NTHS2101P
功率MOSFET
-8.0 V， -7.5 P沟道ChipFETt
特点
提供了Ultra低R
DS （ ON）
在ChipFET包装解决方案
微型ChipFET包装小40 ％，体积比TSOP - 6
使其成为一个理想的设备的应用程序的电路板空间是一个
额外费用
薄型（ <1.1毫米）使其能够方便地融入极薄
环境，如便携式电子产品
旨在提供低R
DS （ ON）
在栅极电压低至1.8 V时，
用在许多逻辑IC便携式电子产品的工作电压
简化了电路设计，因为附加升压电路的门
电压不需要
工作在标准逻辑电平栅极驱动，有利于未来
使用相同的基本拓扑结构迁移到较低的水平
无铅包装是否可用
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
典型值
19毫瓦@ -4.5 V
GS
8.0 V
25毫瓦@ -2.5 V
GS
34毫瓦@ -1.8 V
GS
7.5 A
I
D
最大
S
G
应用
优化电池和负载管理的应用
便携式设备，如MP3播放器，手机，数码
相机，个人数字助理和其他便携式应用
充电控制电池充电器
降压和升压转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续
- 5秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
1.3
2.5
0.7
1.3
Is
R
qJA
1.1
50
95
260
°C
A
° C / W
价值
8.0
"8.0
5.4
7.5
单位
VDC
VDC
A
W
D
P沟道MOSFET
ChipFET
CASE 1206A
风格1
针
连接
D
D
D
S
8
7
6
5
1
2
3
4
记号
图
1
2
3
4
D4
M
8
7
6
5
D
D
D
G
总功耗
连续@ T
A
= 25°C
（5秒） @ T
A
= 25°C
连续@ 85°C
（ 5秒） @ 85°C
连续源电流
热阻（注1 ）
结到环境， 5秒
结到环境，连续
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
D4 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHS2101PT1
NTHS2101PT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
T
L
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方
[ 1盎司]包括痕迹） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 第4版
出版订单号：
NTHS2101P/D
NTHS2101P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注2 ）
温度系数（正）
门体漏电流零
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
V
DS
= 0 V
dc
, V
GS
=
"8.0
V
dc
V
DS
= 6.4 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
V
DS
= 6.4 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
T
J
= 85°C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 5.4 A
dc
V
GS
= 2.5 V
dc
, I
D
= 4.5 A
dc
V
GS
= 1.8 V
dc
, I
D
= 2.0 A
dc
V
DS
= 5.0 V
dc
, I
D
= 5.2 A
dc
I
S
= 1.1 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
8.0
"100
1.0
5.0
V
dc
nA
dc
mA
dc
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.45
19
25
34
20
0.62
1.2
1.5
25
36
48
V
dc
mW
正向跨导
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
g
FS
V
SD
S
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 6.4 V
dc
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
10
2400
550
420
pF
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 6.4 V
dc
V
GS
= 4.5 V
dc
I
D
= 5 4 A
dc
5.4
R
G
= 2.0
W
（注2 ）
7.0
28
73
60
ns
V
GS
= 4.5 V
dc
I
D
= 5.4 A
dc
V
DS
= 6.4 V
dc
I
F
= -1.1 A， di / dt的= 100 A / MS
15
4.0
8.0
90
30
nC
源漏反向恢复时间
T
rr
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度= 250
女士，
占空比= 2 ％ 。
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTHS2101P
包装尺寸
ChipFET
CASE 1206A -03
问题E
A
8
7
6
5
M
K
5
6
3
7
2
8
1
S
1
2
3
4
B
4
L
G
D
J
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.模具浇口毛刺不得超过0.13 MM
每边。
4.引线框架成型体偏移
水平和垂直不得超过
0.08 MM.
5.尺寸A和B独有的模具浇口
毛刺。
6.无毛边允许在顶部和
底部引线的表面。
7. 1206A - 01和1206A -02过时。 NEW
标准1206A -03 。
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MILLIMETERS
民
最大
2.95
3.10
1.55
1.70
1.00
1.10
0.25
0.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.28
0.42
0.55 BSC
5
°
喃
1.80
2.00
英寸
民
最大
0.116
0.122
0.061
0.067
0.039
0.043
0.010
0.014
0.025 BSC
0.004
0.008
0.011
0.017
0.022 BSC
5
°
喃
0.072
0.080
C
0.05 (0.002)
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
漏
漏
漏
门
来源
漏
漏
漏
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
2.032
0.08
1.727
0.068
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
尺度20:1
mm
英寸
0.178
0.007
0.711
0.028
0.66
0.026
mm
英寸
BASIC
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
风格1
http://onsemi.com
5
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