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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第303页 > NTJD4401NT1
NTJD4401N
小信号MOSFET
20 V ,双N沟道, SC- 88
ESD保护
特点
占地面积小( 2 ×2mm的)
低门电荷的N沟道器件
ESD保护门
相同的封装SC- 70 ( 6引线)
无铅包可用
负载功率开关
锂离子电池供电设备
手机,媒体播放器,数码相机,掌上电脑
DC- DC转换器
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
0.22
W
@ 4.5 V
20 V
0.32
W
@ 2.5 V
0.51
W
@ 1.8 V
0.775 A
I
D
最大
应用
SC- 88 ( SOT- 363 )
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
(基于R
qJA
)
功耗
(基于R
qJA
)
连续漏极
当前
(基于R
qJL
)
功耗
(基于R
qJL
)
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
t
≤10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
0.63
0.46
0.27
0.14
0.91
0.65
0.55
0.29
±1.2
-55
150
0.63
260
A
W
A
W
单位
V
V
A
S
1
1
6
D
1
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
顶视图
标记图&
引脚分配
D1 G2 S2
6
TD M
G
G
1
S1 G1 D2
TD
M
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
连续源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
°
C
A
°C
1
SC-88/SOT-363
CASE 419B
28风格
热电阻额定值
(注1 )
参数
结 - 环境 - 稳态
结到铅(漏) - 稳态
符号
R
qJA
R
qJL
典型值
400
194
最大
460
226
单位
° C / W
(注:微球可在任一位置)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
1
2008年1月 - 第4版
出版订单号:
NTJD4401N/D
NTJD4401N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
栅极阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.63 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 0.40 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
开关特性
(注3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 0.5 A ,R
G
= 20
W
0.083
0.227
0.786
0.506
ms
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 0.63 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 20 V
33
13
2.8
1.3
0.1
0.2
0.4
46
22
5.0
3.0
nC
pF
g
FS
V
DS
= 4.0 V,I
D
= 0.63 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
0.92
-2.1
0.29
0.36
2.0
0.375
0.445
S
1.5
V
毫伏/
°C
W
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
20
27
22
1.0
10
V
毫伏/
°C
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
=0.23 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.76
0.63
0.410
ms
1.1
V
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
= 0.63 A
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTJD4401N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
1.4
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.4 V
0.2
1.2 V
0
0
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
1.6 V
V
GS
= 4.5 V至2.2 V
V
GS
= 2 V
1.8 V
1.2
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流(安培)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
10 V
T
J
= 125°C
25°C
T
J
= -55°C
0.4
0.8
1.2
2
1.6
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
2.4
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.7
0.6
0.5
0.4
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
图2.传输特性
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
1
0.8
0.6
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1.4
0.6
0.4
1
0.8
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1.4
图3.导通电阻与漏电流和
温度
2
R
DS (ON ) ,
漏 - 源
电阻(标准化)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 0.63 A
V
GS
= 4.5 V
和2.5 V
80
图4.导通电阻与漏电流和
温度
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C,电容(pF )
60
40
C
国际空间站
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
T
J
,结温( ° C)
漏 - 源电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.电容变化
http://onsemi.com
3
NTJD4401N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
5
I
S
,源电流(安培)
Q
G( TOT )
4
V
GS
3
Q
GS
Q
GD
0.7
V
GS
= 0 V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.4
0
0.2
0.4
0.6
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.8
1
2
1
0
0
0.2
I
D
= 0.63 A
T
J
= 25°C
0.4
0.6
0.8
1
Q
g
,总栅极电荷( NC)
1.2
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图7.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图8.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NTJD4401NT1
NTJD4401NT1G
NTJD4401NT2
NTJD4401NT2G
NTJD4401NT4
NTJD4401NT4G
SC-88
SC-88
(无铅)
SC-88
SC-88
(无铅)
SC-88
SC-88
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
NTJD4401N
包装尺寸
SC-88/SC70-6/SOT-363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
A3
6
5
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 419B -01已过时,新标准419B -02 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.95
1.10
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.20 REF
b
0.10
0.21
0.30
C
0.10
0.14
0.25
D
1.80
2.00
2.20
E
1.15
1.25
1.35
e
0.65 BSC
L
0.10
0.20
0.30
H
E
2.00
2.10
2.20
风格26 :
PIN 1.信号源1
2.门1
3.排水2
4.源2
5.门2
6.排水1
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
0.031
0.000
H
E
1
2
3
-E-
C
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
L
E
M
A
A1
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真: 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件: orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NTJD4401N/D
NTJD4401N
小信号MOSFET
20 V ,双N沟道, SC- 88
ESD保护
特点
占地面积小( 2 ×2mm的)
低门电荷的N沟道器件
ESD保护门
相同的封装SC- 70 ( 6引线)
无铅包可用
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
典型值
0.22
W
@ 4.5 V
8V
0.32
W
@ 2.5 V
0.51
W
@ 1.8 V
0.775 A
I
D
最大
应用
负载功率开关
锂离子电池供电设备
手机,媒体播放器,数码相机,掌上电脑
DC- DC转换器
SC- 88 ( SOT- 363 )
S
1
1
6
D
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
(基于R
qJA
)
功耗
(基于R
qJA
)
连续漏极
当前
(基于R
qJL
)
功耗
(基于R
qJL
)
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
t
≤10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
0.63
0.46
0.27
0.14
0.91
0.65
0.55
0.29
±1.2
-55
150
0.63
260
A
W
A
W
单位
V
V
A
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
顶视图
标记图&
引脚分配
D1 G2 S2
1
SC88/SOT363
CASE 419B
28风格
6
TD M
G
G
1
S1 G1 D2
TD
M
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
连续源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
°
C
A
°C
(注:微球可在任一位置)
热电阻额定值
(注1 )
参数
结 - 环境 - 稳态
结到铅(漏) - 稳态
符号
R
qJA
R
qJL
典型值
400
194
最大
460
226
单位
° C / W
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年11月 - 第3版
出版订单号:
NTJD4401N/D
NTJD4401N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
栅极阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 0.63 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 0.40 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注3)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 0.5 A ,R
G
= 20
W
0.083
0.227
0.786
0.506
ms
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 0.63 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 20 V
33
13
2.8
1.3
0.1
0.2
0.4
46
22
5.0
3.0
nC
pF
g
FS
V
DS
= 4.0 V,I
D
= 0.63 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.6
0.92
2.1
0.29
0.36
2.0
0.375
0.445
S
1.5
V
毫伏/
°C
W
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
20
27
22
1.0
10
V
毫伏/
°C
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
=0.23 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.76
0.63
0.410
ms
1.1
V
反向恢复时间
t
RR
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
= 0.63 A
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTJD4401N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
1.4
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.4 V
0.2
1.2 V
0
0
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
1.6 V
V
GS
= 4.5 V至2.2 V
V
GS
= 2 V
1.8 V
1.2
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流(安培)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
10 V
T
J
= 125°C
25°C
T
J
= 55°C
0.4
1.2
2
0.8
1.6
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
2.4
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.7
0.6
0.5
0.4
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
图2.传输特性
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 55°C
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
1
0.8
0.6
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1.4
0.6
0.4
1
0.8
I
D,
漏电流(安培)
1.2
1.4
图3.导通电阻与漏电流和
温度
2
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
0
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 0.63 A
V
GS
= 4.5 V
和2.5 V
80
图4.导通电阻与漏电流和
温度
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C,电容(pF )
60
40
C
国际空间站
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
T
J
,结温( ° C)
漏 - 源电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.电容变化
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3
NTJD4401N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
5
I
S
,源电流(安培)
Q
G( TOT )
4
V
GS
3
Q
GS
Q
GD
0.7
V
GS
= 0 V
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.4
0
0.2
0.4
0.6
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.8
1
2
1
0
0
0.2
I
D
= 0.63 A
T
J
= 25°C
0.4
0.6
0.8
1
Q
g
,总栅极电荷( NC)
1.2
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图7.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
图8.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NTJD4401NT1
NTJD4401NT1G
NTJD4401NT2
NTJD4401NT2G
NTJD4401NT4
NTJD4401NT4G
SC88
SC88
(无铅)
SC88
SC88
(无铅)
SC88
SC88
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
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规范手册, BRD8011 / D 。
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4
NTJD4401N
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
A3
6
5
4
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 419B -01已过时,新标准419B -02 。
MILLIMETERS
DIM MIN
喃最大
A
0.80
0.95
1.10
A1
0.00
0.05
0.10
A3
0.20 REF
b
0.10
0.21
0.30
C
0.10
0.14
0.25
D
1.80
2.00
2.20
E
1.15
1.25
1.35
e
0.65 BSC
L
0.10
0.20
0.30
H
E
2.00
2.10
2.20
风格26 :
PIN 1.信号源1
2.门1
3.排水2
4.源2
5.门2
6.排水1
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
0.031
0.000
H
E
1
2
3
E
C
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
L
E
M
A
A1
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
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SOT363
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联系人:销售部
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