【NTJD4105C小信号MOSFET20 V / -8.0 V，互补，0.63 A / -0.775】,IC型号NTJD4105CT2,NTJD4105CT2 PDF资料,NTJD4105CT2经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTJD4105C

小信号MOSFET

20 V / -8.0 V，互补，

0.63 A / -0.775 A， SC -88

特点

互补的N和P沟道器件

领先-8.0 V沟的低R

DS （ ON）

性能

ESD保护门 - ESD等级： 1级

SC- 88封装的体积小（ 2 ×2mm的）

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

DC- DC转换器

负载/电源开关

单节或两节锂离子电池供电设备

手机， MP3音乐，数码相机，掌上电脑

参数

符号

N沟道

P- CH

N沟道

P- CH

N沟道

C

P- CH

C

N沟道

C

P- CH

C

T

A

=25°C

T

A

=85°C

T

A

=25°C

T

A

=85°C

T

A

=25°C

T

A

=85°C

T

A

=25°C

T

A

=85°C

tp≤10

ms

T

A

=25°C

T

A

=85°C

T

A

=25°C

T

A

=85°C

T

J

,

T

英镑

I

S

T

L

I

DM

P

D

V

DSS

V

GS

I

D

价值

20

8.0

±12

±8.0

0.63

0.46

0.775

0.558

0.91

0.65

1.1

0.8

±1.2

0.27

0.14

0.55

0.29

-55

150

0.63

0.775

260

°C

°C

A

A

W

A

V

单位

V

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

N沟道20 V

R

DS （ ON）

典型值

0.29

W

@ 4.5 V

0.36

W

@ 2.5 V

0.22

W

@ 4.5 V

I

D

最大

0.63 A

应用

P沟道-8.0 V

0.32

W

@ 2.5 V

0.51

W

@ 1.8 V

0.775 A

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

漏极至源极电压

a

嗖CE 年龄

嘎ê 嗖CE 年龄

栅极 - 源极电压

连续漏电流

Co

uous铜é

圣D态

- 稳定圣吨

（基于R

qJA

)

S

1

SOT363

SC - 88 （ 6引线）

1

6

D

1

G

1

2

5

G

2

D

2

3

4

S

2

顶视图

6

1

Co

连续漏电流

uous铜é

=稳定状态

圣圣吨

（基于R

qJL

)

漏电流脉冲

功耗 - S伊迪个é

ê

SS邻

稳定状态

（基于R

qJA

)

(B

d

功耗 - S伊迪个é

ê

SS邻

稳定状态

（基于R

qJL

)

(B

d

SC- 88 （ SOT- 363 ）

CASE 419B

26风格

标记图

＆放大器;引脚分配

1

Source1

TCD

Gate1

Drain2

6

Drain1

Gate2

Source2

顶视图

=具体设备守则

=日期代码

工作结温和存储温度

嗖CE电流（体颂）

铜源E（ ODY二极管）

N沟道

P- CH

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

热电阻额定值

（注1 ）

结到环境

菊 O O

be

=稳定状态

圣圣吨

菊 O O EAD （一）

结到铅（漏）

=稳定状态

圣圣吨

典型值

最大

典型值

最大

TC

D

R

qJA

R

qJL

400

460

194

226

° C / W

C/

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第7页。

1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年1月 - 第1版

出版订单号：

NTJD4105C/D

NTJD4105C

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极 - 源极

a

嗖CE

击穿电压

漏极至源极击穿

a

嗖CE EA做

电压温度系数

零栅极电压漏极电流

ê 嘎年龄铜é

嘎ê 嗖CE

栅极 - 源

漏电流

基本特征

（注2 ）

门

嘎ê阈值电压

ES D 0岁

嘎ê

栅极阈值

ES O D用

温度COEF网络cient

漏极至源电阻

a

嗖CE ES上个CE

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/

T

J

R

DS （ ON）

N

P

N

P

N

P

N

P

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

P

N

V

GS

=4.5 V, V

DD

=10 V,

4.5

10

,

I

D

= 0.5 A ，R

G

=20

W

P

V

GS

=4.5 V, V

DD

=4.0 V,

4.5

4.0

I

D

= -0.5 A，R

G

=8.0

W

,

V

GS

=V

DS

I

D

=250

mA

I

D

=250

mA

0.6

0.45

0.92

0.83

2.1

2.2

0.29

0.22

0.36

0.32

0.51

2.0

2.0

33

160

13

38

2.8

28

1.3

2.2

0.1

0.1

0.2

0.5

0.4

0.5

0.083

0.227

0.786

0.506

0.013

0.023

0.050

0.036

0.76

0.76

0.63

0.63

0.410

0.078

1.1

1.1

1.5

1.0

V

-MV /

°C

/ C

0.375

0.30

0.445

0.46

0.90

W

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/ T

J

I

DSS

I

GSS

N

P

N

P

N

P

N

P

V

GS

=0 V

I

D

=250

mA

I

D

=250

mA

20

8.0

27

10.5

22

6.0

1.0

1.0

10

10

V

毫伏/

°C

/ C

mA

m

m

mA

符号

N / P

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

GS

=0 V, V

DS

=16 V

V

GS

=0 V, V

DS

=6.4 V

V

DS

=0 V

T

J

=25

°C

V

GS

=±12 V

V

GS

=±8.0

正向跨导

A D A SCO DUC一个CE

收费和电容

输入电容

ü钙AC A CE

欧ü钙AC A CE

输出电容

反向传输钙AC A CE

E E SE A S E电容

总栅极电荷

o一个嘎式C一戈

阈值的栅极电荷

ES O D用嘎式C一戈

嘎ê 嗖CE ℃的GE

栅极 - 源极充电

嘎ê

栅 - 漏极电荷

A C A GE

g

FS

V

GS

= 4.5 V I

D

=0.63 A

V

GS

= -4.5 V，I

D

=0.57 A

V

GS

= 2.5 V，I

D

=0.40 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

=0.48 A

V

GS

= -1.8 V，I

D

=0.20 A

V

DS

= 4.0 V I

D

=0.63 A

V

DS

= -4.0 V，I

D

=0.57 A

V

DS

=20 V

V

DS

=8.0V

V

DS

=20 V

F = 1MHz时， V

GS

=0 V

兆赫

V

DS

=8.0 V

V

DS

=20 V

V

DS

=8.0 V

V

GS

=4.5 V, V

DS

= 10 V，I

D

=0.7 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= -5.0 V，I

D

=0.6 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= 10 V，I

D

=0.7 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= -5.0 V，I

D

=0.6 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= 10 V，I

D

=0.7 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= -5.0 V，I

D

=0.6 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= 10 V，I

D

=0.7 A

V

GS

=4.5 V, V

DS

= -5.0 V，I

D

=0.6 A

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

46

225

22

55

5.0

40

3.0

4.0

pF

nC

C

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

正向二极管电压

A D颂歌年龄

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

ms

漏源二极管特性

N

P

N

P

N

P

V

GS

= 0 V ，T

J

=25°C

V

V

GS

= 0 V ，T

J

=125°C

V

V

GS

=0 V,

0

d

IS

/d

t

= 90 A / MS

I

S

=0.23 A

I

S

=0.23 A

I

S

=0.23 A

I

S

=0.23 A

I

S

=0.23 A

I

S

=0.23 A

V

反向恢复时间

E E SE生态E Y

e

t

RR

ms

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTJD4105C

典型的N沟道性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

1.4

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

1.4 V

0.2

1.2 V

0

0

0

2

4

6

8

10

0

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

1.6 V

V

GS

= 4.5 V至2.2 V

V

GS

= 2 V

1.8 V

1.2

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

1

0.8

0.6

0.4

0.2

V

DS

≥

10 V

T

J

= 125°C

25°C

T

J

= 55°C

1.6

0.4

0.8

1.2

2

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2.4

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.7

0.6

0.5

0.4

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0

0.2

图2.传输特性

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 2.5 V

T

J

= 125°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.3

0.2

0.1

0

0

0.2

0.4

1

0.8

0.6

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

0.4

0.6

1

0.8

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

图3.导通电阻与漏电流和

温度

2

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

0

25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 0.63 A

V

GS

= 4.5 V

和2.5 V

80

图4.导通电阻与漏电流和

温度

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

C，电容（pF ）

60

40

C

国际空间站

20

C

OSS

C

RSS

0

5

10

15

20

T

J

，结温（ ° C）

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.电容变化

http://onsemi.com

3

NTJD4105C

典型的N沟道性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

5

I

S

，源电流（安培）

Q

G（ TOT ）

4

V

GS

3

Q

GS

Q

GD

0.7

V

GS

= 0 V

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

1.4

0

0.2

0.4

0.6

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

0.8

1

2

1

0

0

0.2

I

D

= 0.63 A

T

J

= 25°C

0.4

0.6

0.8

1

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

1.2

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

图8.二极管的正向电压与电流

http://onsemi.com

4

NTJD4105C

典型的P-信道性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

1.4

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

1.4 V

0.2

0

0

1.2 V

2

4

6

8

1.6 V

V

GS

= -4.5 V至-2.6 V

V

GS

= 2.2 V

2 V

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

1.8 V

1.4

V

DS

≥

10 V

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

= 125°C

25°C

T

J

= 55°C

0.4

0.8

1.2

2

1.6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2.4

图9.在区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.5

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.5

图10.传输特性

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 2.5 V

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.4

0.4

0.3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.3

0.2

0.2

0.1

0

0

0.2

0.8

0.6

0.4

1

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

0.1

0

0

0.2

0.4

1

0.6

0.8

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

图11.导通电阻与漏电流

和温度

1.6

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

I

D

= 0.7 A

V

GS

= 4.5 V

和-2.5 V

300

图12.导通电阻与漏电流

和温度

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

240

C

国际空间站

180

V

GS

= 0 V

1.4

1.2

1

120

C

OSS

60

C

RSS

0

8

0.8

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

6

4

2

0

T

J

，结温（ ° C）

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图13.导通电阻变化与

温度

图14.电容变化

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5

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