NTJS4405N
小信号MOSFET
25 V ， 1.2 A单N通道， SC- 88
特点
高级平面技术的快速切换，低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
无铅包可用
应用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
25 V
R
DS （ ON）
典型值
249毫瓦@ 4.5 V
299毫瓦@ 2.7 V
N沟道
排水1 2 5 6
I
D
最大
1.2 A
升压和降压转换器
负荷开关
电池保护
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流
连续漏电流
（注1 ）
功率耗散（注1 ）
功率耗散（注1 ）
漏电流脉冲
t<5s
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
P
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
D
价值
25
"8.0
1.2
1.0
0.80
0.63
0.89
3.7
55
to
+150
0.8
260
250
W
W
A
1
SC88/SOT363
CASE 419B
单位
V
V
A
A
3号门
源4
标记图&
引脚分配
D
6
TS M
G
G
1
D
TS
M
G
D
G
D
S
稳定状态
t
v
5s
t
p
= 10
ms
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注1 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
ESD额定值
机器型号
°
C
A
°C
V
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
热电阻额定值
等级
结到铅 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结到环境
t
v
5秒（注1 ）
符号
R
qJL
R
qJA
R
qJA
最大
102
200
140
单位
° C / W
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTJS4405NT1
NTJS4405NT1G
NTJS4405NT4
NTJS4405NT4G
包
SC88
航运
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
SC - 88 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SC88
万/磁带&卷轴
SC - 88万/磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年2月，
第4版
1
出版订单号：
NTJS4405N/D
NTJS4405N
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
A3
6
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
H
E
1
2
3
E
C
b
6 PL
0.2 (0.008)
A
M
L
E
M
A1
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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5
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