NTLJD3183CZ
功率MOSFET
特点
20 V / -20 V， 4.7 A / -4.0 A，
mCoolt
互补的， 2×2毫米， WDFN封装
WDFN的2x2毫米封装，带有裸漏焊盘优秀
热传导
低R
DS （ ON）
采用2x2毫米封装
足迹同SC- 88封装
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
ESD保护
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
N沟道
20 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
68毫瓦@ 4.5 V
86毫瓦@ 2.5 V
120毫瓦@ 1.8 V
P- CHANNEL
20
V
100毫瓦@
4.5
V
144毫瓦@
2.5
V
200毫瓦@
1.8
V
I
D
最大
4.7 A
4.2 A
3.5 A
4.0
A
3.3
A
2.8
A
应用
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
负荷开关
电平转换电路
DC-DC转换器
D2
D1
WDFN6
CASE 506AN
记号
图
1 JNMG
2
G
3
6
5
4
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
N沟道
稳定
连续漏极
状态
电流（注1 ）
t
≤
5s
P- CHANNEL
稳定
连续漏极
状态
电流（注1 ）
t
≤
5s
稳定
功耗
状态
（注1 ）
t
≤
5s
N沟道
连续漏极
电流（注2 ）
P- CHANNEL
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
稳定
状态
稳定
状态
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
3.8
2.7
4.7
3.2
2.3
4.0
1.5
2.3
2.6
1.9
I
D
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
T
L
2.2
1.6
0.71
18
16
55
to
150
260
W
A
°C
°C
A
D2
3
单位
V
V
A
销1
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
JN =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
I
D
A
引脚连接
S1
G1
D1
1
2
D2
4
（ TOP VIEW ）
S2
6
5
D1
G2
P
D
W
I
D
A
稳定
T
A
= 25°C
状态
N沟道
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
P- CH
工作结温和存储温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTLJD3183CZTAG
NTLJD3183CZTBG
包
航运
WDFN6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
WDFN6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
为30毫米
2
， 2盎司铜。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年12月，
第0版
1
出版订单号：
NTLJD3183CZ/D
NTLJD3183CZ
热电阻额定值
参数
单人操作（自加热）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
双操作（受热均匀）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
R
qJA
R
qJA
R
qJA
58
133
40
° C / W
R
qJA
R
qJA
R
qJA
83
177
54
° C / W
符号
最大
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
N
P
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
N
P
N
P
N
P
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
N
P
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
N
P
栅极阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
N
P
N
P
N
P
N
P
正向跨导
g
FS
N
P
V
GS
= V
DS
裁判25℃
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
0.4
0.4
3.0
2.0
34
68
42
90
53
125
7.0
6.5
68
100
86
144
120
200
S
mW
1.0
1.0
毫伏/°C的
V
V
GS
= 0 V
裁判25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
=
16
V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V, V
DS
=
16
V
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
I
D
= 250
mA
I
D
=
250
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
20
15
13
1.0
1.0
10
10
±10
±10
mA
mA
毫伏/°C的
V
符号
N / P
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.0
A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.0
A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1.7 A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.7
A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 2.0 A
V
DS
=
5.0
V，I
D
=
2.0
A
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
