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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第306页 > NTJS3151PT2
NTJS3151P
沟槽功率MOSFET
12 V ， 3.3 A单P沟道，
ESD保护SC- 88
特点
领先的沟槽技术的低R
DS （ ON）
延长电池寿命
SC -88小外形（2×2毫米， SC70-6等效）
门二极管的ESD保护
无铅包可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
45毫瓦@
4.5
V
12
V
67毫瓦@
2.5
V
133毫瓦@
1.8
V
3.3
A
I
D
最大
应用
高侧负载开关
手机，电脑，数码相机， MP3和掌上电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
T
A
= 25
°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
12
±12
2.7
2.0
3.3
0.625
8.0
55
to
150
0.8
260
W
A
单位
V
V
A
G
D
D
SC- 88 （ SOT- 363 ）
1
6
D
2
5
D
3
顶视图
4
D
S
3千瓦
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
°C
S
热电阻额定值
（注1 ）
参数
结 - 环境 - 稳态
结到环境
t
≤
5 s
结到铅 - 稳态
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJL
最大
200
141
102
单位
° C / W
1
标记图&
引脚分配
D
6
TJ M
G
G
1
D
TJ
M
G
D
G
D
S
SC88/SOT363
CASE 419B
28风格
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
NTJS3151/D
NTJS3151P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
=
9.6
V,
V
DS
= 0 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.5
±1.5
±10
mA
mA
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
12
10
1.0
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
3.3
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.9
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.0
A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
6.0
V,
I
D
=
1.0
A，R
G
= 6.0
W
0.86
1.5
3.5
3.9
ms
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
R
G
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
5.0
V,
I
D
=
3.3
A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
12
V
850
170
110
8.6
1.3
2.2
3000
W
nC
pF
g
FS
V
GS
=
10
V，I
D
=
3.3
A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 100
mA
0.40
3.4
45
67
133
15
60
90
160
S
V
毫伏/°C的
mW
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
=
3.3
A
0.85
0.7
1.2
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTJS3151P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
8
I
D,
漏电流（安培）
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
3.4
V
2.4
V
2
V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（安培）
8
V
DS
≤
12
V
6
6
4
4
125°C
25°C
0
0
T
J
=
55°C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 4.5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
2
1.6
V
1.4
V
1.2
V
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2
0
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.1
V
GS
=
4.5
V
0.5
图2.传输特性
V
GS
=
1.8
V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
T
J
= 25°C
0.075
T
J
= 125°C
0.05
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0.025
V
GS
=
2.5
V
V
GS
=
4.5
V
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
I
D,
漏电流（安培）
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与漏电流和
温度
2.0
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100000
I
DSS ，
漏电流（ NA）
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
I
D
=
3.3
A
V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 0 V
10000
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
2
8
4
6
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
12
T
J
，结温（ ° C）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTJS3151P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
C
RSS
0
2
4
6
8
10
12
C
OSS
C
国际空间站
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
I
D
=
3.3
A
T
J
= 25°C
8
4
6
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
10
Q1
Q2
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
QT
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
栅极电荷
4
10000
t
f
t
D（关闭）
T， TIME （ NS ）
t
r
1000
t
D（上）
I
S
，源电流（安培）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
3
2
V
DD
=
6.0
V
I
D
=
1.0
A
V
GS
=
4.5
V
100
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8 0.9
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
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4
NTJS3151P
订购信息
设备
NTJS3151PT1
NTJS3151PT1G
NTJS3151PT2
NTJS3151PT2G
包
SC88
SC88
（无铅）
SC88
SC88
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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NJU7095M
NJU7015
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NCP1377BDR2
NT256S64V8HC0G-8B
NX8571SC737-BA
NCE100A10K
NTE5946
NL27WZ17
NJU6332DE
NAND512W4A2BZA6T
N82LHS321A
NJM2234
NLC565050T-1R5K-S
NRSH102M35V12.5x20F
NRS336K20
NMD1024X1N80
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单价/备注
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    NTJS3151PT2
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