极管的反向恢复的突然影响
辐射噪声，尖峰电压和电流的量
响。在工作机制是有限的不可移动
电路的寄生电感和电容作用于其
6
I
S
，源电流（安培）
5
4
3
2
1
0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25C
高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt
a
直接
由设备清除所存储的电荷来控制。
然而，叔在正面的di / dt
b
是一种不可控的
二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首
电流振荡。因此，比较二极管时，该
吨的比例
b
/t
a
作为恢复的一个很好的指标
突然性，从而给出了一个估计的比较
可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并
值小于0.5被认为是活泼的。
相较于安森美半导体标准单元密度
低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管
为更快（更短吨
rr
） ，有较少的存储电荷和柔软
的反向恢复特性。的柔软性优势
在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制
反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元
在不增加电流振荡或MOSFET的二极管
产生的噪声。另外，功率耗散所产生
从开关二极管将不太由于较短
恢复时间和更低的开关损耗。
0.5
0.7
0.8
0.6
V
SD
， SOURCE - 要 - 漏极电压（伏）
0.9
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
