NTK3043N
功率MOSFET
20 V ，285 mA时， N通道带ESD
保护， SOT- 723
特点
实现了高密度印制电路板制造
小44 ％的体积比SC- 89和38 ％，比SC- 89稀释剂
低电压驱动使该器件非常适合便携式设备
低门限电平，V
GS （ TH）
< 1.3 V
薄型（ < 0.5mm）的允许其轻松放入极薄
环境，如便携式电子产品
工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
这些无铅器件
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
1.5
W
@ 4.5 V
20 V
2.4
W
@ 2.5 V
5.1
W
@ 1.8 V
6.8
W
@ 1.65 V
285毫安
I
D
最大
顶视图
3
接口，开关
高速开关
移动电话，PDA
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
v
5s
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
545
mA
mW
mA
°C
mA
°C
KA
M
210
155
310
400
-55
150
286
260
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
20
±10
255
185
285
440
mW
mA
单位
V
V
1
2
1 - 门
2 =源
3 =漏极
记号
图
KA
SOT723
CASE 631AA
1
t
p
= 10
ms
=器件代码
=日期代码
工作结贮藏温T
J
, T
英镑
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“案件从10秒）
I
S
T
L
订购信息
设备
NTK3043NT1G
NTK3043NT5G
包
SOT723*
SOT723*
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平1.127 [ 1盎司]包括痕迹）
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*这些软件包本身无铅。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年4月 - 第3版
出版订单号：
NTK3043N/D
M
NTK3043N
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - T = 5秒（注3 ）
结 - 环境 - 稳态最小焊盘（注4 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
280
228
400
° C / W
单位
3.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 1盎司]包括迹线）
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 100
mA
I
D
= 100
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 16 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
20
27
1
10
1
V
毫伏/°C的
mA
mA
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
栅极阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 255毫安
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 1.65 V，I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
0.4
2.4
1.5
1.6
2.4
5.1
6.8
1.3
V
毫伏/°C的
3.4
3.8
4.5
10
15
S
W
正向跨导
V
DS
= 5 V，I
D
= 100毫安
g
FS
0.275
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性， VGS = 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 286毫安
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
6.开关特性是独立的工作结点温度
V
GS
= 0 V, V
DD
= 20 V ， DISD / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 286毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
SD
0.83
0.69
9.1
7.1
2.0
3.7
nC
ns
1.2
V
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 5 V，I
D
= 10毫安，
R
G
= 6
W
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
13
15
94
55
ns
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 10 V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
11
8.3
2.7
pF
http://onsemi.com
2
NTK3043N
包装尺寸
SOT723
CASE 631AA -01
问题B
X
D
b1
Y
3
A
E
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
L
C
H
E
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
e
b
2X
0.08 （ 0.0032 ） X Y
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.21
0.27
0.25
0.31
0.37
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
民
喃
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
焊接足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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