【NTJD2152P海沟小信号MOSFET8 V ，双P沟道， SC- 88ESD保护特点http:/】,IC型号NTJD2152P,NTJD2152P PDF资料,NTJD2152P经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTJD2152P

海沟小信号

MOSFET

8 V ，双P沟道， SC- 88

ESD保护

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

典型值

0.22

W

@

4.5

V

8

V

0.32

W

@

2.5

V

0.51

W

@

1.8

V

0.775

A

I

D

最大

领先-8 V沟的低R

DS （ ON）

性能

ESD保护门

占地面积小（ 2 ×2mm的）

相同的封装SC- 70-6

无铅包可用

负载功率开关

DC- DC转换器

锂离子电池充电电路

手机，媒体播放器，数码相机，掌上电脑

应用

SOT363

SC - 88 （ 6引线）

S

1

价值

8.0

±8.0

单位

V

A

D

2

1

6

D

1

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

（基于R

qJA

)

功耗

（基于R

qJA

)

连续漏极

当前

（基于R

qJL

)

功耗

（基于R

qJL

)

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

t

≤10

ms

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

S

T

L

I

D

P

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

G

1

2

5

G

2

0.775

0.558

0.27

0.14

1.1

0.8

0.55

0.29

±1.2

55

to

150

0.775

260

3

4

S

2

W

顶视图

A

标记图&

引脚分配

D1 G2 S2

1

6

TA M

G

1

S1 G1 D2

TA

M

G

=器件代码

=日期代码

= Pb-Free包装

W

SC88/SOT363

A

CASE 419B

28风格

工作结温和存储温度

连续源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

°

C

A

°C

（注：微球可在任一位置）

符号

R

qJA

R

qJL

典型值

400

194

最大

460

226

单位

° C / W

热电阻额定值

（注1 ）

参数

结 - 环境 - 稳态

结到铅（漏） - 稳态

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年3月，

第3版

1

出版订单号：

NTJD2152/D

NTJD2152P

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

栅极阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

0.57

A

V

GS

=

2.5

V，I

D

=

0.48

A

V

GS

=

1.8

V，I

D

=

0.20

A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

td

（上）

tr

td

（关闭）

tf

V

GS

=

4.5

V, V

DD

=

4.0

V,

I

D

=

0.5

A，R

G

= 8.0

W

13

23

50

36

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

=

4.5

V, V

DS

=

5.0

V,

I

D

=

0.6

A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

=

8.0

V

160

38

28

2.2

0.1

0.5

225

55

40

4.0

nC

pF

g

FS

V

GS

=

4.0

V，I

D

=

0.57

A

V

GS

= V

DS

ID =

250

mA

0.45

0.83

2.2

0.22

0.32

0.51

2.0

0.3

0.46

0.9

S

1.0

V

毫伏/

°C

W

V

（ BR ） DSS

V（ BR ） DSS /

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V, V

DS

=

6.4

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±8.0

V

GS

= 0 V，I

D

=

250

mA

8.0

10.5

6.0

1.0

10

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

t

RR

V

GS

= 0 V,

I

S

=

0.23

A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.76

0.63

78

ns

1.1

V

反向恢复时间

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

=

0.77

A

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTJD2152P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

1.4

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

2

4

6

1.6

V

GS

=

4.5

V到

2.6

V

GS

=

2.2

V

2

V

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

1.8

V

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

T

J

= 125°C

25°C

T

J

=

55°C

1.6

0.4

0.8

1.2

2

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2.4

V

DS

≥

10

V

1.4

V

1.2

V

8

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.2

图2.传输特性

V

GS

=

4.5

V

GS

=

2.5

V

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

0.4

0.3

0.2

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

0.1

0

0.2

0.6

0.8

0.4

1

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

0.6

0.4

0.8

1

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

图3.导通电阻与漏电流和

温度

1.6

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

I

D

=

0.7

A

V

GS

=

4.5

V

和

2.5

V

300

240

图4.导通电阻与漏电流和

温度

T

J

= 25°C

V

GS

= 0 V

C

国际空间站

C，电容（pF ）

180

120

C

OSS

60

0

8

C

RSS

6

4

2

0

25

0

25

50

75

100

125

150

T

J

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图6.电容变化

http://onsemi.com

3

NTJD2152P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

5

4

3

2

1

0

Q

GS

Q

GD

0.7

I

S

，源电流（安培）

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

2.4

0

0.2

0.4

0.6

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

0.8

1

V

GS

= 0 V

Q

G（ TOT ）

V

GS

I

D

=

0.6

A

T

J

= 25°C

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

图8.二极管的正向电压与电流

http://onsemi.com

4

NTJD2152P

订购信息

设备订单号

NTJD2152PT1

NTJD2152PT1G

NTJD2152PT2

NTJD2152PT2G

NTJD2152PT4

NTJD2152PT4G

套餐类型

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

磁带和卷轴尺寸

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-

阳离子小册子， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

5

NTJD2152P

海沟小信号

MOSFET

8 V ，双P沟道， SC- 88

ESD保护

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

R

DS （ ON）

典型值

0.22

W

@ 4.5 V

8 V

0.32

W

@ 2.5 V

0.51

W

@ 1.8 V

0.775 A

I

D

最大

领先-8 V沟的低R

DS （ ON）

性能

ESD保护门

占地面积小（ 2 ×2mm的）

相同的封装SC- 70-6

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

负载功率开关

DC- DC转换器

锂离子电池充电电路

手机，媒体播放器，数码相机，掌上电脑

应用

SOT363

SC - 88 （ 6引线）

S

1

6

D

1

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

（基于R

qJA

)

功耗

（基于R

qJA

)

连续漏极

当前

（基于R

qJL

)

功耗

（基于R

qJL

)

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

稳定

状态

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

T

A

= 25

°C

T

A

= 85

°C

t

≤10

ms

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

S

T

L

I

D

P

D

符号

V

DSS

V

GS

I

D

价值

8.0

±8.0

0.775

0.558

0.27

0.14

1.1

0.8

0.55

0.29

±1.2

-55

150

0.775

260

A

W

A

W

单位

V

A

G

1

2

5

G

2

D

2

3

4

S

2

顶视图

标记图

6

1

SC- 88 （ SOT- 363 ）

CASE 419B

26风格

TA

D

TAD

=器件代码

=日期代码

引脚分配

1

Source1

Gate1

Drain2

顶视图

6

Drain1

Gate2

Source2

工作结温和存储温度

连续源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

°

C

A

°C

热电阻额定值

（注1 ）

参数

结 - 环境 - 稳态

结到铅（漏） - 稳态

符号

R

qJA

R

qJL

典型值

400

194

最大

460

226

单位

° C / W

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年1月 - 第2版

出版订单号：

NTJD2152/D

NTJD2152P

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

栅极阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

( )

V

GS

= -4.5 V，I

D

= 0.57 A

V

GS

= -2.5 V，I

D

= 0.48 A

V

GS

= -1.8 V，I

D

= 0.20 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

td

（上）

tr

td

（关闭）

tf

V

GS

= 4.5 V, V

DD

= 4.0 V,

I

D

= -0.5 A，R

G

= 8 0

W

05A

8.0

13

23

50

36

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 5.0 V,

I

D

= 0.6 A

06

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 8.0 V

80

160

38

28

2.2

0.1

0.5

225

55

40

4.0

nC

pF

g

FS

V

GS

= -4.0 V，I

D

= 0.57 A

V

GS

= V

DS

ID = -250

mA

0.45

0.83

2.2

0.22

0.32

0.51

2.0

0.3

0.46

0.9

S

1.0

V

毫伏/

°C

W

V

（ BR ） DSS

V（ BR ） DSS /

T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS

= 0 V, V

DS

= 6.4 V

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±8.0

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

8.0

10.5

6.0

1.0

10

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V,

I

S

= 0.23 A

0 23

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.76

0.63

78

ns

1.1

V

反向恢复时间

t

RR

V

GS

= 0 V ，二

S

/ DT = 100 A / MS ，

I

S

= 0.77 A

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTJD2152P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

1.4

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1

0.8

0.6

0.4

1.4 V

0.2

0

1.2 V

2

4

6

8

1.6 V

V

GS

= -4.5 V至-2.6 V

V

GS

= 2.2 V

2 V

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

1.8 V

1.4

V

DS

≥

10 V

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

= 125°C

25°C

T

J

= 55°C

0.4

0.8

1.2

2

1.6

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

2.4

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.5

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.5

图2.传输特性

V

GS

= 4.5 V

V

GS

= 2.5 V

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.4

0.3

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

0.3

0.2

0.1

0

0.2

0.8

0.6

0.4

1

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

0.1

0

0.2

0.4

1

0.6

0.8

I

D,

漏电流（安培）

1.2

1.4

图3.导通电阻与漏电流和

温度

1.6

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

I

D

= 0.7 A

V

GS

= 4.5 V

和-2.5 V

300

图4.导通电阻与漏电流和

温度

T

J

= 25°C

C，电容（pF ）

240

C

国际空间站

180

V

GS

= 0 V

1.4

1.2

1

120

C

OSS

60

C

RSS

0

8

0.8

0.6

50

25

0

25

50

75

100

125

150

6

4

2

0

T

J

，结温（ ° C）

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.电容变化

http://onsemi.com

3

NTJD2152P

典型性能曲线

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

V

GS ，

栅 - 源电压（伏）

5

I

S

，源电流（安培）

Q

G（ TOT ）

4

V

GS

3

Q

GS

Q

GD

0.7

V

GS

= 0 V

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

2.4

0

0.2

0.4

0.6

T

J

= 150°C

T

J

= 25°C

0.8

1

2

1

0

0.4

I

D

= 0.6 A

T

J

= 25°C

0.8

1.2

1.6

2

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

图8.二极管的正向电压与电流

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NTJD2152P

订购信息

设备订单号

NTJD2152PT1

NTJD2152PT1G

NTJD2152PT2

NTJD2152PT2G

NTJD2152PT4

NTJD2152PT4G

套餐类型

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

SOT363

（无铅）

磁带和卷轴尺寸

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-

阳离子小册子， BRD8011 / D 。

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