NTK3139P
功率MOSFET
-20 V， -780毫安，单P沟道与
ESD保护， SOT- 723
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
0.38
W
@ 4.5 V
20 V
0.52
W
@ 2.5 V
0.70
W
@ 1.8 V
0.95
W
@ 1.5 V
I
D
最大
-780毫安
= 660毫安
-100毫安
-100毫安
与低R P沟道开关
DS （ ON）
小44 ％的脚印和38 ％，比的SC- 89稀释剂
低阈值级别允许1.5 V R
DS （ ON）
等级
工作在低逻辑电平栅极驱动器
这些无铅器件
应用
负载/电源开关
接口，逻辑开关
超小型便携式电子产品电池管理
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
脉冲漏电流
租金
t
p
= 10
ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±
6
780
570
870
450
550
660
480
310
1.2
-55
150
260
mW
A
°C
°C
mA
mW
单位
V
V
mA
SOT - 723 （ 3 - LEAD ）
3
1
顶视图
2
1 - 门
2 =源
3 =漏极
标记图
KD M
SOT723
CASE 631AA
风格5
1
KD =具体设备守则
M
=日期代码
工作结温和存储温度
TURE
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
订购信息
设备
NTK3139PT1G
NTK3139PT5G
包
SOT723*
SOT723*
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装在FR4电路板使用推荐的最小焊盘尺寸
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 修订版0
出版订单号：
NTK3139P/D
NTK3139P
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态
（注3）
结 - 环境 - T = 5秒
（注3）
结 - 环境 - 稳态最小焊盘
（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
280
228
400
单位
° C / W
3.表面安装用1平方焊盘尺寸FR4电路板（铜面积=在平1.127 [ 1盎司]包括痕迹）
4.表面安装在FR4板采用推荐的最小焊盘尺寸
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿
电压
漏极至源极击穿
电压温度系数
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 16V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
16.5
1.0
2.0
±2.0
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±4.5
V
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.45
2.4
1.2
V
毫伏/°C的
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -780毫安
R
DS （ ON）
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -660毫安
V
GS
= -1.8 V，I
D
= -100毫安
V
GS
= -1.5 V，I
D
= -100毫安
0.38
0.52
0.70
0.95
1.2
0.48
0.67
0.95
2.20
S
W
正向跨导
g
FS
V
DS
= -10 V，I
D
= -540毫安
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 16 V
113
15
9.0
170
25
15
pF
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注6 ）
打开延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= -200毫安，R
G
= 10
W
9.0
5.8
32.7
20.3
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
ISD
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= -1.0 A，V
DD
= 20 V
V
GS
= 0 V，I
S
= -350毫安
T
J
= 25°C
0.8
13.2
11.8
1.4
5.0
nC
1.2
V
ns
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％
6.开关特性是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTK3139P
包装尺寸
SOT723
CASE 631AA -01
版本C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
X
D
b1
Y
3
A
E
1
2
L
C
H
E
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
e
b
2X
0.08 （ 0.0032 ） X Y
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.21
0.27
0.25
0.31
0.37
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
民
喃
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
风格5 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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