NTHD4N02F
功率MOSFET和
肖特基二极管
20 V ， 3.9 A， N沟道，与3.7
肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
60毫瓦@ 4.5 V
80毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
3.9 A
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
40 ％比TSOP -6封装具有更好的散热小
超低栅极电荷MOSFET
超低V
F
肖特基
无铅包装是否可用
应用
快速开关，低栅极电荷为直流到直流降压和升压
转换器
在手机，PDA ， DSC的，与媒体锂离子电池应用
玩家
负载侧开关
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
功耗
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
I
DM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
2.9
2.1
3.9
12
0.91
0.36
2.1
I
S
T
J
, T
英镑
T
L
2.6
-55到150
260
A
°C
°C
A
W
单位
V
V
A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
D1
V
F
典型值
0.35 V
A
I
F
最大
3.7 A
G1
S1
N沟道MOSFET
C
肖特基二极管
ChipFET ]
CASE 1206A
方式3
t
p
=10
ms
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
针
连接
A
A
S
G
1
2
8
7
6
C
C
D
5
D
1
2
3
4
记号
图
连续源电流（体二极管）
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
C2
M
3
4
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
v
5s
符号
V
RRM
V
R
I
F
25 C
T
J
= 25°C
3.7
A
价值
20
20
2.2
单位
V
V
A
C2 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHD4N02FT1
NTHD4N02FT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4N02F/D
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
NTHD4N02F
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
5 s
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方。
[ 1盎司]包括痕迹） 。
符号
R
qJA
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
° C / W
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
28
1.0
5.0
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.9 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.3 A
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
0.6
0.058
0.077
6.0
1.2
0.080
0.115
V
W
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
g
FS
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4 5 V V
DS
= 10 V
4.5 V,
V,
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
1 0 MH
V
DS
= 10 V
180
80
30
2.6
0.6
0.7
300
130
50
4.0
pF
nC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= 2.9 A，R
G
= 2.5
W
5.0
9.0
10
3.0
10
18
20
6.0
ns
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A
0.8
12.5
9.0
3.5
6.0
nC
1.15
V
ns
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
最大瞬时反向电流
I
R
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
非重复性峰值浪涌电流
I
FSM
半波，单脉冲， 60赫兹
民
典型值
最大
0.31
0.365
0.75
2.5
23
A
mA
单位
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
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功率MOSFET和
肖特基二极管
20 V ， 3.9 A， N沟道，与3.7
肖特基势垒二极管， ChipFETt
特点
http://onsemi.com
MOSFET
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
典型值
60毫瓦@ 4.5 V
80毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
3.9 A
无管脚SMD封装，提供一个MOSFET和肖特基二极管
40 ％比TSOP -6封装具有更好的散热小
超低栅极电荷MOSFET
超低V
F
肖特基
无铅包装是否可用
应用
快速开关，低栅极电荷为直流到直流降压和升压
转换器
在手机，PDA ， DSC的，与媒体锂离子电池应用
玩家
负载侧开关
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
稳定
状态
t
v
5s
漏电流脉冲
功耗
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
I
DM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
2.9
2.1
3.9
12
0.91
0.36
2.1
I
S
T
J
, T
英镑
T
L
2.6
-55到150
260
A
°C
°C
A
W
单位
V
V
A
肖特基二极管
V
R
最大
20 V
D1
V
F
典型值
0.35 V
A
I
F
最大
3.7 A
G1
S1
N沟道MOSFET
C
肖特基二极管
ChipFET ]
CASE 1206A
方式3
t
p
=10
ms
稳定
状态
t
v
5s
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
T
J
= 25°C
针
连接
A
A
S
G
1
2
8
7
6
C
C
D
5
D
1
2
3
4
记号
图
连续源电流（体二极管）
工作结存储
温度
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
C2
M
3
4
肖特基二极管的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均整流
正向电流
稳定
状态
t
v
5s
符号
V
RRM
V
R
I
F
25 C
T
J
= 25°C
3.7
A
价值
20
20
2.2
单位
V
V
A
C2 =具体设备守则
M =月守则
订购信息
设备
NTHD4N02FT1
NTHD4N02FT1G
包
ChipFET
ChipFET
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTHD4N02F/D
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年10月 - 修订版7
NTHD4N02F
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨
v
5 s
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方。
[ 1盎司]包括痕迹） 。
符号
R
qJA
R
qJA
最大
110
60
单位
° C / W
° C / W
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
20
28
1.0
5.0
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 4.5, I
D
= 2.9 A
V
GS
= 2.5, I
D
= 2.3 A
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
0.6
0.058
0.077
6.0
1.2
0.080
0.115
V
W
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
g
FS
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4 5 V V
DS
= 10 V
4.5 V,
V,
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
1 0 MH
V
DS
= 10 V
180
80
30
2.6
0.6
0.7
300
130
50
4.0
pF
nC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 16 V,
I
D
= 2.9 A，R
G
= 2.5
W
5.0
9.0
10
3.0
10
18
20
6.0
ns
漏源二极管特性
（注2 ）
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.6 A
0.8
12.5
9.0
3.5
6.0
nC
1.15
V
ns
肖特基二极管电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.1 A
I
F
= 1.0 A
最大瞬时反向电流
I
R
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
非重复性峰值浪涌电流
I
FSM
半波，单脉冲， 60赫兹
民
典型值
最大
0.31
0.365
0.75
2.5
23
A
mA
单位
V
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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