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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第144页 > NTMD6N02R2
NTMD6N02R2
功率MOSFET
6.0安培， 20伏
N沟道增强模式
双SO- 8封装
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
微型双SO- 8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
SO- 8安装信息提供
http://onsemi.com
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
35毫欧@ V
GS
= 4.5 V
I
D
最大
6.0 A
N沟道
D
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，用于
例如，计算机，打印机，手机和无绳电话和
PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
价值
20
20
"12
62.5
2.0
6.5
5.5
50
102
1.22
5.07
4.07
40
172
0.73
3.92
3.14
30
单位
V
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
8
G
S
1
SO8
CASE 751
风格11
标记图
＆放大器;引脚分配
源1
门1
源2
门2
1
2
3
4
（ TOP VIEW ）
E6N02
L
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
E6N02
LYWW
8
7
6
5
排水1
排水1
排水2
排水2
1.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T < 10秒。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T =稳定状态。
3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，T =稳态。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 10
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTMD6N02R2
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 第2版
出版订单号：
NTMD6N02R2/D
NTMD6N02R2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （续）
等级
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 20伏，V
GS
= 5.0伏，峰值I
L
= 6.0 APK ， L = 20 mH的，R
G
= 25
)
最大的铅焊接温度的目的，持续10秒
符号
T
J
, T
英镑
E
AS
T
L
价值
-55到+150
360
260
单位
°C
mJ
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注5 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 25°C)
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= + 12VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流（Ⅴ
GS
= -12伏直流，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6.0 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 4.0 ADC）
(V
GS
= 2.7伏，我
D
= 2.0 ADC）
(V
GS
= 2.5伏，我
D
= 3.0 ADC）
正向跨导（V
DS
= 12 VDC，我
D
= 3.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注6及7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 16伏，
V
GS
= 4.5伏，
I
D
= 6.0 ADC）
6 0 AD）
(V
DD
= 16伏直流，我
D
= 4.0 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，
4 5 VDC
R
G
= 6.0
)
(V
DD
= 16伏直流，我
D
= 6.0 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，
4 5 VDC
R
G
= 6.0
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
12
50
45
80
11
35
45
60
12
1.5
4.0
20
90
75
130
18
65
75
110
20
nC
ns
ns
(V
DS
= 16伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
785
260
75
1100
450
180
pF
V
GS （ TH）
0.6
R
DS （ ON）
g
FS
0.028
0.028
0.033
0.035
10
0.035
0.043
0.048
0.049
姆欧
0.9
3.0
1.2
VDC
毫伏/°C的
V
（ BR ） DSS
20
I
DSS
I
GSS
I
GSS
1.0
10
100
100
NADC
NADC
19.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
5.处理措施以防止静电放电是强制性的
6.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
7.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
NTMD6N02R2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （续） （注8）
特征
体漏二极管额定值
（注9 ）
二极管正向导通电压
(I
S
= 4.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
6 0广告
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
8.处理措施以防止静电放电是强制性的。
9.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
V
SD
0.83
0.88
0.75
30
15
15
0.02
1.1
1.2
mC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
12
I D ，漏极电流（ AMPS ）
10
8
10 V
2.5 V
4.5 V
3.2 V
2.0 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
1.8 V
12
V
DS
≥
10 V
10
8
6
4
2
0
100°C
25°C
6
4
2
0
V
GS
= 1.5 V
T
J
= 55°C
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1.75
0.5
1
1.5
2
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
2.5
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
10
I
D
= 6.0 A
T
J
= 25°C
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
图1.区域特征
图2.传输特性
0.05
T
J
= 25°C
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.03
4.5 V
0.02
0.01
1
3
9
5
7
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
11
13
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
http://onsemi.com
3
NTMD6N02R2
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
100°C
10
1.2
我DSS ，漏电（ NA）
1.4
100
1
1
25°C
0.8
0.6
50
0.1
0.01
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
4
8
12
16
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
20
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
QT
4
V
DS
3
Q1
Q2
I
D
= 6 A
V
DS
= 16 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
V
GS
12
16
C，电容（pF ）
2000
1500
C
RSS
1000
C
国际空间站
C
OSS
2
8
500
C
RSS
0
10
5
0
V
GS
V
DS
5
10
15
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
4
0
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
1000
V
DS
= 16 V
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
t
D（关闭）
10
1
t
D（上）
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
http://onsemi.com
4
V DS ，漏极至源极电压（伏）
2500
VGS ，栅极至源极电压（伏）
5
20
NTMD6N02R2
漏极至源极二极管特性
5
I S ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
1毫秒
10毫秒
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
4
100
s
3
2
1
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
dc
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
的di / dt
I
S
t
rr
t
a
t
b
时间
t
p
I
S
0.25 I
S
图12.二极管的反向恢复波形
典型电气特性
1
Rthja （t）的有效瞬态
热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0E03
1.0E02
1.0E01
T，时间（S ）
1.0E+00
t
1
P
（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
单脉冲
0.001
1.0E05
1.0E04
图13.热响应
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5
NTMD6N02R2
功率MOSFET
6.0安培， 20伏
N沟道增强模式
双SO- 8封装
特点
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动器
微型双SO- 8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
较高的雪崩能量
SO- 8安装信息提供
http://onsemi.com
V
DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
35毫欧@ V
GS
= 4.5 V
I
D
最大
6.0 A
N沟道
D
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，用于
例如，计算机，打印机，手机和无绳电话和
PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
价值
20
20
"12
62.5
2.0
6.5
5.5
50
102
1.22
5.07
4.07
40
172
0.73
3.92
3.14
30
单位
V
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
8
G
S
1
SO8
CASE 751
风格11
标记图
＆放大器;引脚分配
源1
门1
源2
门2
1
2
3
4
（ TOP VIEW ）
E6N02
L
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
E6N02
LYWW
8
7
6
5
排水1
排水1
排水2
排水2
1.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T < 10秒。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1 “平方2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T =稳定状态。
3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，T =稳态。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 10
女士，
占空比= 2 ％ 。
订购信息
设备
NTMD6N02R2
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
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1
2004年4月 - 第2版
出版订单号：
NTMD6N02R2/D
NTMD6N02R2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （续）
等级
工作和存储温度范围
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 20伏，V
GS
= 5.0伏，峰值I
L
= 6.0 APK ， L = 20 mH的，R
G
= 25
)
最大的铅焊接温度的目的，持续10秒
符号
T
J
, T
英镑
E
AS
T
L
价值
-55到+150
360
260
单位
°C
mJ
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注5 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 25°C)
(V
DS
= 20伏，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= + 12VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流（Ⅴ
GS
= -12伏直流，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 6.0 ADC）
(V
GS
= 4.5伏，我
D
= 4.0 ADC）
(V
GS
= 2.7伏，我
D
= 2.0 ADC）
(V
GS
= 2.5伏，我
D
= 3.0 ADC）
正向跨导（V
DS
= 12 VDC，我
D
= 3.0 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注6及7 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
= 16伏，
V
GS
= 4.5伏，
I
D
= 6.0 ADC）
6 0 AD）
(V
DD
= 16伏直流，我
D
= 4.0 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，
4 5 VDC
R
G
= 6.0
)
(V
DD
= 16伏直流，我
D
= 6.0 ADC ，
V
GS
= 4.5伏，
4 5 VDC
R
G
= 6.0
)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
12
50
45
80
11
35
45
60
12
1.5
4.0
20
90
75
130
18
65
75
110
20
nC
ns
ns
(V
DS
= 16伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
785
260
75
1100
450
180
pF
V
GS （ TH）
0.6
R
DS （ ON）
g
FS
0.028
0.028
0.033
0.035
10
0.035
0.043
0.048
0.049
姆欧
0.9
3.0
1.2
VDC
毫伏/°C的
V
（ BR ） DSS
20
I
DSS
I
GSS
I
GSS
1.0
10
100
100
NADC
NADC
19.2
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
5.处理措施以防止静电放电是强制性的
6.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
7.开关特性是独立的工作结温。
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2
NTMD6N02R2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （续） （注8）
特征
体漏二极管额定值
（注9 ）
二极管正向导通电压
(I
S
= 4.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
(I
S
= 6.0 ADC ，V
GS
= 0伏，
6 0广告
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
8.处理措施以防止静电放电是强制性的。
9.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
V
SD
0.83
0.88
0.75
30
15
15
0.02
1.1
1.2
mC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
12
I D ，漏极电流（ AMPS ）
10
8
10 V
2.5 V
4.5 V
3.2 V
2.0 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
1.8 V
12
V
DS
≥
10 V
10
8
6
4
2
0
100°C
25°C
6
4
2
0
V
GS
= 1.5 V
T
J
= 55°C
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
1.75
0.5
1
1.5
2
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
2.5
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
10
I
D
= 6.0 A
T
J
= 25°C
R DS （ ON） ，漏极至源极电阻（欧姆）
图1.区域特征
图2.传输特性
0.05
T
J
= 25°C
0.04
V
GS
= 2.5 V
0.03
4.5 V
0.02
0.01
1
3
9
5
7
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
11
13
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
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3
NTMD6N02R2
RDS （ ON） ，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
100°C
10
1.2
我DSS ，漏电（ NA）
1.4
100
1
1
25°C
0.8
0.6
50
0.1
0.01
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
4
8
12
16
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
20
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
QT
4
V
DS
3
Q1
Q2
I
D
= 6 A
V
DS
= 16 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
V
GS
12
16
C，电容（pF ）
2000
1500
C
RSS
1000
C
国际空间站
C
OSS
2
8
500
C
RSS
0
10
5
0
V
GS
V
DS
5
10
15
1
0
0
4
8
12
16
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
4
0
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
1000
V
DS
= 16 V
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
t
D（关闭）
10
1
t
D（上）
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
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4
V DS ，漏极至源极电压（伏）
2500
VGS ，栅极至源极电压（伏）
5
20
NTMD6N02R2
漏极至源极二极管特性
5
I S ，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
1毫秒
10毫秒
1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
4
100
s
3
2
1
0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
dc
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10.二极管的正向电压与电流
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
的di / dt
I
S
t
rr
t
a
t
b
时间
t
p
I
S
0.25 I
S
图12.二极管的反向恢复波形
典型电气特性
1
Rthja （t）的有效瞬态
热阻
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0E03
1.0E02
1.0E01
T，时间（S ）
1.0E+00
t
1
P
（ PK）
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
θJC
(t)
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
单脉冲
0.001
1.0E05
1.0E04
图13.热响应
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