【NTLJS2103P功率MOSFET特点12V,7.7A,mCoolt单P沟道，2×2毫米， WDF】,IC型号NTLJS2103PTBG,NTLJS2103PTBG PDF资料,NTLJS2103PTBG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTLJS2103P

功率MOSFET

特点

12

V,

7.7

A,

mCoolt

单P沟道，

2×2毫米， WDFN封装

WDFN封装提供的暴露漏极焊盘为优良的热

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

典型值

25毫瓦@

4.5

V

35毫瓦@

2.5

V

12

V

45毫瓦@

1.8

V

60毫瓦@

1.5

V

95毫瓦@

1.2

V

S

I

D

最大

（注1 ）

5.9

A

5.3

A

2.0

A

1.0

A

0.2

A

传导

2×2毫米的尺寸相同， SC- 88封装

低R

DS （ ON）

采用2x2毫米封装解决方案

1.2 V R

DS （ ON）

评级工作在低电压逻辑电平门

DRIVE

薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境

这是一个Pb - Free设备

应用

高侧负载开关

DC - DC转换器（降压和升压电路）

优化电池和负载管理的应用

便携式设备

锂离子电池线性充电模式

G

P沟道MOSFET

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

稳定

状态

t

≤

5s

功耗

（注1 ）

连续漏极

电流（注2 ）

功耗

（注2 ）

漏电流脉冲

稳定

状态

t

≤

5s

T

A

= 25°C

稳定

状态

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

T

L

I

D

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

P

D

T

A

= 25°C

3.3

3.5

2.5

0.7

24

55

to

150

2.7

260

W

A

°C

A

°C

A

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

12

±8.0

5.9

4.2

7.7

1.9

W

单位

V

V

A

D

S

D

WDFN6

CASE 506AP

记号

图

1

2 J7MG

G

3

6

5

4

销1

J7 =具体设备守则

M =日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

引脚连接

D

D

G

1

2

3

S

（ TOP VIEW ）

D

6

5

4

D

D

S

t

p

= 10

ms

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）（注2 ）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

订购信息

设备

NTLJS2103PTAG

NTLJS2103PTBG

包

WDFN6

（无铅）

WDFN6

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

3000 /磁带&卷轴

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸

[ 2盎司]包括痕迹）。

2.表面使用最小推荐的焊盘尺寸安装在FR4板，

(30 mm

2

， 2盎司铜）。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

出版订单号：

NTLJS2103P/D

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年7月

第2版

1

NTLJS2103P

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 吨

≤

5秒（注3）

结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）

符号

R

qJA

R

qJA

R

qJA

最大

65

38

180

° C / W

单位

3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹）。

4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米

2

， 2盎司铜）。

MOSFET电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负门极阈值

温度COEF网络cient

漏极 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

=

4.5,

I

D

=

5.9

A

V

GS

=

4.5,

I

D

=

3.0

A

V

GS

=

2.5,

I

D

=

5.3

A

V

GS

=

2.5,

I

D

=

3.0

A

V

GS

=

1.8,

I

D

=

2.0

A

V

GS

=

1.5,

I

D

=

1.0

A

V

GS

=

1.2,

I

D

=

200

mA

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电阻

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

正向恢复电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

V

GS

= 0 V ，D

ISD

/d

t

= 100 A / MS ，

I

S

=

1.0

A

T

J

= 25°C

T

J

= 85°C

V

GS

=

4.5

V, V

DD

=

8.0

V,

I

D

=

5.9

A，R

G

= 2.0

W

8.0

27

74

88

0.62

0.56

27

10

17

14

nC

50

ns

1.0

ns

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

R

G

V

GS

=

4.5

V, V

DS

=

9.6

V,

I

D

=

5.9

A

V

DS

=

6.0

V，I

D

=

2.0

A

收费，电容和栅极电阻

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

=

6.0

V

1157

300

200

12.8

0.4

1.6

3.6

15.7

W

15

nC

pF

V

GS

= V

DS

, I

D

=

250

mA

0.3

2.6

25

25

35

35

45

60

95

8.8

40

40

50

50

75

100

400

S

0.8

V

毫伏/°C的

mW

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V，I

D

=

250

mA

I

D

=

250

毫安，

裁判25℃

V

DS

=

12

V, V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

T

J

= 85°C

12

8.0

1.0

5.0

±0.1

mA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±8.0

V

漏源二极管特性

V

GS

= 0 V，I

S

=

1.0

A

V

5.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTLJS2103P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

20

I

D,

漏电流（安培）

16

12

8

4

0

1.0

V

1.1

V

1.5

V

V

GS

=

4.5

V

2.5

V

T

J

= 25°C

2

V

1.8

V

I

D,

漏电流（安培）

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

0.5

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.75

1.0

T

J

=

55°C

1.25

1.5

1.75

2.0

2.25

2.5

V

DS

=

5

V

1.2

V

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

I

D

=

0.2

A

I

D

=

5.9

A

T

J

= 25°C

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

0

2

图2.传输特性

T

J

= 25°C

1.2

V

V

GS

=

1.5

V

V

GS

=

1.8

V

V

GS

=

2.5

V

V

GS

=

4.5

V

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

I

D,

漏电流（安培）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.5

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

50

25

0

25

50

75

100

125

150

1000

V

GS

=

4.5

V

I

D

=

5.9

A

I

DSS

，漏电（ NA）

100000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

10000

T

J

= 125°C

2

4

6

8

10

12

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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3

NTLJS2103P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

-V GS ，栅极至源极电压（伏）

1800

1600

C，电容（pF ）

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

0

C

OSS

C

RSS

2

4

6

8

10

12

C

国际空间站

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

F = 1 MHz的

5

4

-V

DS

3

6

2

Q

GS

1

Q

GD

4

V

DS

=

9.6

V

I

D

=

5.9

A

T

J

= 25°C

0

2

4

6

8

10

12

14

2

0

-V

GS

QT

12

10

8

-V DS ，漏极至源极电压（伏）

0

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

t

D（关闭）

t

f

t

r

I

S，源电流（安培）

10000

V

GS

=

4.5

V

V

DD

=

8.0

V

I

D

=

5.9

A

T， TIME （ NS ）

100

V

GS

= 0 V

10

10

t

D（上）

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

1

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

0.8

0.7

0.6

功率（瓦）

V

GS （ TH）

(V)

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

50

25

0

25

50

75

100

125

150

40

30

20

10

I

D

=

250

mA

50

60

图10.二极管的正向电压与电流

0

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

T

J

，结温（ ° C）

单脉冲时间（s ）

图11.阈值电压

图12.单脉冲最大功率

耗散

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4

NTLJS2103P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

100

I

D

，漏电流（ A）

10

1毫秒

10毫秒

1

V

GS

=

8

V

单脉冲

dc

0.1 T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

套餐限制

热限制

0.01

0.1

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

100

图13.最大额定正向偏置

安全工作区

R（T ），有效瞬态热

响应归一化（ ° C / W）

1

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

P

（ PK）

测试类型= 1平方英寸2盎司

R

qJA

= 1平方英寸2盎司

t

1

单脉冲

0.001

0.01

0.1

脉冲时间（ S）

1

t

2

占空比D = T

1

/t

2

10

0.01

0.0001

100

1000

图14. FET热响应

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5

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瀚佳科技（深圳）有限公司

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电话：0755-23915992/23140719

联系人：李

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

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联系人：郑

地址：中航路新亚洲二期N3D039

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电话：0755-82561519

联系人：李先生

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NTLJS2103PTBG

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3000

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联系人：朱经理、张小姐

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