NTMD2P01R2
功率MOSFET
-2.3安培，伏特-16
双SOIC - 8封装
特点
http://onsemi.com
在单SOIC - 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
逻辑电平栅极驱动器
SOIC - 8表面贴装封装，
安装信息的SOIC - 8封装提供
无铅包可用
应用
V
DSS
16
V
R
DS （ ON）
典型值
100毫瓦@
4.5
V
I
D
最大
2.3
A
P- CHANNEL
D
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境
（注3）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
16
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，峰值I
L
=
5.0
APK ， L = 28 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
16
"10
175
0.71
2.3
1.45
9.0
105
1.19
2.97
1.88
12
62.5
2.0
3.85
2.43
15
55
to
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
G
S
8
1
SOIC8
后缀NB
CASE 751
风格11
标记图*
和引脚分配
D1 D1 D2 D2
8
ED2P01
AYWW
G
G
1
S1 G1 S2 G2
ED2P01 =具体设备守则
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMD2P01R2
NTMD2P01R2G
包
SOIC8
SOIC8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚
单面） ，稳态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚
单面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D
2006年2月，
第2版
1
出版订单号：
NTMD2P01R2/D
NTMD2P01R2
产品预览
功率MOSFET
-2.3安培，伏特-16
双SO- 8封装
特点
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
逻辑电平栅极驱动器
SO- 8表面贴装封装，
安装信息的SO- 8封装提供
http://onsemi.com
-2.3安培
-16伏
100毫瓦@ V
GS
= –4.5 V
P- CHANNEL
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 - 结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 - 结到环境
（注3）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= -16伏直流，V
GS
= -4.5伏，峰值I
L
= -5.0 APK ， L = 28 mH的，R
G
= 25
)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
–16
"10
175
0.71
–2.3
–1.45
–9.0
105
1.19
–2.97
–1.88
–12
62.5
2.0
–3.85
–2.43
–15
-55
+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
G
S
记号
图
SO–8
CASE 751
风格11
1
ED2P01
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
8
ED2P01
AYWW
引脚分配
Source–1
Gate–1
Source–2
1
2
3
4
8
7
6
5
Drain–1
Drain–1
Drain–2
Drain–2
T
L
260
°C
Gate–2
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，稳态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
顶视图
订购信息
设备
NTMD2P01R2
包
SO–8
航运
2500 /磁带&卷轴
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年10月 - 修订版0
出版订单号：
NTMD2P01R2/D
QQ：2880707522 复制
