NTHS4111P
功率MOSFET
30
V,
6.1
A单P沟道， ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS （ ON）
在ChipFET包装解决方案
ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
薄型（ <1.1毫米）的极薄环境
标准逻辑电平栅极驱动
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30
V
R
DS （ ON）
典型值
33毫瓦@
10
V
52毫瓦@
4.5
V
S
I
D
最大
6.1
A
应用
笔记本电脑负载开关
便携式设备中的电池和负载管理应用程序
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
等级
符号
V
DSS
V
GS
稳定
状态
t
≤
10 s
稳定
状态
t
≤
10 s
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
D
价值
30
±20
4.4
3.2
6.1
1.3
2.5
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
3.3
2.3
0.7
30
55
to
150
2.1
260
W
A
°C
A
°C
TH
M
G
A
W
1
单位
V
V
A
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
D
P沟道MOSFET
8
ChipFET
CASE 1206A
风格1
记号
图
1
2
3
4
TH M
G
G
8
7
6
5
针
连接
D
D
D
S
8
7
6
5
1
2
3
4
D
D
D
G
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
≤
10秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
95
50
175
单位
° C / W
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTHS4111PT1
NTHS4111PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积=在平0.045 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHS4111P/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年8月，
第2版
1
NTHS4111P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
1600
1500
1400 C
RSS
C
国际空间站
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
C
OSS
C
RSS
300
200
100
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
0
10
0
10
5
5
V
GS
V
DS
T
J
= 25°C
10
8
V
DS
6
10
4
2
0
Q
GS
Q
GD
V
GS
QT
20
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
C，电容（pF ）
C
国际空间站
15
20
25
30
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
I
D
=
4.4
A
T
J
= 25°C
-GATE - 源
或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
100
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
10
ms
100
ms
1毫秒
1.0
V
GS
=
20
V
单脉冲牛逼
C
= 25°C
RDS （ ON）限制
热限制
套餐限制
1
10
10毫秒
10
I
S
，源电流（安培）
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
10
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1
0.1
dc
100
0.01
0.1
0.1
0.4
150°C
0.5
100°C
0.6
25°C
0.7
0.8
55°C
0.9
1.0
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.最大额定正向偏置
安全工作区
图10.二极管的正向电压与电流
V
GS （ TH）
，栅 - 源门限
电压（归）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
=
250
mA
V
GS
= V
DS
T
J
，结温（ ° C）
图11. V
GS （ TH）
随温度的变化
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4
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