【NTMD4N03 ， NVMD4N03功率MOSFET特点4 A， 30 V ， N沟道SO- 8双】,IC型号NTMD4N03R2G,NTMD4N03R2G PDF资料,NTMD4N03R2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMD4N03 ， NVMD4N03

功率MOSFET

特点

4 A， 30 V ， N沟道SO- 8双

设计用于在低电压，高速开关应用中使用

超低导通电阻提供

更高的效率并延长电池寿命

DS （ ON）

= 0.048

= 10 V （典型值）

DS （ ON）

= 0.065

= 4.5 V （典型值）

小型SO- 8表面贴装封装

节省电路板空间

二极管电桥电路的特点是使用

二极管具有高转速，软恢复

NVMD前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

合格的，有能力PPAP *

这些器件是无铅和符合RoHS标准

DC-DC转换器

电脑

打印机

手机和无绳电话

磁盘驱动器和磁带驱动器

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DSS

30 V

DS （ ON）

典型值

48毫瓦@ V

= 10 V

最大

4.0 A

N沟道

应用

SOIC8

后缀NB

CASE 751

风格11

标记图*

和引脚分配

D1 D1 D2 D2

E4N03

AYWW

S1 G1 S2 G2

E4N03 =具体设备守则

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

漏电流

连续@ T

= 25°C

单脉冲（ TP

≤

女士）

总功耗

@ T

= 25 ° C（注1 ）

工作和存储

温度范围

单脉冲漏极至源极

雪崩能量

起始物为

= 25°C

= 25伏，V

= 5.0伏，

峰值I

= 4.45 APK ， L = 8毫亨，

= 25

热阻

结到环境（注1 ）

铅的最大温度

焊接用途的10秒

符号

DSS

, T

英镑

价值

"20

4.0

2.0

+150

单位

ADC

APK

°C

*有关其他标识信息，请参阅

应用笔记AND8002 / D 。

qJA

62.5

260

° C / W

°C

订购信息

设备

NTMD4N03R2G

NVMD4N03R2G*

包

SOIC8

（无铅）

SOIC8

（无铅）

航运

2500 /磁带&

REEL

2500 /磁带&

REEL

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面贴装的FR4板采用1 “焊盘尺寸，T

≤

10 s

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D

半导体元件工业有限责任公司， 2013

八月， 2013

第4版

出版订单号：

NTMD4N03R2/D

NTMD4N03 ， NVMD4N03

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 250

毫安）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 30伏直流电，V

= 0伏，T

= 25°C)

= 30伏直流电，V

= 0伏，T

= 125°C)

门体漏电流

±20

VDC ，V

= 0伏）

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻

= 10 VDC ，我

= 4 ADC）

= 4.5伏，我

= 2 ADC）

正向跨导

= 3伏，我

= 2 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注2和3 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

= 10 VDC ，

= 3.5 A)

= 20伏直流，我

= 2 A,

= 10 V,

= 2

D（上）

D（关闭）

7.0

8.0

1.1

1.9

0.82

0.63

4.0

0.008

1.0

VDC

= 20伏，V

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

285

400

135

GS （ TH）

1.0

1.9

4.2

0.048

0.065

6.0

3.0

0.060

0.080

VDC

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

1.0

100

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

DSS

GSS

NADC

DS （ ON）

姆欧

体漏二极管额定值

（注2 ）

二极管正向导通电压

反向恢复时间

= 2 A，V

= 0 V,

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

= 2一，二

/ DT = 100 A / MS ，V

= 0 V)

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结温。

= 2的ADC ，V

= 0 V)

= 2的ADC ，V

= 0 V ，T

= 150°C)

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NTMD4N03 ， NVMD4N03

典型MOSFET的电气特性

，漏极电流（ AMPS ）

= 3 V

4.5 V

，漏极电流（ AMPS ）

= 25°C

= 125°C

≥

10 V

3.6 V

= 25°C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，漏极至源极电压（伏）

55°C

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.10

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.10

图2.传输特性

= 10

T = 125°C

= 25°C

0.08

= 4.5 V

0.06

0.04

0.02

= 10 V

0.075

0.05

中T = 25℃

T =

55°C

0.025

，漏极电流（ AMPS ）

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

1.5

1.375

1.25

1.125

0.875

0.75

= 2 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

1000

10,000

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

= 0 V

= 150°C

100

= 125°C

100

125

150

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMD4N03 ， NVMD4N03

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（申）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

800

国际空间站

C，电容（pF ）

600

RSS

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

= 25°C

400

国际空间站

200

OSS

= 0 V

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

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NTMD4N03 ， NVMD4N03

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

= 4 A

= 25°C

100

D（关闭）

T， TIME （ NS ）

D（上）

= 15 V

= 4 A

= 10 V

，栅极电阻（ W）

100

，总栅极电荷（ NC）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

的MOSFET的体二极管的开关特性

在系统中非常重要的使用它作为一个续流或

整流二极管。特别令人感兴趣的是在反向

其中在起主要作用的恢复特性

确定开关损耗，辐射噪声， EMI和RFI 。

系统的开关损耗主要是由于性质

体二极管本身。体二极管是少数载流子

设备，因此，它具有有限的反向恢复时间t

由于

对少数载流子电荷Q的存储

，如图

图14.典型的反向恢复波形正是这种

存储的电荷，从所述二极管被清除时，通过

通过一个电位，并限定了能量损失。显然，

多次强迫通过反向恢复二极管

进一步增加了开关损耗。因此，一会

像短T二极管

和低Q

规格

尽量减少这些损失。

二极管的反向恢复的突然影响

辐射噪声，尖峰电压和电流的量

响。在工作机制是有限的不可移动

电路的寄生电感和电容作用于其

，源电流（安培）

= 0 V

= 25°C

高di / DTS 。吨时二极管的负的di / dt

直接

由设备清除所存储的电荷来控制。

然而，叔在正面的di / dt

是一种不可控的

二极管特性，并且通常是诱导的罪魁祸首

电流振荡。因此，比较二极管时，该

吨的比例

作为恢复的一个很好的指标

突然性，从而给出了一个估计的比较

可能产生的噪声。的1的比率被认为是理想的，并

值小于0.5被认为是活泼的。

相较于安森美半导体标准单元密度

低电压的MOSFET ，高细胞密度的MOSFET二极管

为更快（更短吨

），有较少的存储电荷和柔软

的反向恢复特性。的柔软性优势

在高细胞密度二极管装置，它们可以通过被强制

反向恢复在较高的di / dt大于一个标准信元

在不增加电流振荡或MOSFET的二极管

产生的噪声。另外，功率耗散所产生

从开关二极管将不太由于较短

恢复时间和更低的开关损耗。

0.5

0.7

0.8

0.6

，源极到漏极电压（伏）

0.9

图10.二极管的正向电压与电流

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