【NTHS5441功率MOSFET-20 V， -5.3 A， P沟道ChipFET ]特点低RDS 】,IC型号NTHS5441,NTHS5441 PDF资料,NTHS5441经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTHS5441

功率MOSFET

-20 V， -5.3 A， P沟道ChipFET ]

特点

低R

DS （ ON）

更高的效率延长电池寿命

逻辑电平栅极驱动器

微型ChipFET表面贴装封装

无铅包装是否可用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

46毫瓦@ -4.5 V

最大

5.3 A

应用

在便携式和电池供电产品的电源管理;即，

蜂窝和无绳电话和PCMCIA卡

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 150 ° C）（注1 ）

= 25°C

= 85°C

漏电流脉冲

连续源电流

（注1 ）

最大功率耗散

（注1 ）

= 25°C

= 85°C

工作结存储

温度范围

符号

5.3

3.8

2.5

1.3

, T

英镑

1.3

0.7

°C

5.3

"20

3.9

2.8

5秒

稳定

状态

单位

P沟道MOSFET

"12

ChipFET

CASE 1206A

风格1

针

连接

记号

图

-55到+150

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方

[ 1盎司]包括痕迹）。

A3 =具体设备守则

M =月守则

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

NTHS5441T1

NTHS5441T1G

包

ChipFET

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年7月 - 13牧师

出版订单号：

NTHS5441T1/D

NTHS5441

热特性

特征

最大结到环境（注2 ）

5秒

稳定状态

最大结到脚（漏极）

稳定状态

符号

qJA

典型值

最大

° C / W

单位

° C / W

QJF

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

STATIC

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

GS （ TH）

GSS

DSS

= V

, I

= 250

= 0 V, V

"12

= 16 V, V

= 0 V

= 16 V, V

= 0 V,

= 85°C

通态漏电流（注3 ）

漏源导通电阻（注3 ）

D（上）

DS （ ON）

5.0 V, V

= 4.5 V

= -3.6 V，I

= 3.7 A

= -4.5 V，I

= 3.9 A

= -2.5 V，I

= 3.1 A

正向跨导（注3 ）

二极管的正向电压（注3 ）

动态

（注4 ）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

源漏反向恢复时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= -1.1 A， di / dt的= 100 A / MS

= -10 V ，R

= 10

-1.0 A，V

根

= 4.5 V,

= 6

= -5.0伏，V

= 0伏，

F = 1.0 MHz的

= 10 V, V

= 4.5 V,

= 3.9 A

9.7

1.2

3.6

710

400

140

100

= -10 V，I

= 3.9 A

= -2.1 A，V

= 0 V

0.050

0.046

0.070

0.8

1.2

0.06

0.083

姆欧

0.6

1.2

"100

1.0

5.0

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

2.表面（平方[ 1盎司]痕迹，包括铜面积= 1.27 ），安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。

3.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

4.设计保证，不受生产测试。

http://onsemi.com

NTHS5441

典型电气特性

漏电流（安培）

5 V

3.5 V

3 V

= 25°C

漏电流（安培）

= 55°C

25°C

125°C

4.5 V

4 V

2.5 V

2 V

0.5

1.5

= 1.5 V

2.5

0.5

1.5

2.5

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.2

= 3.9 A

= 25°C

0.15

0.2

图2.传输特性

= 25°C

0.15

= 2.5 V

0.1

= 3.6 V

0.05

= 4.5 V

0.1

0.05

，栅极至源极电压（伏）

漏电流（安培）

图3.导通电阻与

栅极 - 源极电压

1.6

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

= 3.9 A

= 4.5 V

1.4

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

1.2

0.8

0.6

100

125

150

，结温（ ° C）

图5.导通电阻变化与

温度

http://onsemi.com

NTHS5441

典型电气特性

GS ，

栅 - 源电压（伏）

1500

= 25°C

= 0

C，电容（pF ）

1200

900

国际空间站

OSS

600

= 3.9 A

= 25°C

= 3.0

300

RSS

，漏极至源极电压（）

，总栅极电荷（ NC）

图6.电容变化

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

标准化的有效瞬态

热阻抗

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

单脉冲

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

占空比D = T

每单元基准= R

qJA

= 80 ° C / W

= P

qJA

(t)

表面贴装

0.1

0.01

方波脉冲持续时间（秒）

图8.归瞬态热阻抗，结到环境

，源电流（安培）

= 0 V

= 25°C

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

，源极到漏极电压（伏）

图9.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

DS ，

漏 - 源电压（伏）

NTHS5441

包装尺寸

ChipFET ]

CASE 1206A -03

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.模具浇口毛刺不得超过0.13mm的每一面。

4.引线框架成型体偏移水平

和垂直不得超过0.08的MM。

5.尺寸A和B ，不包括模具浇口毛刺。

6.无毛边允许在顶部和底部的铅

表面。

暗淡

民

1.00

0.25

0.10

2.95

1.55

MILLIMETERS

喃

最大

1.05

1.10

0.30

0.35

0.15

0.20

3.05

3.10

1.65

1.70

0.65 BSC

0.55 BSC

0.28

0.35

0.42

1.80

1.90

2.00

5 ° NOM

民

0.039

0.010

0.004

0.116

0.061

英寸

喃

0.041

0.012

0.006

0.120

0.065

0.025 BSC

0.022 BSC

0.014

0.011

0.071

0.075

5 ° NOM

最大

0.043

0.014

0.008

0.122

0.067

0.05 (0.002)

0.017

0.079

焊接足迹*

2.032

0.08

0.457

0.018

0.635

0.025

1.727

0.068

2.032

0.08

0.457

0.018

0.711

0.028

0.66

0.026

尺度20:1

英寸

0.178

0.007

0.711

0.028

0.66

0.026

尺度20:1

英寸

BASIC

样式1和4

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

http://onsemi.com