L1
VIN
C1
开/关
GND
VIN
C1
VIN
GND
C1
开/关
开/关
D1
C2
VOUT
Q1
FETKY
GND
L1
VOUT
FETKY
Q1
Q1
D1
D1
C2
VOUT
C2
GND
R1
典型用途FETKY设备
（ MOSFET +肖特基共同打包）
介绍
在消费类电子电路，肖特基二极管通常被看作
用功率MOSFET合作，实现系统级功耗
的解决方案。有不同的原因，集成的肖特基
二极管与MOSFET 。这些电路的典型实例包括
反向保护，异步DC / DC转换，随心所欲
整改，交换效率提升，等等。
保护电路
GND
GND
FETKY
肖特基二极管实际上提供了一个旁路通道，并保持
D1
反向MOSFET两端的电压低于PN结二极管压降。
VIN
VOUT
C1
GND
VIN
C1
开/关
GND
开/关
FETKY
Q1
D1
C2
R1
GND
VOUT
示例
DC-DC降压电路
一个MOSFET加一个肖特基二极管是最典型的降压转换器
电路看到整个便携式电子产品市场。肖特基
二极管用作整流元件在关闭当前循环之后的
主开关关闭。
FETKY
L1
VIN
C1
开/关
GND
VIN
D1
C2
VOUT
Q1
FETKY
D1
C2
R1
GND
保护电路
转换效率提升
VIN
VOUT
Q1
肖特基二极管可以被并行放置
L1 C2
同步
与
R1
C1
VIN
VOUT
整流MOSFET
开/关
效率。在死区期间，它进行
改善
FETKY
两个功率MOSFET的开/关周期之间的时间防止
GND
下面的MOSFET的从导通的体二极管和
GND
存储
Q1
在死区时间充电。这种方法可以提高效率
D1
C1
C2
高达2 ％。
L1
VIN
GND
VOUT
Q1
FETKY
DC-DC降压电路
FETKY
Q1
D1
GND
L1
GND
VOUT
C1
C2
锂离子电池充电电路
FETKY
D1
C1
C2
该FETKY装置可用于
Q1
多种计费要素
as
D1
电源技术
开/关
汽车电池充电器，壁式充电器或USB
例如
VIN
VOUT
连接。肖特基优于标准二极管
GND
因为
GND
下侧的V的
f
评级导致功耗最低时
开/关
Q1
C2
R1
正常
C1
操作。
GND
VIN
C1
GND
VIN
C1
开/关
GND
VIN
开/关
GND
GND
开关电路
FETKY
D1
投资组合
请参阅我们最新FETKY设备的投资组合的背面
此卡。对我们的FETKY的其他信息，和其他的MOSFET
组合设备，请访问我们的网站：
www.onsemi.com 。
GND
VOUT
C2
R1
GND
Q1
FETKY
D1
锂离子电池充电电路
Q1
FETKY
D1
C2
VOUT
FETKY是国际整流器公司的注册商标。
R1
GND
VOUT
订购FETKY设备安森美半导体
mCool
在WDFN产品
（2× 2mm）的
设备
（最大额定值）
NTLJF3117P
NTLJF4156N
NTLJF3118N*
*即将推出。
极性
P沟道
N沟道
N沟道
B
VDSS
-20 V
30 V
20 V
R
DS （ ON）
在V
GS
= 4.5 V
100毫瓦
70毫瓦
60毫瓦
V
f
I
f
= 1 A
0.47 V
0.47 V
0.365 V
I
r
V
r
= 10 V
1200
mA
1200
mA
1200
mA
P
d
1.5 W
1.5 W
1.5 W
ChipFET 封装
（3× 2mm）的
设备
（最大额定值）
NTHD3100F
NTHD4P02
NTHD4N02
极性
P沟道
P沟道
N沟道
B
VDSS
-20 V
-20 V
20 V
R
DS （ ON）
在V
GS
= 4.5 V
80毫瓦
155毫瓦
80毫瓦
V
f
I
f
= 1 A
0.575 V
0.575 V
0.365 V
I
r
V
r
= 10 V
1
mA
1
mA
750
mA
P
d
1.1 W
1.1 W
0.91 W
SO- 8封装的双
（5× 6毫米）
设备
（最大额定值）
NTMSD3P303
NTMSD3P102
NTMSD6N303
极性
P沟道
P沟道
N沟道
B
VDSS
-30 V
-20 V
20 V
R
DS （ ON）
在V
GS
= 4.5 V
85毫瓦
125毫瓦
40毫瓦
V
f
I
f
= 1 A
0.42 V
0.58 V
0.42 V
I
r
V
r
= 10 V
250
mA
500
mA
250
mA
P
d
2.0 W
2.0 W
2.0 W
mCool
是半导体元件工业， LLC的商标。 FETKY是国际整流器公司的注册商标。 ChipFET为Vishay Siliconix公司的一个注册商标。
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