NTLJS2103P
功率MOSFET
特点
12
V,
7.7
A,
mCoolt
单P沟道，
2×2毫米， WDFN封装
WDFN封装提供的暴露漏极焊盘为优良的热
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
25毫瓦@
4.5
V
35毫瓦@
2.5
V
12
V
45毫瓦@
1.8
V
60毫瓦@
1.5
V
95毫瓦@
1.2
V
S
I
D
最大
（注1 ）
5.9
A
5.3
A
2.0
A
1.0
A
0.2
A
传导
2×2毫米的尺寸相同， SC- 88封装
低R
DS （ ON）
采用2x2毫米封装解决方案
1.2 V R
DS （ ON）
评级工作在低电压逻辑电平门
DRIVE
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
这是一个Pb - Free设备
应用
高侧负载开关
DC - DC转换器（降压和升压电路）
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
锂离子电池线性充电模式
G
P沟道MOSFET
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
t
≤
5s
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
3.3
3.5
2.5
0.7
24
55
to
150
2.7
260
W
A
°C
A
°C
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
12
±8.0
5.9
4.2
7.7
1.9
W
单位
V
V
A
D
S
D
WDFN6
CASE 506AP
记号
图
1
2 J7MG
G
3
6
5
4
销1
J7 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
D
D
G
1
2
3
S
（ TOP VIEW ）
D
6
5
4
D
D
S
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTLJS2103PTAG
NTLJS2103PTBG
包
WDFN6
（无铅）
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面使用最小推荐的焊盘尺寸安装在FR4板，
(30 mm
2
， 2盎司铜） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTLJS2103P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年7月
第2版
1
NTLJS2103P
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
65
38
180
° C / W
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负门极阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
4.5,
I
D
=
5.9
A
V
GS
=
4.5,
I
D
=
3.0
A
V
GS
=
2.5,
I
D
=
5.3
A
V
GS
=
2.5,
I
D
=
3.0
A
V
GS
=
1.8,
I
D
=
2.0
A
V
GS
=
1.5,
I
D
=
1.0
A
V
GS
=
1.2,
I
D
=
200
mA
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
正向恢复电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
=
1.0
A
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
8.0
V,
I
D
=
5.9
A，R
G
= 2.0
W
8.0
27
74
88
0.62
0.56
27
10
17
14
nC
50
ns
1.0
ns
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
9.6
V,
I
D
=
5.9
A
V
DS
=
6.0
V，I
D
=
2.0
A
收费，电容和栅极电阻
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
6.0
V
1157
300
200
12.8
0.4
1.6
3.6
15.7
W
15
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.3
2.6
25
25
35
35
45
60
95
8.8
40
40
50
50
75
100
400
S
0.8
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
裁判25℃
V
DS
=
12
V, V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
12
8.0
1.0
5.0
±0.1
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A
V
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
