NTMD4184PF
功率MOSFET和
肖特基二极管
-30 V， -4.0 A，单P通道与20 V ，
2.2 A，肖特基二极管
特点
FETKYt表面贴装封装节省电路板空间
独立的引脚输出的MOSFET和肖特基允许
设计灵活性
低R
DS （ ON）
MOSFET和低V
F
肖特基最小化
导通损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
这是一个Pb - Free设备
应用
V
（ BR ） DSS
-30 V
http://onsemi.com
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
最大
95毫瓦@ -10 V
-4.0 A
165毫瓦@ -4.5 V
I
D
最大
磁盘驱动器
DC- DC转换器
打印机
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
qJA
吨< 10秒
（注1 ）
功耗
R
qJA
吨< 10秒（注1 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C,
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
-30
±20
-3.3
-2.6
1.6
-2.3
-1.8
0.77
-4.0
-3.2
2.31
-10
-55
+150
-1.3
260
W
A
°C
A
°C
W
A
W
A
单位
V
V
A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
最大
0.58 V
I
F
最大
2.2 A
S
A
G
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
标记图
＆放大器;引脚分配
C C D D
8
8
1
SOIC-8
CASE 751
18风格
1
一个A S摹
4184PF
AYWW
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
4184PF =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
肖特基最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流器前向编
目前， （注1 ）
稳定
状态
吨< 10秒
V
RRM
V
R
I
F
20
20
2.2
3.2
V
V
A
NTMD4184PFR2G
SOIC - 8 2500 /磁带&卷轴
（无铅）
订购信息
设备
包
航运
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年3月 - 修订版0
出版订单号：
NTMD4184PF/D
NTMD4184PF
热阻最大额定值
参数MOSFET肖特基&
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤10
稳步州（注1 ）
结到脚（漏）等效于R
QJC
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
1.表面安装上使用1英寸平方垫大小， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJF
R
qJA
最大
79
54
50
163
° C / W
单位
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
正向跨导
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= -10 V
V
GS
= -4.5 V
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
总栅极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏极至源极特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= -1.3 A
V
GS
= 0 V
I
D
= -1.3 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-0.8
0.7
12.8
10
2.8
7.4
nC
ns
-1.0
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= -10 V, V
DS
= -10 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
7.2
12
18
2.6
15
24
36
6.0
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
= -10 V, V
DS
= -10 V,
I
D
= -3.0 A
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -10 V,
I
D
= -3.0 A
280
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= -10 V
80
52
2.8
0.4
1.1
1.1
5.8
8.8
nC
360
110
80
4.2
nC
pF
I
D
= -3.0 A
I
D
= -1.5 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
-1.0
4.4
70
120
5.0
95
165
-3.0
V
毫伏/°C的
mW
S
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
-30
30
-1.0
-10
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
DS
= -1.5 V，I
D
= -3.0 A
http://onsemi.com
2
NTMD4184PF
典型特征
1000
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
R（ T） （ ° C / W）
10
1
0.1
0.01
单脉冲
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲时间（秒）
图11.热响应 - R的
qJA
在稳定状态（分片）
100
0.5
R（ T） （ ° C / W）
0.2
0.1
10
0.05
0.02
1
0.01
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0000001 0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲时间（秒）
图12.热响应 - R的
qJA
在稳定状态（ 1英寸平方垫）
I
F
，正向电流（A）
100
I
F
，正向电流（A）
100
10
T
J
= 85°C
1
T
J
= 125°C
10
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
1
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
F
，正向电压（ V）
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
V
F
，最大正向电压（ V）
图13.典型正向电压
图14.最大正向电压
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
