NTMD4884NF
热阻最大额定值
参数MOSFET肖特基&
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤10
稳步州（注1 ）
结到脚（漏）等效于R
QJC
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1英寸平方垫大小， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
最大
79
54
50
163
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
正向跨导
栅极电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
R
G
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.0 A
I
D
= 3.5 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
5.0
34
50
10
2.4
3.6
48
70
2.5
V
毫伏/°C的
mW
S
W
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
24
1.0
20
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 4.0 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏极至源极特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 4.0 A
V
GS
= 0 V
I
D
= 1.3 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.8
0.65
9.2
6.0
3.2
3.3
nC
20
ns
1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 1.0 A，R
G
= 6.0
W
6.0
6.5
14
1.4
12
13
26
7.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 4.0 A
280
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
60
32
2.8
0.4
1.2
1.0
5.6
8.0
nC
360
80
42
4.2
nC
pF
http://onsemi.com
2
NTMD4884NF
典型特征
1000
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
R（ T） （ ° C / W）
10
1
0.1
0.01
单脉冲
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲时间（秒）
图11.热响应 - R的
qJA
在稳定状态（分片）
100
0.5
R（ T） （ ° C / W）
0.2
0.1
10
0.05
0.02
1
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲时间（秒）
图12.热响应 - R的
qJA
在稳定状态（ 1英寸平方垫）
I
F
，正向电流（A）
100
I
F
，正向电流（A）
100
10
T
J
= 125°C
1
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.3
T
J
= -55°C
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
V
F
，正向电压（ V）
10
T
J
= 125°C
1
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
V
F
，最大正向电压（ V）
图13.典型正向电压
图14.最大正向电压
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5
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