NTHD4P02F
功率MOSFET和
肖特基二极管
-20 V， -3.0 A，单P沟道与
3.0肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
-130毫瓦@ -4.5 V
200毫瓦@ -2.5 V
I
D
最大
3.0 A
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
比TSOP- 6封装较小类似热40％
特征
独立的引出线为每个设备易于电路设计
超低V
F
肖特基
无铅包装是否可用
应用
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
S
V
F
典型值
0.510 V
A
I
F
最大
3.0 A
锂离子电池充电
高端DC-DC转换电路
高边驱动器的小型无刷直流电机
便携式，电池供电产品的电源管理
G
V
V
A
A
A
W
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
稳定
状态
t
v
5s
脉冲漏
当前
功耗
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
I
D
I
DM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
2.2
1.6
3.0
9.0
1.1
0.6
2.1
I
S
T
J
, T
英镑
T
L
2.1
-55到150
260
A
°C
°C
单位
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
ChipFET
CASE 1206A
方式3
t
p
= 10
ms
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
引脚连接
1
8
记号
图
1
2
3
4
C3 M
G
8
7
6
5
A
2
7
C
C
6
连续源电流（体二极管）
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
S
3
D
D
4
5
G
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
3.0
A
符号
V
RRM
V
R
I
F
价值
20
20
2.2
单位
V
V
A
C3 =具体设备守则
M =月守则
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
NTHD4P02FT1
NTHD4P02FT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4P02F/D
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版7
NTHD4P02F
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
稳定状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
符号
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
1.表面（平方[ 1盎司]痕迹，包括铜面积= 1.27 ），安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏 - 源导通电阻
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.2 A，R
G
= 2.5
W
7.0
13
33
27
12
25
50
40
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
185
95
30
3.0
0.2
0.5
0.9
300
150
50
6.0
nC
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.2 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 1.7 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 1.7 A
0.6
0.75
0.130
0.200
5.0
1.2
0.155
0.240
S
V
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
20
23
1.0
5.0
±100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
TRR
ta
tb
QRR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A ,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
0.85
32
10
22
15
nC
1.15
V
ns
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 0.5 A
I
F
= 1.0 A
最大瞬时反向电流
变化最大电压率
非重复性峰值浪涌电流
I
R
dv / dt的
I
FSM
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V
半波，单脉冲， 60赫兹
10,000
23
民
典型值
0.425
0.480
0.510
0.575
1.0
5.0
V / ns的
A
mA
最大
单位
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTHD4P02F
功率MOSFET和
肖特基二极管
-20 V， -3.0 A，单P沟道与
3.0肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
-130毫瓦@ -4.5 V
200毫瓦@ -2.5 V
I
D
最大
3.0 A
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
比TSOP- 6封装较小类似热40％
特征
独立的引出线为每个设备易于电路设计
超低V
F
肖特基
无铅包装是否可用
应用
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
典型值
0.510 V
A
I
F
最大
3.0 A
锂离子电池充电
高端DC-DC转换电路
高边驱动器的小型无刷直流电机
便携式，电池供电产品的电源管理
参数
符号
V
DSS
V
GS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
I
D
I
DM
P
D
I
D
价值
20
±12
2.2
1.6
3.0
9.0
1.1
0.6
2.1
I
S
T
J
, T
英镑
T
L
2.1
-55到150
260
A
°C
°C
A
A
W
单位
V
V
A
S
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
稳定
状态
t
v
5s
脉冲漏
当前
功耗
G
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
ChipFET
CASE 1206A
方式3
t
p
= 10
ms
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
针
连接
1
8
记号
图
1
2
3
4
C3
M
8
7
6
5
连续源电流（体二极管）
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
2
7
C
C
6
A
S
3
D
D
4
5
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
v
5s
符号
V
RRM
V
R
I
F
25 C
T
J
= 25°C
3.0
A
价值
20
20
2.2
单位
V
V
A
G
C2 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHD4P02FT1
NTHD4P02FT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4P02F/D
1
2004年10月 - 第4版
NTHD4P02F
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
(
)
稳定状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
符号
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
1.表面（平方[ 1盎司]痕迹，包括铜面积= 1.27 ），安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
g
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏 - 源导通电阻
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.2 A，R
G
= 2.5
W
7.0
13
33
27
12
25
50
40
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
1 0 MH
V
DS
= 10 V
185
95
30
3.0
0.2
0.5
0.9
300
150
50
6.0
nC
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.2 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 1.7 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 1.7 A
0.6
0.75
0.130
0.200
5.0
1.2
0.155
0.240
S
V
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
20
23
1.0
5.0
±100
nA
V
m
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
TRR
ta
tb
QRR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A ,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
0.85
32
10
22
15
nC
1.15
V
ns
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
g
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 0.5 A
I
F
= 1.0 A
最大瞬时反向电流
I
R
dv / dt的
I
FSM
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
变化最大电压率
非重复性峰值浪涌电流
V
R
= 20 V
半波，单脉冲， 60赫兹
10,000
23
民
典型值
0.425
0.480
0.510
0.575
1.0
5.0
V / ns的
A
mA
m
最大
单位
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTHD4P02F
功率MOSFET和
肖特基二极管
-20 V， -3.0 A，单P沟道与
3.0肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
-130毫瓦@ -4.5 V
200毫瓦@ -2.5 V
I
D
最大
3.0 A
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
比TSOP- 6封装较小类似热40％
特征
独立的引出线为每个设备易于电路设计
超低V
F
肖特基
无铅包装是否可用
应用
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
V
F
典型值
0.510 V
A
I
F
最大
3.0 A
锂离子电池充电
高端DC-DC转换电路
高边驱动器的小型无刷直流电机
便携式，电池供电产品的电源管理
参数
符号
V
DSS
V
GS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
I
D
I
DM
P
D
I
D
价值
20
±12
2.2
1.6
3.0
9.0
1.1
0.6
2.1
I
S
T
J
, T
英镑
T
L
2.1
-55到150
260
A
°C
°C
A
A
W
单位
V
V
A
S
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
稳定
状态
t
v
5s
脉冲漏
当前
功耗
G
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
ChipFET
CASE 1206A
方式3
t
p
= 10
ms
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
针
连接
1
8
记号
图
1
2
3
4
C3
M
8
7
6
5
连续源电流（体二极管）
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
2
7
C
C
6
A
S
3
D
D
4
5
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
v
5s
符号
V
RRM
V
R
I
F
25 C
T
J
= 25°C
3.0
A
价值
20
20
2.2
单位
V
V
A
G
C2 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHD4P02FT1
NTHD4P02FT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4P02F/D
1
2004年10月 - 第4版
NTHD4P02F
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
(
)
稳定状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
符号
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
1.表面（平方[ 1盎司]痕迹，包括铜面积= 1.27 ），安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸。
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
g
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏 - 源导通电阻
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= -2.2 A，R
G
= 2.5
W
7.0
13
33
27
12
25
50
40
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.2 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
1 0 MH
V
DS
= 10 V
185
95
30
3.0
0.2
0.5
0.9
300
150
50
6.0
nC
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.2 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 1.7 A
V
DS
= -10 V，I
D
= 1.7 A
0.6
0.75
0.130
0.200
5.0
1.2
0.155
0.240
S
V
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
20
23
1.0
5.0
±100
nA
V
m
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
TRR
ta
tb
QRR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A ,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
0.85
32
10
22
15
nC
1.15
V
ns
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
g
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 0.5 A
I
F
= 1.0 A
最大瞬时反向电流
I
R
dv / dt的
I
FSM
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
变化最大电压率
非重复性峰值浪涌电流
V
R
= 20 V
半波，单脉冲， 60赫兹
10,000
23
民
典型值
0.425
0.480
0.510
0.575
1.0
5.0
V / ns的
A
mA
m
最大
单位
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
