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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第413页 > NTLJD3115PT1G
NTLJD3115P
功率MOSFET
特点
-20 V， -4.1 A，
mCoolt
双P沟道，
2×2 mm的WDFN封装
WDFN封装提供的暴露漏极焊盘为优良的热
传导
2×2毫米的尺寸相同， SC- 88
低R
DS （ ON）
采用2x2毫米封装解决方案
1.8 V R
DS （ ON）
评级工作在低电压栅极驱动逻辑
水平
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
双向电流与公共资源配置
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
100毫瓦@ -4.5 V
20 V
135毫瓦@ -2.5 V
200毫瓦@ -1.8 V
S1
S2
4.1 A
I
D
最大
（注1 ）
应用
G1
G2
优化电池和负载管理的应用
便携式设备
锂离子电池的充电和保护电路
高侧负载开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.3
2.3
1.6
0.71
20
-55
150
1.9
260
W
A
°C
A
°C
D2
3
A
D1
S1
G1
1
2
D2
4
S2
6
5
D1
G2
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8.0
3.3
2.4
4.1
1.5
W
单位
V
V
A
销1
D1
P沟道MOSFET
D2
D1
WDFN6
CASE 506AN
D2
P沟道MOSFET
记号
图
1
6
2 JDMG 5
G
3
4
JD =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PTAG
包
WDFN6
（无铅）
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
为30毫米
2
， 2盎司铜。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTLJD3115P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年6月 - 第4版
NTLJD3115P
热电阻额定值
参数
单人操作（自加热）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
双操作（受热均匀）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
R
qJA
R
qJA
R
qJA
58
133
40
° C / W
R
qJA
R
qJA
R
qJA
83
177
54
° C / W
符号
最大
单位
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4电路板（ 30毫米
2
， 2盎司铜） 。
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2
NTLJD3115P
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
裁判25℃
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
9.95
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负门极阈值
温度COEF网络cient
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±8.0
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.4
0.7
2.44
1.0
V
毫伏/°C的
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.0 A
V
GS
= 1.8, I
D
= 1.6 A
75
101
150
3.1
100
135
200
mW
正向跨导
g
FS
V
DS
= -5.0 V，I
D
= 2.0 A
S
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= -2.0 A，R
G
= 2.0
W
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 5.0 V,
I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W
5.2
13.2
13.7
19.1
5.5
15
19.8
21.6
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.0 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
531
91
56
5.5
0.7
1.0
1.4
8.8
W
6.2
nC
pF
漏源二极管特性
正向恢复电压
V
SD
V
GS
= 0 V ， IS = -1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.75
0.64
16.2
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 1.0 A
10.6
5.6
5.7
nC
ns
1.0
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复时间
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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3
NTLJD3115P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1.5 V
1.4 V
1.3 V
1.2 V
4
4.5
1.7 V
1.6 V
V
GS
= -1.9 V至-6 V
T
J
= 25°C
1.8 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
5
V
DS
≥
10 V
4
3
2
T
J
= 25°C
1
T
J
= 125°C
0
0
0.5
1
T
J
= 55°C
1.5
2
2.5
3
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.1
V
GS
= 4.5 V
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.15
T
J
= 25°C
V
GS
= 2.5 V
0.1
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 55°C
0.05
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
10000
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V
1.4
I
DSS
，漏电（ NA）
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
1.2
1.0
100
T
J
= 100°C
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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4
NTLJD3115P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
1000
C，电容（pF ）
800
600
400
200
0
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
T
J
= 25°C
-V GS ，栅极至源极电压（伏）
1200
5
QT
4
20
-V DS ，漏极至源极电压（伏）
16
3
V
DS
Q
GS
Q
GD
V
GS
12
2
8
1
I
D
= 2.2 A
T
J
= 25°C
0
0
1
5
2
3
4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
6
4
0
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
1000
I
s
，源电流（安培）
V
DD
= 15 V
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
10
t
D（关闭）
t
D（上）
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压与总充电
3
V
GS
= 0 V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
T
J
= 150°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
= 25°C
0.7
0.8
0.9 1.0
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间
变化与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
C
= 25°C
T
J
= 150°C
单脉冲
10
ms
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
*见注2页1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
dc
10
0.1
0.01
10
1
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
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NCH060B3
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NB100ELT23LDR2G
NTE7072
N2120H1EB1S
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NJL5199K-F1
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    NTLJD3115PT1G
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