NTLJF3118N
功率MOSFET和
肖特基二极管
20 V ， 4.6 A，
mCool ]
N沟道，与
2.0肖特基势垒二极管， 2×2毫米
WDFN封装
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
65毫瓦@ 4.5 V
20 V
75毫瓦@ 2.5 V
120毫瓦@ 1.8 V
I
D
最大
3.8 A
2.0 A
1.7 A
WDFN的2x2毫米封装提供的暴露排水垫
优良的热传导
足迹同SC- 88封装
1.8 V V
GS
R级
DS （ ON）
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
低V
F
2肖特基二极管
这是一个Pb - Free设备
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
典型值
0.41 V
I
F
最大
2.0 A
应用
DC-DC升压/降压转换器
低电压硬盘DC电源
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
连续漏电流
（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
t
≤
5s
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.2
2.6
1.9
0.7
18
55
to
150
1.8
260
A
°C
A
°C
A
N / C
D
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
3.8
2.8
4.6
1.5
W
单位
V
V
A
G
D
A
S
N沟道MOSFET
K
肖特基二极管
记号
图
1
WDFN6
CASE 506AN
JK
M
G
1
6
2 JK M
G
5
G
3
4
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
t
p
= 10
ms
（注：微球可在任一位置）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
引脚连接
K
K
G
S
1
2
6
5
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4电路板的平方焊盘尺寸用2
（铜面积=在平[ 2盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
D
3
（ TOP VIEW ）
4
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年10月，
第0版
1
出版订单号：
NTLJF3118N/D
NTLJF3118N
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
20
20
2.0
单位
V
V
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
83
58
177
单位
° C / W
3.表面安装在FR4电路板用2平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
栅极阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5, I
D
= 3.8 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 1.8, I
D
= 1.7 A
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
正向二极管电压
反向恢复时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
V
GS
= 0 V ， IS = 1.0
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= 1.0 A，R
G
= 2.0
W
3.8
4.7
11.1
5.8
0.69
10.2
1.0
V
ns
ns
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V，I
D
= 3.8 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
=1.7 A
收费，电容和栅极电阻
271
72
43
3.7
0.3
0.6
1.0
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
0.7
3.0
37
46
65
4.2
65
75
120
S
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
10.4
1.0
10
$100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
漏源二极管特性
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A /小姐，我
S
= 1.0 A
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTLJF3118N
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
民
民
典型值
0.26
0.35
0.41
0.20
0.045
最大
0.35
0.42
0.52
5.0
1.0
mA
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 85 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
典型值
0.18
0.29
0.36
4.9
1.6
mA
最大
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 125 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
最大瞬时
反向电流
I
R
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
符号
C
测试条件
V
R
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
民
民
典型值
0.13
0.25
0.33
42
13
mA
最大
单位
V
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
电容
典型值
52.3
最大
单位
pF
订购信息
设备
NTLJF3118NTAG
NTLJF3118NTBG
包
WDFN6
（无铅）
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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3
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