NTHD5903
功率MOSFET
-20 V， -3.0 A，双P沟道ChipFETE
特点
低R
DS （ ON）
对于更高效率
逻辑电平栅极驱动器
微型ChipFET表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
130毫瓦@ -4.5 V
215毫瓦@ -2.5 V
S1
S2
I
D
最大
3.0 A
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理;
例如，蜂窝和无绳电话和PCMCIA卡
G1
G2
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(T
J
= 150 ° C） （注1 ）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
漏电流脉冲
连续源电流
（二极管传导） （注1 ）
最大功率耗散
（注1 ）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
"3.0
"2.2
I
DM
I
S
P
D
2.1
1.1
T
J
, T
英镑
1.1
0.6
°C
3.0
"10
2.2
"2.2
"1.6
A
A
W
5秒
稳定
状态
20
"12
单位
V
V
A
ChipFET
CASE 1206A
方式2
D1
P沟道MOSFET
D2
P沟道MOSFET
针
连接
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
1 S
1
2 G
1
3 S
2
4 G
2
1
记号
图
8
A7 M
G
7
6
5
2
3
4
-55到+150
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方
[ 1盎司]包括痕迹） 。
A7 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTHD5903T1
NTHD5903T1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第4版
出版订单号：
NTHD5903/D
NTHD5903
热特性
特征
最大结到环境（注2 ）
t
v
5s
稳定状态
最大结到脚（漏）稳态
符号
R
qJA
典型值
50
90
30
最大
60
110
40
° C / W
单位
° C / W
R
QJF
2.表面（平方[ 1盎司]痕迹，包括铜面积= 1.27 ），安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V,
T
J
= 85°C
通态漏电流（注3 ）
漏源导通电阻（注3 ）
I
D（上）
r
DS （ ON）
V
DS
v
5.0 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= -3.6 V，I
D
= 2.0 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 1.7 A
正向跨导（注3 ）
二极管的正向电压（注3 ）
动态
（注4 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -2.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1.0 A，V
根
= 4.5 V,
R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 2.2 A
3.7
0.8
1.3
13
35
25
25
40
20
55
40
40
80
ns
7.4
nC
g
fs
V
SD
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.2 A
I
S
= -2.2 A，V
GS
= 0 V
10
0.130
0.150
0.215
5.0
0.8
1.2
0.155
0.180
0.260
S
V
0.6
"100
1.0
5.0
A
W
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.设计保证，不受生产测试。
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2
NTHD5903
焊接足迹*
2.032
0.08
0.457
0.018
0.635
0.025
0.635
0.025
2.032
0.08
1.092
0.043
0.178
0.007
0.457
0.018
0.711
0.028
0.66
0.026
0.66
0.026
0.254
0.010
尺度20:1
mm
英寸
图12.基本
图13.样式2
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
BASIC垫图案
其尺寸基本焊盘布局显示在
图12.这是足够低的功耗
MOSFET的应用，但功率半导体
性能，需要更大的铜焊盘面积，
特别是对于漏极引线。
在显示的最低建议垫图案
图13提高了漏极的热区
连接（引脚5，6， 7，8 ），而内剩余
基本的足迹范围。漏铜区
0.0019平方英寸（或1.22平方毫米）。这将有助于电源
耗散路径远离该装置（通过铜
引线框架），并进入董事会和外部机箱（如果
适用）的单个设备。又多了一个进一步的
铜的面积和/或增加通孔的其他板层
将进一步增强性能。
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5
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