30 V ， N沟道0.5肖特基
势垒二极管， 1.6 ×1.6× 0.55毫米
mCoolt
包
特点
NTLUF4189NZ
功率MOSFET和
肖特基二极管
低的Qg和电容，以最大限度地降低开关损耗
低调UDFN 1.6x1.6毫米的电路板空间节省
低VF肖特基二极管
ESD保护门
这是一种无卤化物设备
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
200毫瓦@ 4.5 V
250毫瓦@ 3.0 V
350毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
1.5 A
0.5 A
0.5 A
应用
DC- DC升压转换器
彩色显示器和相机闪光灯调节
优化的电源管理应用的便携式
产品，如移动电话， PMP， DSC ，GPS和其他
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
ESD
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±8.0
1.5
1.1
1.9
0.8
1.3
1.2
0.9
0.5
8.0
-55
150
-55
125
1.5
260
1000
W
A
°C
°C
A
°C
A
W
肖特基二极管
V
R
最大
30 V
D
V
F
典型值
0.52 V
A
I
F
最大
0.5 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
单位
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
K
肖特基二极管
记号
图
6
1
UDFN6
CASE 517AT
mCoolt
1
AA MG
G
功率耗散（注2 ）
漏电流脉冲
MOSFET工作结存储
温度
肖特基工作结&存储
温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
栅 - 源ESD额定值
（ HBM ）每JESD22- A114F
AA =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
引脚连接
A
N / C
1
2
D
D
3
（ TOP VIEW ）
4
S
K
6
5
K
G
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
为30毫米
2
， 2盎司铜。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
2009年3月
第1版
1
出版订单号：
NTLUF4189NZ/D
NTLUF4189NZ
设备订货信息
设备
NTLUF4189NZTAG
NTLUF4189NZTBG
包
UDFN6
（无铅）
UDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
最大
155
100
245
单位
° C / W
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
30
30
0.5
单位
V
V
A
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 1.5 A
V
GS
= 3.0 V，I
D
= 0.5 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 0.5 A
正向跨导
CHARGES &电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
3.
4.
5.
6.
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V;
I
D
= 1.5 A
V
GS
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
DS
= 15 V
95
15
10
1.4
0.2
0.4
0.4
3.0
nC
pF
g
FS
V
DS
= 4.0 V，I
D
= 0.15 A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
I
D
= 250
μA,
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
30
22
1.0
10
10
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度。系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±
8.0 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
1.1
3.0
145
185
220
1.1
1.5
V
毫伏/°C的
200
250
350
mW
S
表面安装用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线）
为30mm表面安装在使用最小FR4板推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTLUF4189NZ
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性， VGS = 4.5 V
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
符号
V
F
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
V
F
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 500毫安
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 10 V
V
R
= 30 V
C
V
R
= 5 V ， F = 1.0 MHz的
民
V
GS
= 0 V ，二
SD
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 1 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1A
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
0.8
0.75
10.5
8.9
1.6
2.1
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1A ，R
G
= 6
W
7.0
4.5
10.2
1.2
ns
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
最大正向
电压
典型值
0.27
0.36
0.52
2.0
20
最大
0.37
0.46
0.62
10
200
mA
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 85°C除非另有说明）
最大瞬时
正向电压
0.2
0.3
0.51
80
525
mA
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 125°C ，除非另有说明）
最大瞬时
正向电压
0.14
0.27
0.51
600
3000
mA
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
电容
3.
4.
5.
6.
6.0
pF
表面安装用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线）
为30mm表面安装在使用最小FR4板推荐焊盘尺寸
2
， 2盎司铜。
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
3
NTLUF4189NZ
典型MOSFET的特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
150
125
C，电容（pF ）
100
75
50
25
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
C
OSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
5
4
V
DS
3
Q
GS
2
1
0
V
GS
= 15 V
I
D
= 1.5 A
T
J
= 25°C
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
5
Q
GD
V
GS
10
Q
T
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
C
国际空间站
15
0
1.5
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
10
I
S
，源电流（ A）
100
V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 15 V
I
D
= 1.0 A
T， TIME （ NS ）
10
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
1.0
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
t
f
0.1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
T
J
=
55°C
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1.4
1.3
1.2
功率（W）的
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 250
mA
175
150
125
100
75
50
25
图10.二极管的正向电压与电流
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0
150 0.0000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
T
J
，温度（° C）
单脉冲时间（s ）
图11.阈值电压
图12.单脉冲最大功率
耗散
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
