【NTHD4508N功率MOSFET20 V ， 4.1 A，双N沟道ChipFETt特点低RDS （】,IC型号NTHD4508N,NTHD4508N PDF资料,NTHD4508N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTHD4508N

功率MOSFET

20 V ， 4.1 A，双N沟道ChipFETt

特点

低R

DS （ ON）

和快速开关速度

无铅ChipFET包装有小40 ％，体积比TSOP - 6

优秀的散热能力在哪里传热是必需的

无铅包装是否可用

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（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

60毫瓦@ 4.5 V

80毫瓦@ 2.5 V

最大

4.1 A

应用

DC-DC降压/升压转换器

电池和低侧开关的便携式设备，如MP3

播放器，手机， DSC和掌上电脑

电平转换

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

稳定

状态

功耗

稳定

状态

漏电流脉冲

= 25

°C

= 85

°C

= 25

°C

= 25

°C

= 85

°C

= 25

°C

英镑

符号

DSS

价值

±12

3.0

2.2

4.1

1.13

0.59

2.1

-55

150

260

°C

单位

, D

, G

, S

N沟道MOSFET

ChipFET

CASE 1206A

方式2

= 10

工作结温和存储温度

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

针

连接

1 S

2 G

3 S

4 G

记号

图

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态

（注1 ）

符号

θJA

最大

110

单位

° C / W

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积= 1.27的平方

[ 1盎司]包括痕迹）。

C8 =具体设备守则

M =月守则

订购信息

设备

NTHD4508NT1

NTHD4508NT1G

包

ChipFET

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年10月 - 第3版

出版订单号：

NTHD4508N/D

NTHD4508N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

= 0 V

= 0 V, V

= 16 V

= 0 V, V

= 16 V ，T

= 125°C

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

漏极 - 源极导通电阻

GS （ TH）

DS （ ON）

( )

= V

, I

= 250

= 4.5, I

= 3.1 A

= 2.5, I

= 2.3 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

= 0 V，I

= 1.5 A,

/ DT = 100 A / MS

= 0 V，I

= 3.1 A

0.75

12.5

9.0

3.5

6.0

1.15

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 16 V,

= 3.1 A，R

= 2.5

5.0

3.0

6.0

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

= 4.5 V, V

= 10 V,

= 3.1 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

1 0 MH

= 10 V

180

2.6

0.5

0.6

0.7

4.0

= 10 V，I

= 3.1 A

0.6

6.0

1.2

115

GSS

= 0 V, V

"12

1.0

"100

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

2.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTHD4508N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

漏电流（安培）

= 5 V至3 V

= 2.4 V

2.2 V

= 25°C

漏电流（安培）

≥

10 V

1.8 V

1.6 V

1.4 V

= 55°C

25°C

100°C

，漏极至源极电压（伏）

0.5

1.5

2.5

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.15

= 3.1 A

= 25°C

0.10

0.1

图2.传输特性

= 25°C

= 2.5 V

0.07

= 4.5 V

0.05

，栅极至源极电压（伏）

0.04

漏电流（安培）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.7

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

= 3.1 A

= 4.5 V

1.5

DSS

，漏电（ NA）

100

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

1.3

= 100°C

1.1

0.9

0.7

100

125

150

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTHD4508N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

400

国际空间站

C，电容（pF ）

300

RSS

200

7.5

5.0

DS ，

漏 - 源电压（伏）

GS ，

栅 - 源电压（伏）

= 0 V

= 25°C

100

OSS

0.5

= 3.1 A

= 25°C

1.5

2.5

，总栅极电荷（ NC）

2.5

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

100

，源电流（安培）

= 16 V

= 2.3 A

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 25°C

D（关闭）

D（上）

，栅极电阻（欧姆）

100

0.3

0.45

0.6

0.75

0.9

1.05

1.2

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与电流

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NTHD4508N

焊接足迹*

2.032

0.08

0.457

0.018

0.635

0.025

0.635

0.025

2.032

0.08

1.032

0.043

0.178

0.007

0.457

0.018

0.711

0.028

0.66

0.026

0.66

0.026

0.254

0.010

尺度20:1

英寸

图11.基本

图12.样式2

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

BASIC垫图案

其尺寸基本焊盘布局显示在

图11.这是足够低的功耗

MOSFET的应用，但功率半导体

性能，需要更大的铜焊盘面积，特别是

为漏极引线。

在图中所示的推荐的最小焊盘图案

12提高了排水连接（引脚散热面积

5，6， 7，8 ），而基本的范围内剩余

足迹。漏铜面积为0.0019平方英寸（或1.22平方米。

毫米）。这将有助于功耗的路径远离

该设备（通过铜引线框架），并进入到

主板和机箱外部（如适用）为单

装置。在加入另外的铜的面积和/或所述的

除了通孔的其他板层将增强

性能更进一步。

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