NTLJD2105L
功率MOSFET
8 V ， 4.3 A，
mCool ]
高侧负载开关
与电平转换， 2×2 mm的WDFN封装
特点
WDFN的2x2毫米封装，带有裸漏焊盘提供出色
热性能
低R
DS （ ON）
与N沟道MOSFET的P通道负载开关
电平转换
N沟道工作在1.5V的栅极驱动电压电平
P通道工作在1.5 V电源电压
同样足迹SC88
薄型（ <0.8毫米）使其能够方便地融入极薄
环境
ESD保护
这些无铅器件
V
INMAX
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
50毫瓦@ 4.5 V
20 V
60毫瓦@ 2.5 V
80毫瓦@ 1.8 V
115毫瓦@ 1.5 V
4
Q2
6
2, 3
4.3 A
I
L
最大
应用
与电平转换高滑动负载开关
在超便携设备优化的电源管理
MOSFET （ Q2 ）最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
Q2输入电压（V
DS
， P沟道）
Q1开启/关闭电压（V
GS
， N沟道）
连续负载
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续负载
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
脉冲负载
当前
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
LM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
L
符号
V
IN
V
开/关
I
L
价值
8
6
4.3
3.1
1.56
2.5
1.8
0.52
20
-55
150
2.7
260
W
W
A
单位
V
V
A
销1
5
1
Q1
记号
图
1
2 JN M
G
3
6
5
4
WDFN6
CASE 506AZ
JN
M
G
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
引脚连接
A
°C
A
°C
t
p
= 10
ms
工作结存储
温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
S1
1
2
3
D1/G2
6 D1 / G2
5 G1
D2
D2
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹）
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
D2
4
S2
（ TOP VIEW ）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年11月 - 修订版0
出版订单号：
NTLJD2105L/D
NTLJD2105L
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
v
5秒（注3）
结 - 环境 - 稳态分钟垫（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
80
38
180
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
Q2漏 - 源极击穿
电压
Q2正向漏电流
V
（ BR ） DSS
I
FL
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
开/关
= 0 V,
V
IN
= 8.0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
8.0
0.1
1
±100
0.8
1.1
nA
V
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
Q1栅极至源极漏
当前
Q1二极管正向导通电压
基本特征
Q1 ON / OFF电压
Q1栅极阈值电压
Q2输入电压
Q2漏 - 源极导通
阻力
I
GSS
V
SD
V
DS
= 0 V, V
GS1
=
±6
V
I
S
= -1.0 A，V
GS1
= 0 V
V
开/关
V
GS1(TH)
V
IN
R
DS （ ON）
V
IN
= 4.5 V，I
L
= 4.0 A
V
IN
= 2.5 V，I
L
= 3.0 A
V
IN
= 1.8 V，I
L
= 1.7 A
V
IN
= 1.5 V，I
L
= 1.2 A
V
GS1
= V
DS1
, I
D
= 250
mA
1.5
0.40
1.8
33
40
60
75
1.0
1.0
8.0
1.0
8.0
50
60
80
115
A
V
V
mW
Q2负载电流
I
L
V
降
v
0.2 V, V
IN
= 2.5 V, V
开/关
= 1.5 V
V
降
v
0.3 V, V
IN
= 1.8 V, V
开/关
= 1.5 V
http://onsemi.com
2
NTLJD2105L
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
图5.打开，在
(V
in
= 1.5 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 1千瓦，R 2 = 0 ， C1 = 47 nF的）
图6.关断
(V
in
= 1.5 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 1千瓦，R 2 = 0 ， C1 = 47 nF的）
图7.打开上
(V
in
= 1.5 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 10千瓦，R 2 = 1千瓦，C = 47 nF的）
图8.关断
(V
in
= 1.5 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 10千瓦，R 2 = 1千瓦，C = 47 nF的）
图9.开启式
(V
in
= 3 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 10千瓦，R 2 = 1千瓦，C = 47 nF的）
图10.关断
(V
in
= 3 V ，R
L
= 3
W,
R 1 = 10千瓦，R 2 = 1千瓦，C = 47 nF的）
http://onsemi.com
4
NTLJD2105L
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
有效瞬态热阻
1000
100 D = 0.5
0.2
0.1
10 0.05
0.02
0.01
1
单脉冲
0.1
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
P
（ PK）
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
R
qJA
(t)
10
100
1000
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.1
吨，时间（秒）
1
图11.热响应
V
IN
R1
4
Q2
6
2, 3
C1
6
V
OUT
开/关
C
I
5
Q1
1
R2
C
O
负载
GND
GND
图12.负载开关应用
组件
R1
R2
描述
上拉电阻
典型的10千瓦至1.0
W*
价值
可选摆率控制
输出电容
典型的0千瓦至100千瓦*
通常< 1.0
mF
C
O
, C
I
C1
可选的浪涌电流控制
典型
v
1000 pF的
*最小R 1值应至少为10× R 2 ，以确保Q1导通。
订购信息
设备
NTLJD2105LTBG
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
