NTLJS3180PZ
功率MOSFET
特点
20
V,
7.7
A,
mCoolt
单P沟道，
ESD， 2×2毫米的WDFN封装
WDFN的2x2毫米封装，带有裸漏焊盘优秀
热传导
低R
DS （ ON）
采用2x2毫米封装解决方案
足迹同SC- 88封装
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
ESD保护
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
38毫瓦@
4.5
V
20
V
50毫瓦@
2.5
V
75毫瓦@
1.8
V
200毫瓦@
1.5
V
S
7.7
A
I
D
最大
应用
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
高侧负载开关
电池开关
DC-DC转换器
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
t
≤
5s
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
3.3
3.5
2.5
0.7
23
55
to
150
2.8
260
W
A
°C
A
°C
D
D
G
1
2
3
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
5.9
4.2
7.7
1.9
W
单位
V
V
A
销1
S
D
P沟道MOSFET
D
WDFN6
CASE 506AP
记号
图
1
6
2 AAMG 5
G
3
4
AA =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
6
5
4
（ TOP VIEW ）
D
D
S
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面使用最小推荐的焊盘尺寸安装在FR4板，
(30 mm
2
， 2盎司铜） 。
订购信息
设备
NTLJS3180PZTAG
NTLJS3180PZTBG
包
航运
WDFN6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTLJS3180PZ/D
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年12月，
第0版
1
NTLJS3180PZ
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
65
180
38
° C / W
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
栅极阈值温度Coeffi-
cient
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.0
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
3.0
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
2.0
A
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
1.8
A
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
正向恢复电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
=
2.0
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
10
V,
I
D
=
3.0
A，R
G
= 3.0
W
8.0
15
70
67
0.7
0.6
60
16
44
41
nC
ns
1.0
ns
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
16
V,
I
D
=
3.0
A
V
DS
=
16
V，I
D
=
3.0
A
收费，电容和栅极电阻
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
16
V
1100
180
130
13
0.5
1.4
4.2
19.5
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.45
3.0
30
40
55
85
7.7
38
50
75
200
S
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
裁判25℃
V
DS
=
16
V, V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
5.0
1.0
10
±10
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V ， IS =
2.0
A
V
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
